ဘာကြောင့် ပျော့ပျောင်းဖို့ လိုအပ်တာလဲ။

back-end လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်မှာ၊ဝေဖာ (ဆီလီကွန် ဝေဖာရှေ့ဘက်တွင် ဆားကစ်များပါရှိသည်) နောက်ပိုင်းတွင် အတုံးလေးများဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း၊ ဂဟေဆော်ခြင်းနှင့် ထုပ်ပိုးခြင်းမပြုမီ နောက်ကျောဘက်တွင် ပါးလွှာစေရန် လိုအပ်ပြီး အထုပ်တပ်ဆင်မှုအမြင့်ကို လျှော့ချရန်၊ ချစ်ပ်အထုပ်ပမာဏကို လျှော့ချရန်၊ ချစ်ပ်၏ အပူပျံ့နှံ့မှုထိရောက်မှု၊ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန်နှင့် အတုံးလေးများ လှီးဖြတ်ခြင်းပမာဏကို လျှော့ချရန်ဖြစ်သည်။ Back grinding သည် ထိရောက်မှုမြင့်မားခြင်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးခြင်း၏ အားသာချက်များရှိသည်။ ၎င်းသည် ရိုးရာ wet etching နှင့် ion etching လုပ်ငန်းစဉ်များကို အစားထိုးခဲ့ပြီး အရေးကြီးဆုံး back thinning နည်းပညာဖြစ်လာခဲ့သည်။

ပါးလွှာသော ဝေဖာ

ဘယ်လို ပိန်အောင်လုပ်မလဲ?

ရိုးရာထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် wafer thinning ၏ အဓိကလုပ်ငန်းစဉ်

သီးခြားခြေလှမ်းများဝေဖာပါးလွှာစေခြင်းဆိုသည်မှာ လုပ်ဆောင်မည့် wafer ကို ပါးလွှာသောဖလင်နှင့် ချိတ်ဆက်ပြီးနောက် ဖုန်စုပ်စက်ကို အသုံးပြု၍ ပါးလွှာသောဖလင်နှင့် ၎င်းပေါ်ရှိ ချစ်ပ်ကို porous ceramic wafer စားပွဲသို့ စုပ်ယူရန်၊ ခွက်ပုံသဏ္ဍာန် စိန်ကြိတ်ဘီး၏ အလုပ်လုပ်သောမျက်နှာပြင်၏ အတွင်းနှင့် အပြင် စက်ဝိုင်းပုံလှေအလယ်ဗဟိုမျဉ်းများကို ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏အလယ်ဗဟိုသို့ ချိန်ညှိရန်ဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ဝေဖာနှင့် ကြိတ်ဘီးသည် ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာဝင်ရိုးများပတ်လည်တွင် လည်ပတ်ကာ ဖြတ်တောက်ကြိတ်ခွဲသည်။ ကြိတ်ခွဲခြင်းတွင် အဆင့်သုံးဆင့်ပါဝင်သည်- ကြမ်းတမ်းစွာကြိတ်ခွဲခြင်း၊ အသေးစားကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ඔප දැමීම။

ဝေဖာစက်ရုံမှထွက်လာသော ဝေဖာကို ထုပ်ပိုးရန်အတွက် လိုအပ်သော အထူအထိ ဝေဖာကို ပါးလွှာစေရန် နောက်ပြန်ကြိတ်သည်။ ဝေဖာကို ကြိတ်သောအခါ ဆားကစ်ဧရိယာကို ကာကွယ်ရန် ရှေ့ဘက် (Active Area) တွင် တိပ်ကပ်ရန် လိုအပ်ပြီး တစ်ချိန်တည်းတွင် နောက်ဘက်ကို ကြိတ်သည်။ ကြိတ်ပြီးနောက် တိပ်ကို ဖယ်ရှားပြီး အထူကို တိုင်းတာပါ။
ဆီလီကွန်ဝေဖာပြင်ဆင်မှုတွင် အောင်မြင်စွာအသုံးချခဲ့သော ကြိတ်ခွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် လည်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခွဲခြင်း ပါဝင်သည်။ဆီလီကွန် ဝေဖာလည်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ နှစ်ဖက်ကြိတ်ခွဲခြင်း စသည်တို့။ single crystal silicon wafers များ၏ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး လိုအပ်ချက်များ ပိုမိုတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ TAIKO ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ဓာတုဗေဒစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ඔප දැමීමීමීමနှင့် ဂြိုဟ်ပြားကြိတ်ခွဲခြင်းကဲ့သို့သော ကြိတ်ခွဲနည်းပညာအသစ်များကို အဆက်မပြတ် အဆိုပြုလာကြသည်။

