Soňky ýyllarda ýarymgeçiriji senagatynda SiC materiallarynyň ulanylyşy, esasanam elektrik elektronikasynda, optoelektron enjamlarda we ýokary ýygylykly enjamlarda kem-kemden artdy, bu ýerde olaryň ulanylyşy barha giň ýaýrady. Örän ýokary gatylygy, ajaýyp termal durnuklylygy we gowy elektrik häsiýetleri bilen SiC senagatda kremniý (Si) materiallaryna möhüm alternatiwa öwrüldi. Şeýle-de bolsa, SiC enjamlarynyň netijeli we ýokary hilli önümçiligini gazanmak üçin, SiC waferleriniň önümçilik prosesine berk talaplaryň bolmagyndan başga-da, wafer goldaw tehnologiýasyny hem gözardy edip bolmaz. Bu prosesde SiC wafer saklaýjysynyň roly has möhüm bolýar.
A SiC Wafer TutujysySiC waferlerini goldamak we berkitmek üçin ýörite döredilen enjamdyr. Waferler ýarymgeçiriji önümçilik prosesinde himiki bug çökündisi (CVD), inçe plýonka çökündisi, fotolitografiýa, aşındyrma we ş.m. ýaly köp sanly proseslerden geçmeli. Bu prosesleriň hemmesi waferleriň takyk ýerleşdirilmegini we durnukly goldawyny talap edýär. SiC wafer saklaýjysy durnukly goldaw bermek üçin takyk döredildi, bu bolsa waferleriň bu proseslerde süýşmezligini, egilmezligini ýa-da deformasiýa bolmazlygyny üpjün edýär. SiC materialynyň örän ýokary gatylygy we ýokary temperatura garşylygy sebäpli, SiC wafer saklaýjylary adatça ýokary temperatura garşylygy we korroziýa garşylygy bolan materiallardan ýasalýar we gowy ýylylyk geçirijiligine we himiki durnuklylygyna eýe bolmaly.
Ýarymgeçirijileri öndürmek prosesinde, SiC waferlerini, adatça, ýokary temperatura we ýokary basyşly gurşawda gaýtadan işlemeli bolýarlar. Bu proses şertlerinde waferler daşarky fiziki täsirleriň, termal giňelmegiň we beýleki faktorlaryň täsirine sezewar bolýarlar, bu bolsa waferleriň deformasiýasyna, dyrnaklanmalaryna ýa-da hapalanmagyna getirýär. SiC wafer saklaýjysynyň wezipesi güýçli we durnukly goldaw güýji bilen üpjün etmek arkaly bu meseleleriň ýüze çykmagynyň öňüni almakdyr.
Programma
- CVD (Himiki bug çökündisi): CVD prosesinde, plyonkanyň atmosferada deň çökündisini üpjün edip, plyonka üçin takyk ýerleşdiriş goldawyny berip biler.
- Litografiýa we Oýmak: Ol waferiň takyk deňleşdirilmegini üpjün edip biler, üýtgeşik we asimmetrik nagyşlardan gaça durup biler we oýmak täsiriniň takyklygyny kepillendirýär.
- PVD: PVD we püskürtme ýaly proseslerde durnukly işlemegi saklamak üçin gowy goldaw bermek we ýokary energiýaly bölejikleriň täsirine çydap bilmek zerurdyr.
- Synag we gaplama: Ýarymgeçiriji enjamlaryň synagdan geçirilmegi we gaplanylmagy wagtynda, esasanam ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly enjamlary synagdan geçirmekde, örän takyk goldaw ulgamy talap edilýär.
Ýerleşdirilen wagty: 2025-nji ýylyň 8-nji awgusty