Pengantar teknologi pengendapan film tipis deposisi uap kimia (CVD).

Chemical Vapor Deposition (CVD) adalah teknologi pengendapan film tipis yang penting, sering digunakan untuk menyiapkan berbagai film fungsional dan material lapisan tipis, dan banyak digunakan dalam manufaktur semikonduktor dan bidang lainnya.

1. Prinsip kerja CVD

Dalam proses CVD, prekursor gas (satu atau lebih senyawa prekursor gas) dikontakkan dengan permukaan substrat dan dipanaskan hingga suhu tertentu untuk menyebabkan reaksi kimia dan mengendap pada permukaan substrat untuk membentuk lapisan atau film yang diinginkan. Produk dari reaksi kimia ini adalah padatan, biasanya senyawa dari material yang diinginkan. Jika kita ingin merekatkan silikon ke permukaan, kita dapat menggunakan triklorosilan (SiHCl3) sebagai gas prekursor: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl. Silikon akan terikat pada permukaan yang terpapar (baik internal maupun eksternal), sementara gas klorin dan asam klorida akan dikeluarkan dari ruang reaksi.

2. Klasifikasi penyakit kardiovaskular

CVD Termal: Dengan memanaskan gas prekursor untuk menguraikannya dan mendepositkannya pada permukaan substrat. CVD yang Ditingkatkan Plasma (PECVD): Plasma ditambahkan ke CVD termal untuk meningkatkan laju reaksi dan mengontrol proses deposisi. CVD Organik Logam (MOCVD): Dengan menggunakan senyawa organik logam sebagai gas prekursor, film tipis logam dan semikonduktor dapat dibuat, dan sering digunakan dalam pembuatan perangkat seperti LED.

3. Aplikasi

(1) Manufaktur semikonduktor

Lapisan silisida: digunakan untuk membuat lapisan isolasi, substrat, lapisan pelindung, dll. Lapisan nitrida: digunakan untuk membuat silikon nitrida, aluminium nitrida, dll., digunakan dalam LED, perangkat daya, dll. Lapisan logam: digunakan untuk membuat lapisan konduktif, lapisan metalisasi, dll.

(2) Teknologi tampilan

Film ITO: Film oksida konduktif transparan, umumnya digunakan pada layar panel datar dan layar sentuh. Film tembaga: digunakan untuk menyiapkan lapisan kemasan, jalur konduktif, dll., untuk meningkatkan kinerja perangkat tampilan.

(3) Bidang lainnya

Lapisan optik: termasuk lapisan anti-reflektif, filter optik, dll. Lapisan anti-korosi: digunakan pada suku cadang otomotif, perangkat kedirgantaraan, dll.

4. Karakteristik proses CVD

Gunakan lingkungan suhu tinggi untuk meningkatkan kecepatan reaksi. Biasanya dilakukan dalam lingkungan vakum. Kontaminan pada permukaan bagian harus dihilangkan sebelum pengecatan. Proses ini mungkin memiliki keterbatasan pada substrat yang dapat dilapisi, misalnya keterbatasan suhu atau keterbatasan reaktivitas. Lapisan CVD akan menutupi semua area bagian, termasuk ulir, lubang buntu, dan permukaan internal. Dapat membatasi kemampuan untuk menutupi area target tertentu. Ketebalan lapisan dibatasi oleh kondisi proses dan material. Daya rekat yang unggul.