Silikon karbid örtügi,SiC örtügi diýlip atlandyrylýan bu örtük, himiki bug çökündisi (CVD), fiziki bug çökündisi (PVD) ýa-da termal püskürtme ýaly usullar arkaly ýüzlere kremniý karbidiniň gatlagyny çalmak prosesini aňladýar. Bu kremniý karbidi keramiki örtük dürli substratlaryň ýüz häsiýetlerini ajaýyp aşynma garşylygyny, termal durnuklylygyny we korroziýadan goragy bermek arkaly gowulandyrýar. SiC ýokary ereme nokady (takmynan 2700℃), örän gatylygy (Mohs şkalasy 9), ajaýyp korroziýa we oksidlenme garşylygy we ajaýyp ablýasiýa öndürijiligi ýaly ajaýyp fiziki we himiki häsiýetleri bilen tanalýar.
Senagat ulanylyşynda kremniý karbid örtüginiň esasy artykmaçlyklary
Şu aýratynlyklary sebäpli, kremniý karbid örtügi awiakosmos, ýarag enjamlary we ýarymgeçirijileri gaýtadan işlemek ýaly ugurlarda giňden ulanylýar. Ekstremal şertlerde, esasanam 1800-2000℃ aralygynda, SiC örtügi ajaýyp termal durnuklylyk we ablatiw garşylyk görkezýär, bu bolsa ony ýokary temperatura ulanylyşlary üçin amatly edýär. Şeýle-de bolsa, diňe kremniý karbidi köp ulanylyşlar üçin zerur bolan gurluş bitewüligine eýe däl, şonuň üçin örtük usullary onuň özboluşly häsiýetlerini komponentleriň güýjüne zyýan ýetirmezden peýdalanmak üçin ulanylýar. Ýarymgeçirijileri öndürmekde kremniý karbid örtükli elementler MOCVD proseslerinde ulanylýan enjamlarda ygtybarly goragy we iş durnuklylygyny üpjün edýär.
Kremniý karbidini örtmek üçin umumy usullar
Ⅰ● Himiki bug çökündisi (CVD) kremniý karbid örtügi
Bu usulda SiC örtükleri substratlary reaksiýa kamerasyna goýmak arkaly emele getirilýär, bu ýerde metiltrihlorsilan (MTS) başlangyç hökmünde hereket edýär. Gözegçilik edilýän şertlerde - adatça 950-1300°C we negatiw basyşda - MTS parçalanmaga sezewar bolýar we kremniý karbidi ýüze çökýär. Bu CVD SiC örtük prosesi ýarymgeçiriji we awiakosmos pudaklarynda ýokary takyklykly ulanylyşlar üçin ideal bolan, ajaýyp ýapyşýan dykyz, birmeňzeş örtügi üpjün edýär.
Ⅱ● Öňünden geçiş usuly (Polimer impregnasiýasy we piroliz – PIP)
Kremniý karbidini püskürtmek bilen örtüklemegiň başga bir netijeli usuly, öňünden işlenen nusgany keramiki prekursor erginine batyrmagy öz içine alýan prekursor konwersiýa usulydyr. Siňdirmek üçin bak sorujy bilen arassalanyp, örtügi basyşlandyrylandan soň, nusga gyzdyrylýar, bu bolsa sowanda kremniý karbidiniň örtüginiň emele gelmegine getirýär. Bu usul örtügiň birmeňzeş galyňlygyny we aşynma garşylygynyň ýokarlandyrylmagyny talap edýän bölekler üçin has amatlydyr.
Kremniý karbid örtüginiň fiziki häsiýetleri
Kremniý karbid örtükleri olary senagat ulgamlarynda ulanmak üçin amatly edýän häsiýetlere eýedir. Bu häsiýetler aşakdakylary öz içine alýar:
Ýylylyk geçirijiligi: 120-270 W/m·K
Termal giňelme koeffisiýenti: 4.3 × 10^(-6)/K (20~800℃-de)
Elektrik garşylygy: 10^5– 10^6Ω·sm
Gatylyk: Mohs şkalasy 9
Silikon karbid örtüginiň ulanylyş ugurlary
Ýarymgeçirijiler önümçiliginde, MOCVD we beýleki ýokary temperatura prosesleri üçin kremniý karbid örtügi ýokary temperatura çydamlylygyny we durnuklylygyny üpjün etmek arkaly reaktorlar we susseptorlar ýaly möhüm enjamlary goraýar. Aerokosmosda we goranmakda kremniý karbid keramik örtükleri ýokary tizlikli täsirlere we poslaýjy gurşawlara çydamly bolmaly böleklere ulanylýar. Mundan başga-da, kremniý karbid boýagy ýa-da örtükleri sterilizasiýa amallarynda çydamlylygy talap edýän lukmançylyk enjamlarynda hem ulanylyp bilner.
Näme üçin silikon karbid örtügini saýlamaly?
Komponentleriň ömrüni uzaltmakda subut edilen netijeleri bilen, kremniý karbid örtükleri deňsiz-taýsyz berkligi we temperatura durnuklylygyny üpjün edýär, bu bolsa olary uzak möhletli ulanmak üçin tygşytly edýär. Kremniý karbid örtükli ýüzi saýlamak bilen senagat kärhanalary tehniki hyzmat çykdajylarynyň azalmagyndan, enjamlaryň ygtybarlylygynyň ýokarlanmagyndan we iş netijeliliginiň ýokarlanmagyndan peýda görýärler.
Näme üçin VET ENERGY-ni saýlamaly?
"VET ENERGY" Hytaýda kremniý karbid örtük önümleriniň professional öndürijisi we zawodydyr. Esasy SiC örtük önümlerine kremniý karbid keramik örtük gyzdyryjysy,CVD Silikon Karbid Örtügi MOCVD Susceptor, CVD SiC örtükli MOCVD grafit daşaýjysy, SiC bilen örtülen grafit esasly daşaýjylarÝarymgeçirijiler üçin kremniý karbidi bilen örtülen grafit substraty,Ýarymgeçirijiler üçin SiC örtügi/örtükli grafit substraty/tagta, CVD SiC bilen örtülen uglerod-uglerod kompozit CFC gaýyk galypy. VET ENERGY ýarymgeçirijiler senagaty üçin öňdebaryjy tehnologiýalary we önüm çözgütlerini hödürlemäge ygrarlydyr. Biz Hytaýda siziň uzak möhletli hyzmatdaşyňyz bolmagy tüýs ýürekden umyt edýäris.
Ýerleşdirilen wagty: 2023-nji ýylyň 2-nji sentýabry