လည်ပတ်စားပွဲဖြင့် ကြိတ်ခွဲခြင်း-

လည်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခြင်း (rotary table grinding) သည် ဆီလီကွန်ဝေဖာပြင်ဆင်ခြင်းနှင့် နောက်ကျောပါးလွှာစေခြင်းတွင် အသုံးပြုသော အစောပိုင်းကြိတ်ခွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မူကို ပုံ ၁ တွင်ပြထားသည်။ ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို လည်ပတ်စားပွဲ၏ စုပ်ယူခွက်များတွင်တပ်ဆင်ထားပြီး လည်ပတ်စားပွဲမှ တစ်ပြိုင်နက်တည်း မောင်းနှင်လည်ပတ်သည်။ ဆီလီကွန်ဝေဖာများကိုယ်တိုင်က ၎င်းတို့၏ဝင်ရိုးပတ်လည်တွင် မလည်ပတ်ပါ။ ကြိတ်ဘီးကို မြန်နှုန်းမြင့်ဖြင့်လည်ပတ်နေစဉ် ဝင်ရိုးအလိုက် ကျွေးမွေးပြီး ကြိတ်ဘီး၏အချင်းသည် ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏အချင်းထက် ပိုကြီးသည်။ လည်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခြင်း အမျိုးအစားနှစ်မျိုးရှိသည်- မျက်နှာပြားဖြင့်ကြိတ်ခြင်းနှင့် မျက်နှာပြားဖြင့်ကြိတ်ခြင်း။ မျက်နှာပြားဖြင့်ကြိတ်ခြင်းတွင် ကြိတ်ဘီးအကျယ်သည် ဆီလီကွန်ဝေဖာအချင်းထက် ပိုကြီးပြီး ကြိတ်ဘီး spindle သည် ပိုလျှံမှုကို စီမံဆောင်ရွက်သည်အထိ ၎င်း၏ဝင်ရိုးဦးတည်ချက်အတိုင်း အဆက်မပြတ်ညှစ်သွင်းပြီးနောက် ဆီလီကွန်ဝေဖာကို လည်ပတ်စားပွဲ၏ drive အောက်တွင် လှည့်သည်။ မျက်နှာပြားဖြင့်ကြိတ်ခြင်းတွင် ကြိတ်ဘီးသည် ၎င်း၏ဝင်ရိုးဦးတည်ချက်အတိုင်း ညှစ်သွင်းပြီး ဆီလီကွန်ဝေဖာကို လည်ပတ် disk ၏ drive အောက်တွင် အဆက်မပြတ်ညှစ်သွင်းပြီး ကြိတ်ခြင်းကို အပြန်အလှန်ကျွေးမွေးခြင်း (reciprocation) သို့မဟုတ် creep feeding (creep feed) ဖြင့် အပြီးသတ်သည်။

ပုံ ၁၊ လည်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခွဲခြင်း (မျက်နှာတန်းဂျယ်လီ) နိယာမ၏ ပုံကြမ်း

