An de leschte Joren huet d'Uwendung vu SiC-Materialien an der Hallefleederindustrie graduell zougeholl, besonnesch an der Leeschtungselektronik, optoelektroneschen Apparater an Héichfrequenzausrüstung, wou hir Uwendung ëmmer méi verbreet gouf. SiC, mat senger extrem héijer Häert, exzellenter thermescher Stabilitéit a gudden elektreschen Eegeschaften, ass an der Industrie zu enger wichteger Alternativ zu Silizium (Si)-Materialien ginn. Fir awer eng effizient a qualitativ héichwäerteg Produktioun vu SiC-Apparater z'erreechen, kann, nieft de strenge Viraussetzunge fir de Fabrikatiounsprozess vu SiC-Waferen, och d'Wafer-Supporttechnologie net ignoréiert ginn. An dësem Prozess gëtt d'Roll vum SiC-Waferhalter besonnesch wichteg.
A SiC Wafer Halterass en Apparat, deen speziell fir d'Ënnerstëtzung an d'Fixéierung vu SiC-Waferen entwéckelt gouf. Wafere mussen am Hallefleederherstellungsprozess verschidde Prozesser duerchlafen, dorënner chemesch Gasoflagerung (CVD), Dënnschichtoflagerung, Photolithographie, Ätzung, etc. All dës Prozesser erfuerderen eng präzis Positionéierung an eng stabil Ënnerstëtzung vun de Waferen. Den SiC-Waferhalter ass präzis entwéckelt fir eng stabil Ënnerstëtzung ze bidden, sou datt d'Waferen sech während dëse Prozesser net verréckelen, béien oder deforméieren. Wéinst der extrem héijer Häert an der Héichtemperaturbeständegkeet vum SiC-Material sinn SiC-Waferhalter normalerweis aus Materialien mat héijer Temperaturbeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet gemaach a mussen eng gutt Wärmeleitfäegkeet a chemesch Stabilitéit hunn.
Am Prozess vun der Hallefleederherstellung mussen SiC-Waferen normalerweis an enger Ëmfeld mat héijer Temperatur an héijem Drock veraarbecht ginn. Ënner dëse Prozessbedingungen si Waferen ufälleg fir den Afloss vun externen kierperlechen Impakter, thermescher Expansioun an aner Faktoren, wat zu Deformatioun, Kratzer oder Kontaminatioun vun de Waferen féiert. D'Roll vum SiC-Waferhalter ass et genee, dës Problemer ze verhënneren, andeems en eng staark a stabil Ënnerstëtzungskraaft bitt.
Applikatioun
- CVD (Chemesch Dampfoflagerung): Am CVD-Prozess kann et eng präzis Positionéierungsënnerstëtzung fir de Wafer ubidden, wat eng eenheetlech Oflagerung vum Film an der Atmosphär garantéiert.
- Lithographie an Ätzung: Et kann déi präzis Ausriichtung vum Wafer garantéieren, Offset- a asymmetresch Mustere vermeiden an d'Genauegkeet vum Ätzeffekt garantéieren.
- PVD: Bei Prozesser wéi PVD a Sputtering ass et néideg, eng gutt Ënnerstëtzung ze bidden an och dem Impakt vun héichenergetesche Partikelen standzehalen, fir eng stabil Leeschtung ze erhalen.
- Testen a Verpackung: Beim Testen a Verpacken vun Hallefleederkomponenten, besonnesch beim Testen vun Héichfrequenz- an Héichleistungskomponenten, ass e ganz präzist Ënnerstëtzungssystem erfuerderlech.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08.08.2025