Susceptor de oblea con recubrimiento de TaC para G5 G10

El susceptor de oblea con recubrimiento de carburo de tantalio CVD (TaC) desarrollado independientemente por VET Energy está diseñado para condiciones de trabajo severas, como fabricación de semiconductores, crecimiento de obleas epitaxiales de LED (MOCVD), horno de crecimiento de cristales, tratamiento térmico al vacío de alta temperatura, etc. A través de la tecnología de deposición química de vapor (CVD), se forma un recubrimiento de carburo de tantalio denso y uniforme sobre la superficie del sustrato de grafito, lo que le da a la bandeja estabilidad de temperatura ultra alta (>3000 ℃), resistencia a la corrosión del metal fundido, resistencia al choque térmico y características de baja contaminación, lo que extiende significativamente la vida útil.

Nuestras ventajas técnicas:
1. Estabilidad de temperatura ultra alta.
Punto de fusión de 3880 °C: El recubrimiento de carburo de tantalio puede funcionar de manera continua y estable por encima de 2500 °C, superando ampliamente la temperatura de descomposición de 1200-1400 °C de los recubrimientos de carburo de silicio (SiC) convencionales.
Resistencia al choque térmico: El coeficiente de expansión térmica del recubrimiento coincide con el del sustrato de grafito (6,6×10 -6 /K) y puede soportar ciclos rápidos de aumento y caída de temperatura con una diferencia de temperatura de más de 1000 °C para evitar agrietamiento o caída.
Propiedades mecánicas de alta temperatura: La dureza del recubrimiento alcanza los 2000 HK (dureza Vickers) y el módulo elástico es de 537 GPa, y aún mantiene una excelente resistencia estructural a altas temperaturas.

2. Extremadamente resistente a la corrosión para garantizar la pureza del proceso.
Excelente resistencia: Posee excelente resistencia a gases corrosivos como H₂, NH₃, SiH₄, HCl y metales fundidos (ej. Si, Ga), aislando completamente el sustrato de grafito del ambiente reactivo y evitando la contaminación por carbono.
Baja migración de impurezas: pureza ultra alta, inhibe eficazmente la migración de nitrógeno, oxígeno y otras impurezas al cristal o capa epitaxial, reduciendo la tasa de defectos de los microtubos en más del 50%.

3. Precisión a nivel nanométrico para mejorar la consistencia del proceso
Uniformidad del recubrimiento: tolerancia de espesor ≤ ± 5%, la planitud de la superficie alcanza el nivel nanométrico, lo que garantiza una alta consistencia de los parámetros de crecimiento de la oblea o del cristal, error de uniformidad térmica < 1%.
Precisión dimensional: admite personalización de tolerancia de ±0,05 mm, se adapta a obleas de 4 a 12 pulgadas y satisface las necesidades de interfaces de equipos de alta precisión.

4. Larga duración y resistencia, lo que reduce los costos generales.
Fuerza de unión: La fuerza de unión entre el revestimiento y el sustrato de grafito es ≥5 MPa, resistente a la erosión y al desgaste, y la vida útil se extiende más de 3 veces.

Compatibilidad de la máquina
Adecuado para equipos de crecimiento de cristales y epitaxiales convencionales como CVD, MOCVD, ALD, LPE, etc., que cubren el crecimiento de cristales de SiC (método PVT), epitaxia de GaN, preparación de sustrato de AlN y otros escenarios.
Ofrecemos una variedad de formas de susceptores, como planos, cóncavos, convexos, etc. El espesor (5-50 mm) y la disposición de los orificios de posicionamiento se pueden ajustar de acuerdo con la estructura de la cavidad para lograr una compatibilidad perfecta con el equipo.

Aplicaciones principales:
Crecimiento de cristales de SiC: en el método PVT, el recubrimiento puede optimizar la distribución del campo térmico, reducir los defectos de los bordes y aumentar el área de crecimiento efectivo del cristal a más del 95%.
Epitaxia de GaN: en el proceso MOCVD, el error de uniformidad térmica del susceptor es <1% y la consistencia del espesor de la capa epitaxial alcanza ±2%.
Preparación del sustrato de AlN: En la reacción de aminación a alta temperatura (>2000 °C), el recubrimiento de TaC puede aislar completamente el sustrato de grafito, evitar la contaminación de carbono y mejorar la pureza del cristal de AlN.