ကြိတ်ခွဲနည်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လှည့်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခွဲခြင်းသည် ဖယ်ရှားမှုနှုန်းမြင့်မားခြင်း၊ မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူခြင်းစသည့် အားသာချက်များရှိသည်။ သို့သော်၊ ကြိတ်ခွဲသည့်နေရာ (တက်ကြွစွာကြိတ်ခွဲခြင်း) B နှင့် ကြိတ်ခွဲသည့်လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဖြတ်တောက်သည့်ထောင့် θ (ကြိတ်ခွဲဘီး၏ အပြင်ဘက်စက်ဝိုင်းနှင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ အပြင်ဘက်စက်ဝိုင်းကြားရှိထောင့်) သည် ကြိတ်ခွဲဘီး၏ ဖြတ်တောက်မှုအနေအထားပြောင်းလဲခြင်းနှင့်အတူ ပြောင်းလဲသွားပြီး မတည်ငြိမ်သောကြိတ်ခွဲအားကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး အကောင်းဆုံးမျက်နှာပြင်တိကျမှု (TTV တန်ဖိုးမြင့်မားခြင်း) ကိုရရှိရန်ခက်ခဲစေပြီး အနားပြိုကျခြင်းနှင့် အနားပြိုကျခြင်းကဲ့သို့သော ချို့ယွင်းချက်များကို အလွယ်တကူဖြစ်ပေါ်စေသည်။ လှည့်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခွဲနည်းပညာကို အဓိကအားဖြင့် 200mm အောက်ရှိ single-crystal silicon wafers များကို လုပ်ဆောင်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ single-crystal silicon wafers များ၏ အရွယ်အစားတိုးလာခြင်းကြောင့် စက်ပစ္စည်း၏ workbench ၏ မျက်နှာပြင်တိကျမှုနှင့် ရွေ့လျားမှုတိကျမှုအတွက် လိုအပ်ချက်များ မြင့်မားလာသောကြောင့် လှည့်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခွဲခြင်းသည် 300mm အထက်ရှိ single-crystal silicon wafers များကို ကြိတ်ခွဲရန် မသင့်တော်ပါ။
ကြိတ်ခွဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက်၊ စီးပွားဖြစ်လေယာဉ်တန်းစီကြိတ်ခွဲသည့်စက်ကိရိယာများသည် များသောအားဖြင့် ဘက်စုံကြိတ်ခွဲဘီးဖွဲ့စည်းပုံကို အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ကြမ်းတမ်းသောကြိတ်ခွဲဘီးတစ်စုံနှင့် အသေးစားကြိတ်ခွဲဘီးတစ်စုံကို စက်ကိရိယာများတွင် တပ်ဆင်ထားပြီး လည်ပတ်စားပွဲသည် ကြမ်းတမ်းသောကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် အသေးစားကြိတ်ခွဲခြင်းကို တစ်လှည့်စီပြီးမြောက်စေရန် စက်ဝိုင်းတစ်ခုကို လှည့်သည်။ ဤစက်ကိရိယာအမျိုးအစားတွင် အမေရိကန် GTI ကုမ္ပဏီ၏ G-500DS ပါဝင်သည်။ (ပုံ ၂)

ပုံ ၂၊ အမေရိကန်ပြည်ထောင်စုရှိ GTI ကုမ္ပဏီ၏ G-500DS လည်ပတ်စားပွဲကြိတ်စက်

ဆီလီကွန်ဝေဖာလည်ပတ်မှုကြိတ်ခွဲခြင်း:

