Hvað er kísilkarbíðhúðun?

Kísilkarbíð húðun,Algengt er að nota SiC húðun sem ferlið við að bera lag af kísilkarbíði á yfirborð með aðferðum eins og efnafræðilegri gufuútfellingu (CVD), líkamlegri gufuútfellingu (PVD) eða hitaúðun. Þessi kísilkarbíð keramikhúðun eykur yfirborðseiginleika ýmissa undirlaga með því að veita einstaka slitþol, hitastöðugleika og tæringarvörn. SiC er þekkt fyrir framúrskarandi eðlis- og efnafræðilega eiginleika, þar á meðal hátt bræðslumark (um það bil 2700℃), mikla hörku (Mohs kvarði 9), framúrskarandi tæringar- og oxunarþol og einstaka afhýðingargetu.

Helstu kostir kísilkarbíðhúðunar í iðnaðarnotkun

Vegna þessara eiginleika er kísilkarbíðhúðun mikið notuð á sviðum eins og flug- og geimferðaiðnaði, vopnabúnaði og hálfleiðaravinnslu. Í öfgafullu umhverfi, sérstaklega á bilinu 1800-2000 ℃, sýnir SiC húðun einstakan hitastöðugleika og mótstöðu gegn eyðingu, sem gerir hana tilvalda fyrir notkun við háan hita. Hins vegar skortir kísilkarbíð eitt og sér þann burðarþol sem þarf í mörgum notkunartilfellum, þannig að húðunaraðferðir eru notaðar til að nýta einstaka eiginleika þess án þess að skerða styrk íhluta. Í framleiðslu hálfleiðara veita kísilkarbíðhúðaðar frumefni áreiðanlega vörn og stöðugleika í afköstum innan búnaðar sem notaður er í MOCVD ferlum.

Algengar aðferðir við undirbúning kísilkarbíðhúðunar

Ⅰ● Kísilkarbíðhúðun með efnagufuútfellingu (CVD)

Í þessari aðferð eru SiC húðanir myndaðar með því að setja undirlag í hvarfklefa þar sem metýltríklórsílan (MTS) virkar sem undanfari. Við stýrðar aðstæður — venjulega 950-1300°C og undirþrýsting — brotnar MTS niður og kísillkarbíð sest á yfirborðið. Þessi CVD SiC húðunaraðferð tryggir þétta, einsleita húð með frábæra viðloðun, sem er tilvalin fyrir nákvæmar notkunarmöguleika í hálfleiðurum og geimferðageiranum.

II.● Aðferð við umbreytingu forvera (pólýmer gegndreyping og hitasundrun – PIP)

Önnur áhrifarík aðferð við úðahúðun á kísilkarbíði er aðferðin með forverabreytingu, sem felur í sér að dýfa forvinndu sýninu í keramikforveralausn. Eftir að gegndreypingartankurinn hefur verið sogaður og húðunin þrýstist á, er sýnið hitað, sem leiðir til myndunar kísilkarbíðhúðunar við kælingu. Þessi aðferð er vinsæl fyrir íhluti sem þurfa einsleita húðþykkt og aukna slitþol.

Eðliseiginleikar kísilkarbíðhúðunar

Kísilkarbíðhúðun hefur eiginleika sem gera hana tilvalda fyrir krefjandi iðnaðarnotkun. Þessir eiginleikar eru meðal annars:

Varmaleiðni: 120-270 W/m·K
Varmaþenslustuðull: 4,3 × 10^^(-6)/K (við 20~800℃)
Rafviðnám: 10^⁵– 10^⁶Ω·cm
Hörku: Mohs kvarði 9

Notkun kísilkarbíðhúðunar

Í framleiðslu hálfleiðara verndar kísilkarbíðhúðun fyrir MOCVD og önnur háhitaferli mikilvægan búnað, svo sem hvarfa og skynjara, með því að bjóða bæði háhitaþol og stöðugleika. Í geimferðum og varnarmálum eru kísilkarbíð keramikhúðanir notaðar á íhluti sem verða að þola háhraða högg og tærandi umhverfi. Ennfremur er einnig hægt að nota kísilkarbíðmálningu eða húðanir á lækningatæki sem þurfa endingu við sótthreinsunarferli.

Af hverju að velja kísilkarbíðhúðun?

Með sannaðan árangur í að lengja líftíma íhluta veita kísilkarbíðhúðanir óviðjafnanlega endingu og hitastöðugleika, sem gerir þær hagkvæmar til langtímanotkunar. Með því að velja kísilkarbíðhúðað yfirborð njóta iðnaðarframleiðendur góðs af lægri viðhaldskostnaði, aukinni áreiðanleika búnaðar og bættri rekstrarhagkvæmni.

Af hverju að velja VET ENERGY?

VET ENERGY er faglegur framleiðandi og verksmiðja kísilkarbíðhúðunarvara í Kína. Helstu SiC húðunarvörurnar eru meðal annars kísilkarbíð keramikhúðunarhitari,CVD kísilkarbíðhúðun MOCVD skynjari, MOCVD grafítburðarefni með CVD SiC húðun, SiC húðaðir grafítgrunnsburðarefni, Kísilkarbíðhúðað grafít undirlag fyrir hálfleiðara,SiC húðun/húðað grafít undirlag/bakki fyrir hálfleiðara, CVD SiC húðað kolefnis-kolefnis samsett CFC bátamótVET ENERGY hefur skuldbundið sig til að veita háþróaða tækni og vörulausnir fyrir hálfleiðaraiðnaðinn. Við vonumst innilega til að verða langtíma samstarfsaðili þinn í Kína.