Ihe na-egbochi Wafer nwere mkpuchi TaC maka G5 G10

E mepụtara VET Energy nke CVD tantalum carbide (TaC) nke e ji aka ya mepụta, nke e ji aka ya mee, maka ọnọdụ ọrụ siri ike dịka imepụta semiconductor, uto wafer LED epitaxial (MOCVD), ọkụ kristal, ọgwụgwọ okpomọkụ dị elu, wdg. Site na teknụzụ nchekwa anwụrụ ọkụ kemịkalụ (CVD), a na-emepụta mkpuchi tantalum carbide dị arọ ma dịkwa otu n'elu ihe mejupụtara graphite, na-enye tray ahụ nkwụsi ike okpomọkụ dị elu (>3000℃), iguzogide nchara ígwè gbazere agbaze, iguzogide ujo okpomọkụ na obere njirimara mmetọ, na-agbatị ndụ ọrụ nke ukwuu.

Uru teknụzụ anyị:
1. Nkwụsi ike nke okpomọkụ dị elu nke ukwuu.
Ebe Mgbaze 3880°C: Mkpuchi Tantalum carbide nwere ike ịrụ ọrụ n'oge niile ma kwụsie ike karịa 2500°C, nke karịrị okpomọkụ mmebi nke 1200-1400°C nke mkpuchi silicon carbide (SiC) nkịtị.
Nguzogide Mkpọchi Okpomọkụ: Ọnụọgụ mgbasawanye okpomọkụ nke mkpuchi ahụ kwekọrọ na nke ihe mejupụtara graphite (6.6 × 10 -6 /K), ọ nwekwara ike iguzogide ọsọ ọsọ nke mmụba okpomọkụ na oge ọdịda yana ọdịiche okpomọkụ nke ihe karịrị 1000°C iji zere mgbawa ma ọ bụ ịda.
Njirimara igwe dị elu nke okpomọkụ: Ike mkpuchi ahụ ruru 2000 HK (ike Vickers) na modulus elastic bụ 537 GPa, ọ ka na-ejikwa ike nhazi dị mma n'oge okpomọkụ dị elu.

2. Na-eguzogide oke nchara iji hụ na usoro dị ọcha
Nguzogide dị mma: O nwere ezigbo iguzogide gas ndị na-emebi emebi dịka H₂, NH₃, SiH₄, HCl na ọla ndị a gbazere agbaze (dịka Si, Ga), na-ekewapụ ihe ndị dị na graphite kpamkpam na gburugburu ebe a na-emegharị ahụ ma na-ezere mmetọ carbon.
Mbugharị adịghị ọcha dị ala: ịdị ọcha dị elu nke ukwuu, na-egbochi mbugharị nke nitrogen, oxygen na ihe ndị ọzọ na-adịghị mma na kristal ma ọ bụ oyi akwa epitaxial nke ọma, na-ebelata ọnụego ntụpọ nke microtubes site na ihe karịrị 50%.

3. Nhazi ọkwa Nano iji melite nhazi usoro
Nha nhata mkpuchi: oke nhata ≤ ± 5%, nha nhata elu ruru ọkwa nanometer, na-ahụ na oke nhata nke wafer ma ọ bụ kristal na-eto eto dị elu, njehie nha nhata okpomọkụ <1%.
Izi ezi nha: na-akwado nhazi ndidi ±0.05mm, na-agbanwe agbanwe na wafers nke sentimita 4 ruo sentimita 12, ma na-emezu mkpa nke njikọ akụrụngwa dị elu.

4. Na-adịte aka ma na-adịgide adịgide, na-ebelata ọnụ ahịa niile
Ike njikọ: Ike njikọ dị n'etiti mkpuchi ahụ na ihe mejupụtara graphite bụ ≥5 MPa, ọ na-eguzogide mbuze na mmebi, ndụ ọrụ ahụ na-agbatịkwa ihe karịrị ugboro atọ.

Ndakọrịta nke igwe
Dabara adaba maka akụrụngwa epitaxial na kristal dị mkpa dịka CVD, MOCVD, ALD, LPE, wdg, na-ekpuchi uto kristal SiC (usoro PVT), GaN epitaxy, nkwadebe substrate AlN na ọnọdụ ndị ọzọ.
Anyị na-enye ụdị dị iche iche nke ihe ndị na-egbochi ya dịka nke dị larịị, nke dị nkọ, nke dị nkọ, wdg. Enwere ike ịgbanwe ọkpụrụkpụ (5-50mm) na nhazi oghere dịka nhazi oghere si dị iji nweta ndakọrịta na akụrụngwa ahụ n'enweghị nsogbu.

Ngwa Ndị Dị Mkpa:
Mmụba kristal SiC: N'ime usoro PVT, mkpuchi ahụ nwere ike ime ka nkesa ubi okpomọkụ dịkwuo mma, belata ntụpọ n'akụkụ, ma mee ka mpaghara uto dị irè nke kristal ahụ dịkwuo elu karịa 95%.
GaN epitaxy: Na usoro MOCVD, njehie nhazi okpomọkụ nke susceptor bụ <1%, na nguzosi ike nke ọkpụrụkpụ oyi akwa epitaxial na-eru ±2%.
Nkwadebe ihe mkpuchi AlN: N'ime mmeghachi omume amination dị elu (>2000°C), mkpuchi TaC nwere ike iwepụ ihe mkpuchi graphite kpamkpam, zere mmetọ carbon, ma melite ịdị ọcha nke kristal AlN.