အရွယ်အစားကြီးမားသော ဆီလီကွန်ဝေဖာပြင်ဆင်မှုနှင့် နောက်ကျောပါးလွှာစေသော လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်နှင့် ကောင်းမွန်သော TTV တန်ဖိုးဖြင့် မျက်နှာပြင်တိကျမှုကို ရရှိရန်။ ၁၉၈၈ ခုနှစ်တွင် ဂျပန်ပညာရှင် Matsui သည် ဆီလီကွန်ဝေဖာလှည့်ခြင်း (in-feedinggrinding) နည်းလမ်းကို အဆိုပြုခဲ့သည်။ ၎င်း၏မူကို ပုံ ၃ တွင် ပြသထားသည်။ အလုပ်ခုံပေါ်တွင် စုပ်ယူထားသော single crystal ဆီလီကွန်ဝေဖာနှင့် ခွက်ပုံသဏ္ဍာန် စိန်ကြိတ်ဘီးသည် ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာ ဝင်ရိုးများပတ်လည်တွင် လည်ပတ်ပြီး ကြိတ်ဘီးကို ဝင်ရိုးဦးတည်ချက်အတိုင်း အဆက်မပြတ် ကျွေးသည်။ ၎င်းတို့တွင် ကြိတ်ဘီး၏ အချင်းသည် စီမံထားသော ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ အချင်းထက် ပိုကြီးပြီး ၎င်း၏ လုံးပတ်သည် ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ အလယ်ဗဟိုကို ဖြတ်သန်းသွားသည်။ ကြိတ်အားကို လျှော့ချရန်နှင့် ကြိတ်အပူကို လျှော့ချရန်အတွက်၊ vacuum suction cup ကို များသောအားဖြင့် convex သို့မဟုတ် concave ပုံသဏ္ဍာန်အဖြစ် ဖြတ်တောက်လေ့ရှိသည် သို့မဟုတ် ကြိတ်ဘီး spindle နှင့် suction cup spindle ဝင်ရိုးကြားရှိ ထောင့်ကို ချိန်ညှိပြီး ကြိတ်ဘီးနှင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာကြားတွင် semi-contact grinding ကို သေချာစေသည်။

ပုံ ၃၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာ လည်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်းနိယာမ၏ ပုံကြမ်းပုံ

လှည့်ပတ်စားပွဲကြိတ်ခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဆီလီကွန်ဝေဖာ လှည့်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်းသည် အောက်ပါအားသာချက်များရှိသည်- ① တစ်ကြိမ်တည်း တစ်ခုတည်းကြိတ်ခွဲခြင်းသည် ၃၀၀ မီလီမီတာအထက် အရွယ်အစားကြီးမားသော ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို စီမံဆောင်ရွက်နိုင်သည်။ ② အမှန်တကယ်ကြိတ်ခွဲဧရိယာ B နှင့် ဖြတ်တောက်မှုထောင့် θ သည် တသမတ်တည်းဖြစ်ပြီး ကြိတ်ခွဲအားသည် တည်ငြိမ်သည်။ ③ ကြိတ်ဘီးဝင်ရိုးနှင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာဝင်ရိုးအကြား စောင်းထောင့်ကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် single crystal ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန်ကို တက်ကြွစွာထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန် ပိုမိုကောင်းမွန်သော တိကျမှုကို ရရှိစေနိုင်သည်။ ထို့အပြင် ဆီလီကွန်ဝေဖာ လှည့်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်း၏ ကြိတ်ခွဲဧရိယာနှင့် ဖြတ်တောက်မှုထောင့် θ တို့သည်လည်း အနားသတ်ကြီးသော ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ အထူနှင့် မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးကို အလွယ်တကူ ထောက်လှမ်းထိန်းချုပ်နိုင်ခြင်း၊ ကျစ်လစ်သော ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ၊ လွယ်ကူစွာ ဘက်စုံကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် မြင့်မားသော ကြိတ်ခွဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်တို့ ရှိသည်။
ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက်၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာ လည်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်းမူအပေါ် အခြေခံသည့် စီးပွားဖြစ်ကြိတ်ခွဲသည့်ပစ္စည်းကိရိယာများသည် multi-spindle multi-station ဖွဲ့စည်းပုံကို အသုံးပြုထားပြီး၊ ၎င်းသည် rough grinding နှင့် fine grinding ကို တစ်ကြိမ်တည်းတွင် loading နှင့် unloading ကို အပြီးသတ်နိုင်သည်။ အခြားအရန်ပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် single crystal silicon wafers များကို "dry-in/dry-out" နှင့် "cassette to cassette" မှ အလိုအလျောက်ကြိတ်ခွဲနိုင်သည်။

