Pelapisan silikon karbida,Umumnya dikenal sebagai pelapisan SiC, mengacu pada proses penerapan lapisan silikon karbida ke permukaan melalui metode seperti Chemical Vapor Deposition (CVD), Physical Vapor Deposition (PVD), atau thermal spraying. Pelapisan keramik silikon karbida ini meningkatkan sifat permukaan berbagai substrat dengan memberikan ketahanan aus, stabilitas termal, dan perlindungan korosi yang luar biasa. SiC dikenal karena sifat fisik dan kimianya yang luar biasa, termasuk titik leleh yang tinggi (sekitar 2700℃), kekerasan yang ekstrem (skala Mohs 9), ketahanan korosi dan oksidasi yang sangat baik, dan kinerja ablasi yang luar biasa.
Manfaat Utama Pelapisan Karbida Silikon dalam Aplikasi Industri
Berkat fitur-fitur ini, pelapisan silikon karbida banyak digunakan di berbagai bidang seperti kedirgantaraan, peralatan senjata, dan pemrosesan semikonduktor. Di lingkungan ekstrem, khususnya dalam kisaran 1800-2000℃, pelapisan SiC menunjukkan stabilitas termal dan ketahanan ablatif yang luar biasa, sehingga ideal untuk aplikasi suhu tinggi. Akan tetapi, silikon karbida sendiri tidak memiliki integritas struktural yang dibutuhkan untuk banyak aplikasi, sehingga metode pelapisan digunakan untuk memanfaatkan sifat-sifatnya yang unik tanpa mengorbankan kekuatan komponen. Dalam manufaktur semikonduktor, elemen berlapis silikon karbida memberikan perlindungan yang andal dan stabilitas kinerja dalam peralatan yang digunakan dalam proses MOCVD.
Metode Umum untuk Persiapan Pelapisan Karbida Silikon
Ⅰ● Pelapisan Karbida Silikon Deposisi Uap Kimia (CVD)
Dalam metode ini, pelapis SiC dibentuk dengan menempatkan substrat dalam ruang reaksi, di mana metiltriklorosilana (MTS) bertindak sebagai prekursor. Dalam kondisi terkendali—biasanya 950-1300°C dan tekanan negatif—MTS mengalami dekomposisi, dan silikon karbida diendapkan ke permukaan. Proses pelapisan SiC CVD ini memastikan pelapisan yang padat dan seragam dengan daya rekat yang sangat baik, ideal untuk aplikasi presisi tinggi di sektor semikonduktor dan kedirgantaraan.
Ⅱ● Metode Konversi Prekursor (Impregnasi Polimer dan Pirolisis – PIP)
Pendekatan pelapisan semprot silikon karbida yang efektif lainnya adalah metode konversi prekursor, yang melibatkan perendaman sampel yang telah diolah sebelumnya dalam larutan prekursor keramik. Setelah menyedot tangki impregnasi dan memberi tekanan pada lapisan, sampel dipanaskan, yang menghasilkan pembentukan lapisan silikon karbida setelah pendinginan. Metode ini disukai untuk komponen yang memerlukan ketebalan lapisan yang seragam dan ketahanan aus yang ditingkatkan.
Sifat Fisik Pelapis Karbida Silikon
Pelapis silikon karbida memiliki sifat-sifat yang membuatnya ideal untuk aplikasi industri yang menuntut. Sifat-sifat ini meliputi:
Konduktivitas Termal: 120-270 W/m·K
Koefisien Ekspansi Termal: 4,3 × 10^(-6)/K (pada 20~800℃)
Resistivitas Listrik: 10^5– 10^6Ω·cm
Kekerasan: skala Mohs 9
Aplikasi Pelapisan Karbida Silikon
Dalam produksi semikonduktor, pelapisan silikon karbida untuk MOCVD dan proses suhu tinggi lainnya melindungi peralatan penting, seperti reaktor dan susceptor, dengan menawarkan ketahanan dan stabilitas suhu tinggi. Dalam bidang kedirgantaraan dan pertahanan, pelapisan keramik silikon karbida diaplikasikan pada komponen yang harus tahan terhadap benturan berkecepatan tinggi dan lingkungan korosif. Lebih jauh, cat atau pelapis silikon karbida juga dapat digunakan pada perangkat medis yang memerlukan ketahanan dalam prosedur sterilisasi.
Mengapa Memilih Pelapis Karbida Silikon?
Dengan rekam jejak yang terbukti dalam memperpanjang usia komponen, pelapis silikon karbida memberikan daya tahan dan stabilitas suhu yang tak tertandingi, sehingga hemat biaya untuk penggunaan jangka panjang. Dengan memilih permukaan berlapis silikon karbida, industri memperoleh keuntungan dari penurunan biaya perawatan, peningkatan keandalan peralatan, dan peningkatan efisiensi operasional.
Mengapa Memilih VET ENERGY?
VET ENERGY adalah produsen dan pabrik profesional produk pelapis silikon karbida di Cina. Produk pelapis SiC utama meliputi pemanas pelapis keramik silikon karbida,Pelapis Karbida Silikon CVD Penahan MOCVD, Pembawa Grafit MOCVD dengan Lapisan SiC CVD, Pembawa Basis Grafit Berlapis SiCSubstrat Grafit Berlapis Karbida Silikon untuk Semikonduktor,Pelapis SiC/Substrat/Nampan Grafit Berlapis untuk Semikonduktor, Cetakan Perahu Komposit Karbon-Karbon CVD SiC DilapisiVET ENERGY berkomitmen untuk menyediakan teknologi canggih dan solusi produk untuk industri semikonduktor. Kami sangat berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.
Waktu posting: 02-Sep-2023