Recentibus annis, usus materiarum SiC in industria semiconductorum paulatim crevit, praesertim in electronicis potentiae, machinis optoelectronicis et apparatu altae frequentiae, ubi usus earum latius diffusus factus est. SiC, propter duritiam altissimam, stabilitatem thermalem excellentem et proprietates electricas bonas, alternativa magni momenti materiis siliconis (Si) in industria factus est. Attamen, ad productionem efficientem et altae qualitatis machinarum SiC perficiendam, praeter requisita severa pro processu fabricationis laminarum SiC, technologia sustentationis laminarum neglegi non potest. In hoc processu, munus Sustentatoris Laminarum SiC peculiariter magni momenti fit.
A Tenaculum Laminae SiCInstrumentum est ad laminas SiC sustentandas et figendas specialiter designatum. Laminae per multiplices processus in fabricatione semiconductorum transire debent, inter quos depositio vaporis chemici (CVD), depositio pelliculae tenuis, photolithographia, corrosio, etc. Omnes hi processus positionem accuratam et stabilem sustentationem laminarum requirunt. Sustentator Laminarum SiC accurate designatus est ad stabilem sustentationem praebendam, curans ne laminae moveantur, flectantur aut deformentur per hos processus. Propter duritiem altissimam et resistentiam altae temperaturae materiae SiC, sustentatores Laminarum SiC plerumque ex materiis cum alta resistentia temperaturae et resistentia corrosionis fiunt, et bonam conductivitatem thermalem et stabilitatem chemicam habere debent.
In processu fabricationis semiconductorum, laminae SiC plerumque in ambitu altae temperaturae et altae pressionis tractandae sunt. Sub his condicionibus processus, laminae obnoxiae sunt impactibus physicis externis, expansioni thermali, aliisque factoribus, quae ad deformationem, scalpturam, vel contaminationem laminarum ducunt. Munus Sustentoris Laminarum SiC est praecise haec problemata impedire, vim sustentationis validam et stabilem praebendo.
Applicatio
- CVD (Depositio Vaporis Chemici): In processu CVD, praecisam positionem pro crustulo praebere potest, depositionem uniformem pelliculae in atmosphaera curans.
- Lithographia et Scalptura: Praecisam ordinationem crustulae, vitare formas asymmetricas et dislocatas, et accuratam scalpturae effectum praestare potest.
- PVD: In processibus ut PVD et sputtering, necesse est bonum sustentationem praebere et etiam impetum particularum altae energiae sustinere posse ut stabilem functionem servet.
- Probatio et Involucrum: Dum instrumenta semiconducta probantur et involucrum fiunt, praesertim in probatione instrumentorum altae frequentiae et magnae potentiae, systema subsidii admodum accuratum requiritur.
Tempus publicationis: VIII Augusti, MMXXXV