Susceptor de oblea con recubrimiento de TaC para G5 G10

El susceptor de obleas con recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) CVD desarrollado independientemente por VET Energy está diseñado para condiciones de trabajo exigentes, como la fabricación de semiconductores, el crecimiento epitaxial de obleas LED (MOCVD), hornos de crecimiento de cristales, tratamientos térmicos al vacío a alta temperatura, etc. Mediante la tecnología de deposición química de vapor (CVD), se forma un recubrimiento denso y uniforme de carburo de tantalio en la superficie del sustrato de grafito, lo que confiere a la bandeja una estabilidad a temperaturas ultra altas (>3000 ℃), resistencia a la corrosión por metales fundidos, resistencia al choque térmico y características de baja contaminación, lo que prolonga significativamente su vida útil.

Nuestras ventajas técnicas:
1. Estabilidad a temperaturas ultra altas.
Punto de fusión de 3880 °C: El recubrimiento de carburo de tantalio puede funcionar de forma continua y estable por encima de los 2500 °C, superando con creces la temperatura de descomposición de 1200-1400 °C de los recubrimientos convencionales de carburo de silicio (SiC).
Resistencia al choque térmico: El coeficiente de expansión térmica del recubrimiento coincide con el del sustrato de grafito (6,6 × 10⁻⁶/K) y puede soportar ciclos rápidos de aumento y disminución de la temperatura con una diferencia de temperatura superior a 1000 °C para evitar que se agriete o se desprenda.
Propiedades mecánicas a altas temperaturas: La dureza del recubrimiento alcanza los 2000 HK (dureza Vickers) y el módulo elástico es de 537 GPa, manteniendo una excelente resistencia estructural incluso a altas temperaturas.

2. Extremadamente resistente a la corrosión para garantizar la pureza del proceso.
Excelente resistencia: Posee una excelente resistencia a gases corrosivos como H₂, NH₃, SiH₄, HCl y metales fundidos (por ejemplo, Si, Ga), aislando completamente el sustrato de grafito del entorno reactivo y evitando la contaminación por carbono.
Baja migración de impurezas: su altísima pureza inhibe eficazmente la migración de nitrógeno, oxígeno y otras impurezas al cristal o a la capa epitaxial, reduciendo la tasa de defectos de los microtubos en más del 50 %.

3. Precisión a nivel nanométrico para mejorar la consistencia del proceso.
Uniformidad del recubrimiento: tolerancia de espesor ≤ ±5%, planitud de la superficie a nivel nanométrico, lo que garantiza una alta consistencia de los parámetros de crecimiento de la oblea o del cristal, error de uniformidad térmica <1%.
Precisión dimensional: admite una personalización de tolerancia de ±0,05 mm, se adapta a obleas de 4 a 12 pulgadas y satisface las necesidades de las interfaces de equipos de alta precisión.

4. De larga duración y resistente, lo que reduce los costos generales.
Resistencia de la unión: La resistencia de la unión entre el recubrimiento y el sustrato de grafito es ≥5 MPa, resistente a la erosión y al desgaste, y la vida útil se prolonga en más de 3 veces.

Compatibilidad de la máquina
Adecuado para equipos convencionales de epitaxia y crecimiento de cristales, como CVD, MOCVD, ALD, LPE, etc., que abarcan el crecimiento de cristales de SiC (método PVT), la epitaxia de GaN, la preparación de sustratos de AlN y otros escenarios.
Ofrecemos una variedad de formas de susceptores, como planos, cóncavos, convexos, etc. El grosor (5-50 mm) y la disposición de los orificios de posicionamiento se pueden ajustar según la estructura de la cavidad para lograr una compatibilidad perfecta con el equipo.

Aplicaciones principales:
Crecimiento de cristales de SiC: En el método PVT, el recubrimiento puede optimizar la distribución del campo térmico, reducir los defectos en los bordes y aumentar el área de crecimiento efectiva del cristal a más del 95 %.
Epitaxia de GaN: En el proceso MOCVD, el error de uniformidad térmica del susceptor es <1%, y la consistencia del espesor de la capa epitaxial alcanza ±2%.
Preparación del sustrato de AlN: En la reacción de aminación a alta temperatura (>2000 °C), el recubrimiento de TaC puede aislar completamente el sustrato de grafito, evitar la contaminación por carbono y mejorar la pureza del cristal de AlN.