Ki sa ki kouch carbure Silisyòm?

Kouch carbure Silisyòm,Souvan ke yo rekonèt kòm kouch SiC, li refere a pwosesis aplikasyon yon kouch carbure Silisyòm sou sifas atravè metòd tankou Depozisyon Vapè Chimik (CVD), Depozisyon Vapè Fizik (PVD), oswa flite tèmik. Kouch seramik carbure Silisyòm sa a amelyore pwopriyete sifas divès kalite substrats lè li bay yon rezistans eksepsyonèl kont mete, estabilite tèmik, ak pwoteksyon kont korozyon. SiC li te ye pou pwopriyete fizik ak chimik eksepsyonèl li yo, tankou yon pwen fizyon ki wo (apeprè 2700 ℃), yon dite ekstrèm (echèl Mohs 9), yon ekselan rezistans kont korozyon ak oksidasyon, ak yon pèfòmans ablasyon eksepsyonèl.

Benefis kle nan kouch Silisyòm Carbide nan aplikasyon endistriyèl yo

Akòz karakteristik sa yo, kouch Silisyòm kabid la lajman itilize nan domèn tankou ayewospasyal, ekipman zam, ak pwosesis semi-kondiktè. Nan anviwònman ekstrèm, patikilyèman nan seri 1800-2000 ℃ la, kouch SiC la montre yon estabilite tèmik remakab ak yon rezistans ablatif, sa ki fè li ideyal pou aplikasyon nan tanperati ki wo. Sepandan, Silisyòm kabid poukont li manke entegrite estriktirèl ki nesesè pou anpil aplikasyon, kidonk metòd kouch yo itilize pou itilize pwopriyete inik li yo san yo pa konpwomèt fòs konpozan an. Nan fabrikasyon semi-kondiktè, eleman ki kouvri ak Silisyòm kabid bay yon pwoteksyon serye ak estabilite pèfòmans nan ekipman yo itilize nan pwosesis MOCVD.

Metòd komen pou preparasyon kouch Silisyòm Carbide

Ⅰ● Depozisyon Vapè Chimik (CVD) Kouch Silisyòm Carbide

Nan metòd sa a, kouch SiC yo fòme lè yo mete substrats nan yon chanm reyaksyon, kote metiltriklorosilan (MTS) aji kòm yon prekisè. Anba kondisyon kontwole—tipikman 950-1300°C ak presyon negatif—MTS la sibi dekonpozisyon, epi carbure Silisyòm depoze sou sifas la. Pwosesis kouch CVD SiC sa a asire yon kouch dans, inifòm ak ekselan adezyon, ideyal pou aplikasyon gwo presizyon nan sektè semikondiktè ak ayewospasyal.

Ⅱ● Metòd Konvèsyon Prekursè (Enpregnasyon Polymè ak Piroliz – PIP)

Yon lòt apwòch efikas pou kouch espre ak carbure Silisyòm se metòd konvèsyon prekisè a, ki enplike plonje echantiyon pre-trete a nan yon solisyon prekisè seramik. Apre yo fin pase yon aspiratè nan tank enpregnasyon an epi mete presyon sou kouch la, echantiyon an chofe, sa ki mennen nan fòmasyon yon kouch carbure Silisyòm lè li refwadi. Metòd sa a pi pito pou konpozan ki bezwen yon epesè kouch inifòm ak yon rezistans amelyore pou mete.

Pwopriyete fizik kouch Silisyòm Carbide

Kouch carbure Silisyòm yo montre pwopriyete ki fè yo ideyal pou aplikasyon endistriyèl ki mande anpil. Pwopriyete sa yo enkli:

Konduktivite tèmik: 120-270 W/m·K
Koyefisyan ekspansyon tèmik: 4.3 × 10^^(-6)/K (nan 20 ~ 800 ℃)
Rezistans elektrik: 10^⁵– 10^⁶Ω·cm
Dite: echèl Mohs 9

Aplikasyon pou kouch Silisyòm Carbide

Nan fabrikasyon semi-kondiktè, kouch carbure Silisyòm pou MOCVD ak lòt pwosesis tanperati ki wo pwoteje ekipman kritik, tankou reaktè ak sisèpteur, lè li ofri tou de rezistans ak estabilite tanperati ki wo. Nan ayewospasyal ak defans, kouch seramik carbure Silisyòm yo aplike sou konpozan ki dwe reziste enpak gwo vitès ak anviwònman koroziv. Anplis de sa, penti oswa kouch carbure Silisyòm kapab tou itilize sou aparèy medikal ki mande rezistans anba pwosedi esterilizasyon.

Poukisa chwazi kouch Silisyòm Carbide?

Avèk yon repitasyon pwouve nan pwolonje lavi konpozan yo, kouch carbure Silisyòm yo bay yon dirabilite ak yon estabilite tanperati san parèy, sa ki fè yo efikas pou itilizasyon alontèm. Lè yo chwazi yon sifas ki kouvri ak carbure Silisyòm, endistri yo benefisye de diminisyon nan depans antretyen, amelyorasyon nan fyab ekipman yo, ak amelyorasyon nan efikasite operasyonèl.

Poukisa ou ta dwe chwazi VET ENERGY?

VET ENERGY se yon manifakti pwofesyonèl ak faktori pwodwi kouch Silisyòm kabid nan Lachin. Prensipal pwodwi kouch SiC yo enkli aparèy chofaj kouch seramik Silisyòm kabid,Kouch CVD Silisyòm Carbide Sisèpteur MOCVD, Sipò grafit MOCVD ak kouch CVD SiC, SiC kouvri ak grafit baz transpòtè, Substra grafit kouvri ak carbure silikon pou semi-kondiktè,SiC Kouch / Kouch Grafit Substra / Plato pou Semiconductor, Mwazi bato CFC konpoze kabòn-kabòn kouvri ak CVD SiCVET ENERGY angaje nan bay teknoloji avanse ak solisyon pwodwi pou endistri semi-kondiktè yo. Nou sensèman espere vin patnè alontèm ou nan peyi Lachin.