Kí ni àwọ̀ silicon carbide?

Ibora silikoni carbide,A mọ̀ ọ́n sí ìbòrí SiC, ó tọ́ka sí ìlànà fífi ìpele kan ti silicon carbide sí orí àwọn ojú ilẹ̀ nípasẹ̀ àwọn ọ̀nà bíi Chemical Vapor Deposition (CVD), Physical Vapor Deposition (PVD), tàbí thermal spraying. Ìbòrí seramiki silicon carbide yìí ń mú kí àwọn ohun ìní ojú ilẹ̀ onírúurú substrates pọ̀ sí i nípa fífúnni ní ìdènà ìfàsẹ́yìn, ìdúróṣinṣin ooru, àti ààbò ìbàjẹ́. A mọ̀ SiC fún àwọn ohun ìní ti ara àti kẹ́míkà tó tayọ, títí kan gígún yó tó ga (tó tó 2700℃), líle líle (Mohs scale 9), ìdènà ìbàjẹ́ àti ìfàsẹ́yìn tó dára, àti iṣẹ́ ablation tó tayọ.

Àwọn Àǹfààní Pàtàkì ti Àwọ̀ Silikoni Carbide nínú Àwọn Ohun Èlò Ilé-iṣẹ́

Nítorí àwọn ohun èlò wọ̀nyí, a ń lo ìbòrí silikoni carbide ní àwọn pápá bíi afẹ́fẹ́, ohun èlò ìjà, àti ìṣiṣẹ́ semiconductor. Ní àwọn àyíká tí ó le koko, pàápàá jùlọ láàárín ìwọ̀n 1800-2000℃, ìbòrí SiC ń fi ìdúróṣinṣin ooru àti ìdènà ablative hàn, èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò tí ó ní iwọ̀n otútù gíga. Síbẹ̀síbẹ̀, silikoni carbide nìkan kò ní ìdúróṣinṣin ìṣètò tí a nílò fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ ohun èlò, nítorí náà a ń lo àwọn ọ̀nà ìbòrí láti lo àwọn ohun-ìní àrà ọ̀tọ̀ rẹ̀ láìsí ìpalára agbára èròjà. Nínú iṣẹ́ ṣíṣe semiconductor, àwọn ohun èlò tí a fi silicon carbide ṣe ń pèsè ààbò tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé àti ìdúróṣinṣin iṣẹ́ láàrín àwọn ohun èlò tí a lò nínú àwọn ilana MOCVD.

Àwọn Ọ̀nà Wọ́pọ̀ fún Ìpèsè Àwọ̀ Silikoni Carbide

Ⅰ● Ìfipamọ́ Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà (CVD) Àwọ̀ Silikoni Carbide

Nínú ọ̀nà yìí, a máa ń ṣe àwọn ìbòrí SiC nípa gbígbé àwọn ohun èlò tí a fi ṣe àkójọpọ̀ sínú yàrá ìṣiṣẹ́, níbi tí methyltrichlorosilane (MTS) ti ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun àkọ́kọ́. Lábẹ́ àwọn ipò tí a ṣàkóso—nígbà gbogbo 950-1300°C àti ìfúnpá òdì—MTS máa ń jẹrà, a sì máa ń fi silicon carbide sí ojú ilẹ̀. Ìlànà ìbòrí CVD SiC yìí ń rí i dájú pé ìbòrí náà ní ìpele tó wúwo, tí ó sì ní ìfaramọ́ tó dára, tí ó dára fún àwọn ohun èlò tí ó péye nínú àwọn ẹ̀ka semiconductor àti afẹ́fẹ́.

