Pengenalan kepada teknologi pemendapan filem nipis pemendapan wap kimia (CVD)

Pemendapan Wap Kimia (CVD) merupakan teknologi pemendapan filem nipis yang penting, sering digunakan untuk menyediakan pelbagai filem berfungsi dan bahan lapisan nipis, dan digunakan secara meluas dalam pembuatan semikonduktor dan bidang lain.

1. Prinsip kerja CVD

Dalam proses CVD, prekursor gas (satu atau lebih sebatian prekursor gas) disentuh dengan permukaan substrat dan dipanaskan pada suhu tertentu untuk menyebabkan tindak balas kimia dan mendapan pada permukaan substrat bagi membentuk filem atau salutan yang diingini. Hasil tindak balas kimia ini ialah pepejal, biasanya sebatian bahan yang dikehendaki. Jika kita ingin melekatkan silikon pada permukaan, kita boleh menggunakan triklorosilana (SiHCl3) sebagai gas prekursor: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl Silikon akan mengikat pada mana-mana permukaan yang terdedah (kedua-dua dalaman dan luaran), manakala gas klorin dan asid hidroklorik akan dinyahcas dari ruang.

2. Pengelasan CVD

CVD Terma: Dengan memanaskan gas prekursor untuk mengurai dan memendapkannya pada permukaan substrat. CVD Dipertingkat Plasma (PECVD): Plasma ditambah kepada CVD terma untuk meningkatkan kadar tindak balas dan mengawal proses pemendapan. CVD Organik Logam (MOCVD): Menggunakan sebatian organik logam sebagai gas prekursor, filem nipis logam dan semikonduktor boleh disediakan dan sering digunakan dalam pembuatan peranti seperti LED.

3. Permohonan

(1) Pembuatan semikonduktor

Filem silisida: digunakan untuk menyediakan lapisan penebat, substrat, lapisan pengasingan, dsb. Filem nitrida: digunakan untuk menyediakan silikon nitrida, aluminium nitrida, dsb., digunakan dalam LED, peranti kuasa, dsb. Filem logam: digunakan untuk menyediakan lapisan konduktif, lapisan terlogam, dsb.

(2) Teknologi paparan

Filem ITO: Filem oksida konduktif lutsinar, biasa digunakan dalam paparan panel rata dan skrin sentuh. Filem kuprum: digunakan untuk menyediakan lapisan pembungkusan, talian konduktif, dsb., untuk meningkatkan prestasi peranti paparan.

(3) Bidang lain

Salutan optik: termasuk salutan anti-reflektif, penapis optik, dsb. Salutan anti-karat: digunakan dalam bahagian automotif, peranti aeroangkasa, dsb.

4. Ciri-ciri proses CVD

Gunakan persekitaran suhu tinggi untuk meningkatkan kelajuan tindak balas. Biasanya dilakukan dalam persekitaran vakum. Bahan cemar pada permukaan bahagian mesti dibuang sebelum mengecat. Proses ini mungkin mempunyai batasan pada substrat yang boleh disalut, iaitu batasan suhu atau batasan kereaktifan. Salutan CVD akan meliputi semua kawasan bahagian, termasuk benang, lubang buta dan permukaan dalaman. Mungkin mengehadkan keupayaan untuk menutup kawasan sasaran tertentu. Ketebalan filem dihadkan oleh keadaan proses dan bahan. Lekatan yang unggul.