Ufiufi silicon carbide,E masani ona ta'ua o le SiC coating, e faasino i le faagasologa o le fa'aogaina o se vaega o le silicon carbide i luga o luga e ala i metotia e pei o le Chemical Vapor Deposition (CVD), Physical Vapor Deposition (PVD), po'o le fa'avevela. O lenei ufiufi seramika silicon carbide e fa'aleleia atili ai meatotino o luga o mea eseese e ala i le tu'uina atu o le tete'e atu i le ofuina, mautu i le vevela, ma le puipuiga mai le 'ele. Ua lauiloa le SiC i ona meatotino fa'aletino ma fa'akemikolo mata'ina, e aofia ai le maualuga o le melting point (pe tusa o le 2700 ℃), le ma'a'a tele (Mohs scale 9), tete'e atu i le 'ele ma le oxidation, ma le fa'atinoga lelei o le ablation.
Aogā Autū o le Ufiufi o le Silicon Carbide i Galuega Fa'apisinisi
Ona o nei foliga, o le ufiufi silicon carbide e faʻaaogaina lautele i vaega e pei o le ea, meafaigaluega o auupega, ma le gaosiga o semiconductor. I siosiomaga faigata, aemaise lava i totonu o le va o le 1800-2000℃, o le ufiufi SiC e faʻaalia ai le mautu tele o le vevela ma le teteʻe atu i le ablative, ma avea ai ma mea lelei mo faʻaoga maualuga le vevela. Peitaʻi, o le silicon carbide lava ia e leai se tulaga lelei o le fausaga e manaʻomia mo le tele o faʻaoga, o lea e faʻaaogaina ai metotia ufiufi e faʻaaoga ai ona meatotino tulaga ese e aunoa ma le faʻaleagaina o le malosi o vaega. I le gaosiga o semiconductor, o elemene ufiufi silicon carbide e maua ai le puipuiga faʻatuatuaina ma le mautu o le faʻatinoga i totonu o masini e faʻaaogaina i faiga o le MOCVD.
Auala Masani mo le Sauniuniga o le Ufiufi Silicon Carbide
Ⅰ● Ufiufi o le Silicon Carbide mai le Fa'aputuga o le Ausa Kemikolo (CVD)
I lenei metotia, o ufiufi SiC e faia e ala i le tuʻuina o mea faʻapipiʻi i totonu o se potu tali atu, lea e galue ai le methyltrichlorosilane (MTS) o se mea e fai ma muamua. I lalo o tulaga faʻatonutonuina—e masani lava 950-1300°C ma le mamafa leaga—e faʻaleagaina le MTS, ma e faʻaputuina le silicon carbide i luga o le fogāeleele. O lenei faiga ufiufi CVD SiC e faʻamautinoa ai se ufiufi mafiafia ma tutusa ma le pipii lelei, e fetaui lelei mo faʻaoga saʻo maualuga i vaega semiconductor ma aerospace.
II● Metotia o le Suiga o le Precursor (Polymer Impregnation and Pyrolysis – PIP)
O le isi auala aoga e fa'aaoga ai le silicon carbide spray coating o le metotia o le precursor conversion, lea e aofia ai le fa'atofuina o le fa'ata'ita'iga ua uma ona togafitia i totonu o se seramika precursor solution. A uma ona fa'amamā le tane impregnation ma fa'amamafa le ufiufi, ona fa'avevela lea o le fa'ata'ita'iga, ma i'u ai ina fausia se ufiufi silicon carbide pe a fa'amālūlūina. O lenei metotia e sili ona lelei mo vaega e mana'omia ai le mafiafia tutusa o le ufiufi ma le tete'e atu i le ofuina.
Meatotino Fa'aletino o le Ufiufi Silicon Carbide
O vali silicone carbide e iai ona uiga e fetaui lelei mo galuega faigata tau alamanuia. O nei uiga e aofia ai:
Fa'avevela o le Tafega: 120-270 W/m·K
Fa'atusatusaga o le Fa'alauteleina o le Vevela: 4.3 × 10^(-6)/K (i le 20~800℃)
Tete'e Fa'aeletise: 10^5– 10^6Ω·cm
Ma'a'a: Mohs scale 9
Fa'aoga o le Ufiufi o le Silicon Carbide
I le gaosiga o semiconductor, o le ufiufi silicon carbide mo le MOCVD ma isi faiga e maualuga le vevela e puipuia ai meafaigaluega taua, e pei o reactors ma susceptors, e ala i le ofoina atu o le tete'e atu i le vevela maualuga ma le mautu. I le vaalele ma le puipuiga, o ufiufi seramika silicon carbide e fa'aogaina i vaega e tatau ona tatalia ni aafiaga vave ma siosiomaga 'ele'ele. E le gata i lea, e mafai fo'i ona fa'aogaina vali silicon carbide po'o ufiufi i masini fa'afoma'i e mana'omia le tumau i lalo o faiga fa'amama.
Aiseā e Filifili ai le Ufiufi Silicon Carbide?
Faatasi ai ma se faamaumauga ua faamaonia i le faalauteleina o le ola o le vaega, o ufiufi silicon carbide e maua ai le tumau e le mafaatusalia ma le mautu o le vevela, ma avea ai ma taugofie mo le faaaogaina i se taimi umi. I le filifilia o se mea ua ufiufi i le silicon carbide, e manuia ai pisinisi mai le faaitiitia o tau o le tausiga, faaleleia atili o le faatuatuaina o meafaigaluega, ma faaleleia atili ai le lelei o le faagaoioiga.
Aiseā e Filifili ai le VET ENERGY?
O le VET ENERGY o se kamupani gaosi oloa fa'apolofesa ma falegaosimea o oloa ufiufi silicon carbide i Saina. O oloa ufiufi SiC autu e aofia ai le fa'avevela ufiufi seramika silicon carbide,Fa'amama MOCVD o le Ufiufi CVD Silicon Carbide, MOCVD Graphite Carrier ma le CVD SiC Coating, Aveta'avale Fa'avae o le Graphite Ufiufi SiC, Mea Fa'apipi'i Graphite Ufiufi i le Silicon Carbide mo le Semiconductor,SiC Coating/Coated Graphite Substrate/Tray mo Semiconductor, Fa'apipi'i Va'a CFC Fa'apipi'i Carbon-carbon ua ufiufiina CVD SiC. Ua tuuto atu le VET ENERGY i le tuʻuina atu o tekonolosi faʻaonaponei ma fofo oloa mo le alamanuia semiconductor. Matou te faʻamoemoe ma le faʻamaoni e avea ma au paʻaga tumau i Saina.
Taimi na lafoina ai: Setema-02-2023