Ⅱ● Ọ̀nà Ìyípadà Ṣáájú (Ìmúdàgba Polymer àti Pyrolysis – PIP)

Ọ̀nà mìíràn tí a fi ń so mọ́ sílíkónì carbide tí ó gbéṣẹ́ ni ọ̀nà ìyípadà ohun èlò ìṣàtúnṣe, èyí tí ó ní nínú rírì àyẹ̀wò tí a ti tọ́jú tẹ́lẹ̀ sínú omi ìṣàtúnṣe seramiki. Lẹ́yìn tí a bá ti fi omi ìfọ́mọ́lẹ̀ sí inú ojò ìfọ́mọ́lẹ̀ náà tí a sì ti fi ìbòrí náà fún un, a ó gbóná àyẹ̀wò náà, èyí tí yóò mú kí ìbòrí sílíkónì carbide bẹ̀rẹ̀ sí í yọ́ nígbà tí ó bá tutù. Ọ̀nà yìí dára fún àwọn èròjà tí ó nílò ìfúnpọ̀ ìbòrí kan náà àti ìdènà ìfàmọ́ra tí ó pọ̀ sí i.

Àwọn Ohun-ìní ti Àwọ̀ Silikoni Carbide

Àwọn ìbòrí tí a fi silikoni carbide ṣe ní àwọn ànímọ́ tí ó mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò ilé-iṣẹ́ tí ó gba agbára púpọ̀. Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí ní:

Ìgbékalẹ̀ ooru: 120-270 W/m·K
Ìwọ̀n Ìfàsẹ́yìn Ooru: 4.3 × 10^^(-6)/K (ni 20~800℃)
Agbara Iduroṣinṣin Itanna: 10^⁵– 10^⁶Ω·cm
Líle: Ìwọ̀n Mohs 9

Awọn Lilo ti Aṣọ Silikoni Carbide

Nínú iṣẹ́ àgbékalẹ̀ semiconductor, ìbòrí silicon carbide fún MOCVD àti àwọn iṣẹ́ ìgbóná-òtútù mìíràn ń dáàbò bo àwọn ohun èlò pàtàkì, bí àwọn reactors àti susceptors, nípa fífúnni ní resistance àti ìdúróṣinṣin iwọn otutu gíga. Nínú afẹ́fẹ́ àti ààbò, a ń lo àwọn ìbòrí silicon carbide seramiki sí àwọn èròjà tí ó gbọ́dọ̀ kojú àwọn ipa iyara gíga àti àyíká ìbàjẹ́. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, a tún lè lo àwọ̀ silicon carbide tàbí ìbòrí lórí àwọn ẹ̀rọ ìṣègùn tí ó nílò agbára ìdúróṣinṣin lábẹ́ àwọn ìlànà ìpara.

Kí nìdí tí a fi yan àwọ̀ Silikoni Carbide?

Pẹ̀lú àkọsílẹ̀ tó dájú nípa bí àwọn ohun èlò ṣe ń pẹ́ sí i, àwọn ìbòrí silicon carbide ń fúnni ní agbára àti ìdúróṣinṣin òtútù tó pọ̀, èyí tó mú kí wọ́n jẹ́ èyí tó wúlò fún ìgbà pípẹ́. Nípa yíyan ojú ilẹ̀ silicon carbide tí a fi silicon carbide bo, àwọn ilé iṣẹ́ ń jàǹfààní láti inú ìdínkù owó ìtọ́jú, ìgbẹ́kẹ̀lé ohun èlò tó pọ̀ sí i, àti ìmúṣẹ iṣẹ́ tó dára sí i.

Kí ló dé tí o fi yan agbára VET?

VET ENERGY jẹ́ olùpèsè àti ilé iṣẹ́ tó ń ṣe àwọn ọjà ìbòrí silicon carbide ní orílẹ̀-èdè China. Àwọn ọjà ìbòrí SiC pàtàkì ni silicon carbide seramiki coating heater,Aṣọ CVD Silikoni Carbide ti a fi n bo MOVVD Suscepter, Agbekalẹ Grafiti MOCVD pẹlu Aṣọ CVD SiC, Àwọn Olùgbé Ipìlẹ̀ Graphite tí a Bo SiC, Àpò Graphite tí a fi Silicon Carbide bo fún Semiconductor,Àwọ̀ SiC/Graphite Substrate/Tẹ́ẹ̀tì fún Semiconductor, Apapo erogba-erogba ti a bo CVD SiC. VET ENERGY ti pinnu lati pese imọ-ẹrọ to ti ni ilọsiwaju ati awọn solusan ọja fun ile-iṣẹ semiconductor. A nireti lati di alabaṣiṣẹpọ igba pipẹ rẹ ni Ilu China.