Àwọn Ohun Ànímọ́ Tó Wà Nínú Ohun Èlò Gíráfítì Ìpìlẹ̀:
| Ìwúwo tó hàn gbangba: | 1.85 g/cm3 |
| Agbara Resistance Itanna: | 11 μΩm |
| Agbára Rírọ̀: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
| Líle etíkun: | 58 |
| Eérú: | <5ppm |
| Ìgbékalẹ̀ Ooru: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
A n pese oniruuru awọn ohun elo susceptors ati graphite fun gbogbo awọn ohun elo epitaxy lọwọlọwọ. Awọn ọja wa pẹlu awọn susceptors agba fun awọn ẹya LPE, awọn susceptors pancake fun awọn ẹya LPE, CSD, ati awọn ẹya Gemini, ati awọn susceptors kanṣoṣo fun awọn ẹya ti a lo ati ASM.
Nípa ṣíṣe àkópọ̀ àwọn àjọṣepọ̀ tó lágbára pẹ̀lú àwọn OEM tó gbajúmọ̀, ìmọ̀ nípa ohun èlò àti ìmọ̀ nípa iṣẹ́-ọnà, onímọ̀ nípa ẹranko ní àwòrán tó dára jùlọ fún ohun èlò rẹ.
Agbara VET ni Àwọn nǹkan wọ̀nyí ló fà á tí wọ́n fi ń ṣe àtúnṣe sí ara wọn.olupese gidi ti awọn ọja graphite ti a ṣe adani ati silikoni carbide pẹlu ibora CVD,le peseoriṣiriṣiawọn ẹya ti a ṣe adani fun ile-iṣẹ semikondokito ati ile-iṣẹ fọtovoltaic. OẸgbẹ imọ-ẹrọ rẹ wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ siifun e.
Fawọn ounjẹ ti awọn ọja wa:
1. Agbara ifoyina otutu giga titi di 1700℃.
2. Ìwà mímọ́ gíga àtiiṣọkan ooru
3. O tayọ resistance ipata: acid, alkali, iyo ati awọn ohun elo adayeba.
4. Agbara giga, oju ti o kere, awọn patikulu ti o dara.
5. Iṣẹ́ tó gùn jù àti pé ó lè pẹ́ tó
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye deede |
| 晶体结构 / Ìṣètò Kírísítà | Ìpele FCC β多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / Ìwọ̀n | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Líle | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Iwọn ọkà | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Agbára Rírọ̀ | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulu Young | 430 GPA 4pt tẹ, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalÌgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́ | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!
