Соңгы елларда ярымүткәргечләр сәнәгатендә SiC материалларын куллану әкренләп артты, бигрәк тә электр электроникасында, оптоэлектрон җайланмаларда һәм югары ешлыклы җиһазларда, аларны куллану киң тарала башлады. Бик югары катылыгы, җылылык тотрыклылыгы һәм яхшы электр үзлекләре белән SiC сәнәгатьтә кремний (Si) материалларына мөһим альтернативага әйләнде. Ләкин, SiC җайланмаларын нәтиҗәле һәм югары сыйфатлы җитештерүгә ирешү өчен, SiC пластиналарын җитештерү процессына катгый таләпләр куюдан тыш, пластина терәк технологиясен дә игътибарсыз калдырып булмый. Бу процесста SiC пластина тотучысының роле аеруча мөһим була.
A SiC пластина тоткасыSiC пластиналарын тоту һәм беркетү өчен махсус эшләнгән җайланма. Пластиналар ярымүткәргеч җитештерү процессында күп төрле процесслар аша үтәргә тиеш, шул исәптән химик пар белән каплау (CVD), юка пленка белән каплау, фотолитография, гравюра ясау һ.б. Бу процессларның барысы да пластиналарны төгәл урнаштыруны һәм тотрыклы тотуны таләп итә. SiC пластина тотучы төгәл тотрыклы тоту өчен эшләнгән, бу процесслар вакытында пластиналарның күчмәвен, бөгелмәвен яки деформацияләнмәвен тәэмин итә. SiC материалының бик югары катылыгы һәм югары температурага чыдамлыгы аркасында, SiC пластина тотучылар гадәттә югары температурага чыдам һәм коррозиягә чыдам материаллардан ясала, һәм алар яхшы җылылык үткәрүчәнлегенә һәм химик тотрыклылыкка ия булырга тиеш.
Ярымүткәргеч җитештерү процессында SiC пластиналарын гадәттә югары температуралы һәм югары басымлы мохиттә эшкәртергә кирәк. Бу процесс шартларында пластиналар тышкы физик йогынтыларга, җылылык киңәюенә һәм башка факторларга бирешүчән, бу пластиналарның деформациясенә, тырналуына яки пычрануына китерә. SiC пластина тотучысының роле нәкъ менә көчле һәм тотрыклы терәк көче белән тәэмин итү аша бу проблемаларның килеп чыгуын булдырмаудан гыйбарәт.
Кушымта
- CVD (Химик пар утырту): CVD процессында ул пластина өчен төгәл позицияләү ярдәме күрсәтә ала, атмосферада пленканың тигез утыруын тәэмин итә.
- Литография һәм гравюра: Ул пластинаның төгәл тигезләнешен тәэмин итә, офсет һәм асимметрик үрнәкләрдән кача һәм гравюра эффектының төгәллеген гарантияли ала.
- PVD: PVD һәм сиптерү кебек процессларда яхшы ярдәм күрсәтергә, шулай ук тотрыклы эшчәнлекне саклап калу өчен югары энергияле кисәкчәләр йогынтысына түзә белергә кирәк.
- Сынау һәм төрү: Ярымүткәргеч җайланмаларны сынау һәм төрү вакытында, бигрәк тә югары ешлыклы һәм югары куәтле җайланмаларны сынау вакытында, бик төгәл ярдәм системасы кирәк.
Бастырып чыгару вакыты: 2025 елның 8 августы