د سیلیکون کاربایډ کوټینګ،په عمومي ډول د SiC کوټینګ په نوم پیژندل کیږي، د کیمیاوي بخار زیرمه (CVD)، فزیکي بخار زیرمه (PVD)، یا تودوخې سپری کولو میتودونو له لارې په سطحو باندې د سیلیکون کاربایډ طبقې پلي کولو پروسې ته اشاره کوي. دا سیلیکون کاربایډ سیرامیک کوټینګ د استثنایی پوښ مقاومت، تودوخې ثبات، او د زنګ ساتنې په ورکولو سره د مختلفو سبسټریټونو سطحې ملکیتونه لوړوي. SiC د خپلو غوره فزیکي او کیمیاوي ملکیتونو لپاره پیژندل کیږي، پشمول د لوړ خټکي نقطه (نږدې 2700 ℃)، خورا سختۍ (Mohs پیمانه 9)، غوره زنګ او اکسیډیشن مقاومت، او استثنایی خلاصون فعالیت.
په صنعتي غوښتنلیکونو کې د سیلیکون کاربایډ کوټینګ کلیدي ګټې
د دې ځانګړتیاو له امله، د سیلیکون کاربایډ کوټینګ په پراخه کچه په فضا، وسلو تجهیزاتو، او سیمیکمډکټر پروسس کولو برخو کې کارول کیږي. په سختو چاپیریالونو کې، په ځانګړې توګه د 1800-2000 ℃ حد کې، د SiC کوټینګ د پام وړ حرارتي ثبات او د کمولو مقاومت ښیې، چې دا د لوړې تودوخې غوښتنلیکونو لپاره مثالی کوي. په هرصورت، د سیلیکون کاربایډ یوازې د ډیری غوښتنلیکونو لپاره اړین ساختماني بشپړتیا نلري، نو د کوټینګ میتودونه د اجزاو ځواک سره موافقت پرته د دې ځانګړي ملکیتونو څخه ګټه پورته کولو لپاره کارول کیږي. د سیمیکمډکټر تولید کې، د سیلیکون کاربایډ کوټینګ عناصر د MOCVD پروسو کې کارول شوي تجهیزاتو کې د باور وړ محافظت او د فعالیت ثبات چمتو کوي.
د سیلیکون کاربایډ کوټینګ چمتو کولو لپاره عام میتودونه
Ⅰ● د کیمیاوي بخاراتو زیرمه (CVD) سیلیکون کاربایډ کوټینګ
په دې طریقه کې، د SiC پوښښونه د تعامل په چیمبر کې د سبسټریټ په ځای کولو سره جوړیږي، چیرې چې میتیلټریکلوروسیلین (MTS) د مخکیني په توګه عمل کوي. د کنټرول شوي شرایطو لاندې - معمولا 950-1300 ° C او منفي فشار - MTS د تجزیې څخه تیریږي، او سیلیکون کاربایډ په سطحه کې زیرمه کیږي. دا د CVD SiC پوښښ پروسه د غوره تعقیب سره یو ګڼ، یونیفورم پوښښ تضمینوي، چې د سیمیکمډکټر او فضايي سکتورونو کې د لوړ دقیق غوښتنلیکونو لپاره مثالی دی.
Ⅱ● د مخکینۍ تبادلې طریقه (د پولیمر امپریګنیشن او پیرولیسس - PIP)
د سیلیکون کاربایډ سپری کوټینګ بله اغیزمنه طریقه د مخکیني بدلون طریقه ده، چې پکې مخکې درملنه شوې نمونه د سیرامیک مخکیني محلول کې ډوبول شامل دي. د امپریګنیشن ټانک د خالي کولو او پوښ فشارولو وروسته، نمونه تودوخه کیږي، چې د یخولو وروسته د سیلیکون کاربایډ پوښ رامینځته کیدو لامل کیږي. دا طریقه د هغو برخو لپاره غوره ده چې د پوښ یونیفورم ضخامت او د پوښ مقاومت لوړولو ته اړتیا لري.
د سیلیکون کاربایډ کوټینګ فزیکي ځانګړتیاوې
د سیلیکون کاربایډ پوښښونه هغه ځانګړتیاوې ښیې چې دوی د صنعتي غوښتنلیکونو لپاره مثالی کوي. پدې ملکیتونو کې شامل دي:
د تودوخې چلښت: ۱۲۰-۲۷۰ واټ/متر·کلومیټره
د حرارتي انبساط ضریب: ۴.۳ × ۱۰^(-۶)/K (په 20~800℃ کې)
بریښنایی مقاومت: ۱۰^5– ۱۰^6Ω·سانتي متره
سختوالی: د محس پیمانه ۹
د سیلیکون کاربایډ کوټینګ غوښتنلیکونه
په سیمیکمډکټر تولید کې، د MOCVD او نورو لوړ تودوخې پروسو لپاره د سیلیکون کاربایډ کوټینګ د لوړ تودوخې مقاومت او ثبات دواړه وړاندې کولو سره مهم تجهیزات، لکه ریکټورونه او سیسپټرونه، ساتي. په فضا او دفاع کې، د سیلیکون کاربایډ سیرامیک کوټینګونه په هغو برخو پلي کیږي چې باید د لوړ سرعت اغیزو او زنګ وهونکي چاپیریال سره مقاومت وکړي. سربیره پردې، د سیلیکون کاربایډ رنګ یا کوټینګونه په طبي وسایلو کې هم کارول کیدی شي چې د تعقیم کولو پروسیجرونو لاندې دوام ته اړتیا لري.
ولې د سیلیکون کاربایډ کوټینګ غوره کړئ؟
د اجزاو د ژوند په اوږدولو کې د ثابت ریکارډ سره، د سیلیکون کاربایډ کوټینګونه بې ساري پایښت او د تودوخې ثبات چمتو کوي، چې دوی د اوږدې مودې کارونې لپاره ارزانه کوي. د سیلیکون کاربایډ پوښل شوي سطحې غوره کولو سره، صنعتونه د ساتنې لګښتونو کمولو، د تجهیزاتو اعتبار لوړولو، او د عملیاتي موثریت ښه کولو څخه ګټه پورته کوي.
ولې د VET انرژي غوره کړئ؟
VET ENERGY په چین کې د سیلیکون کاربایډ کوټینګ محصولاتو مسلکي جوړونکی او فابریکه ده. د SiC کوټینګ اصلي محصولاتو کې د سیلیکون کاربایډ سیرامیک کوټینګ هیټر شامل دي،د CVD سیلیکون کاربایډ کوټینګ MOCVD سوسیپټر, د CVD SiC کوټینګ سره MOCVD ګرافایټ کیریر, د سي سي پوښل شوي ګرافایټ اساس کیریرونه، د سیمیکمډکټر لپاره د سیلیکون کاربایډ لیپت شوی ګرافایټ سبسټریټ،د سیمیکمډکټر لپاره د SiC کوټینګ/لیپټ شوی ګرافایټ سبسټریټ/ټری, د CVD SiC پوښل شوی کاربن-کاربن مرکب CFC کښتۍ مولډ. VET ENERGY د سیمیکمډکټر صنعت لپاره د پرمختللي ټیکنالوژۍ او محصول حلونو چمتو کولو ته ژمن دی. موږ په کلکه هیله لرو چې په چین کې ستاسو اوږدمهاله ملګری شو.
د پوسټ وخت: سپتمبر-۰۲-۲۰۲۳