နှစ်ဖက်ကြိတ်ခြင်း-

ဆီလီကွန်ဝေဖာ လည်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်းသည် ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ အပေါ်နှင့်အောက်မျက်နှာပြင်များကို စီမံဆောင်ရွက်သောအခါ၊ အလုပ်နေရာကို လှန်ပြီး အဆင့်ဆင့်လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပြီး ၎င်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကန့်သတ်ထားသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာ လည်ပတ်ကြိတ်ခွဲခြင်းတွင် မျက်နှာပြင်အမှားကူးယူခြင်း (ကူးယူခြင်း) နှင့် ကြိတ်ခွဲခြင်းအမှတ်အသားများ (ကြိတ်ခွဲခြင်းအမှတ်အသား) ရှိပြီး၊ ပုံ ၄ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ပြီးနောက် single crystal ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ လှိုင်းတွန့်ခြင်းနှင့် ချွန်ထွက်ခြင်းကဲ့သို့သော ချို့ယွင်းချက်များကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားရန် မဖြစ်နိုင်ပါ (multi-saw)။ အထက်ပါချို့ယွင်းချက်များကို ကျော်လွှားရန်အတွက် ၁၉၉၀ ပြည့်လွန်နှစ်များတွင် နှစ်ဖက်ကြိတ်ခွဲခြင်းနည်းပညာ (နှစ်ဖက်ကြိတ်ခွဲခြင်း) ပေါ်ပေါက်လာခဲ့ပြီး ၎င်း၏မူကို ပုံ ၅ တွင် ပြသထားသည်။ နှစ်ဖက်စလုံးတွင် ညီမျှစွာဖြန့်ဝေထားသော ညှပ်များသည် ထိန်းသိမ်းကွင်းရှိ single crystal ဆီလီကွန်ဝေဖာကို ညှပ်ပြီး ရိုလာဖြင့် ဖြည်းဖြည်းချင်း မောင်းနှင်လည်ပတ်သည်။ ခွက်ပုံသဏ္ဍာန် စိန်ကြိတ်ဘီးတစ်စုံသည် single crystal ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ နှစ်ဖက်စလုံးတွင် အတော်လေးတည်ရှိသည်။ လေသယ်ဆောင်သည့် လျှပ်စစ် spindle ဖြင့် မောင်းနှင်ပြီး ၎င်းတို့သည် ဆန့်ကျင်ဘက်ဦးတည်ချက်များတွင် လှည့်ပတ်ပြီး single crystal ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ နှစ်ဖက်ကြိတ်ခွဲခြင်းကို ရရှိရန် axially ကျွေးသည်။ ပုံမှမြင်တွေ့ရသည့်အတိုင်း၊ ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ပြီးနောက် single crystal silicon wafer ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ လှိုင်းတွန့်ခြင်းနှင့် taper များကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားပေးနိုင်သည်။ grinding wheel axis ၏စီစဉ်မှုဦးတည်ချက်အရ၊ double-sided grinding သည် အလျားလိုက်နှင့် ဒေါင်လိုက်ဖြစ်နိုင်သည်။ ၎င်းတို့တွင်၊ horizontal double grinding သည် silicon wafer ၏ dead weight ကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော silicon wafer ပုံပျက်ခြင်း၏ကြိတ်ခွဲမှုအရည်အသွေးအပေါ်သက်ရောက်မှုကို ထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်ပြီး single crystal silicon wafer ၏နှစ်ဖက်စလုံးရှိကြိတ်ခွဲမှုလုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများသည်တူညီကြောင်းသေချာစေရန်လွယ်ကူပြီး ပွတ်တိုက်မှုအမှုန်အမွှားများနှင့် grinding chips များသည် single crystal silicon wafer ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ရှိနေရန်မလွယ်ကူပါ။ ၎င်းသည် နှိုင်းယှဉ်နိုင်သောကြိတ်ခွဲနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

ပုံ ၄၊ "အမှားကူးယူခြင်း" နှင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာလည်ပတ်မှုကြိတ်ခွဲခြင်းတွင် ဟောင်းနွမ်းမှုအမှတ်အသားချို့ယွင်းချက်များ

ပုံ ၅၊ နှစ်ဖက်ကြိတ်ခွဲခြင်းနိယာမ၏ ပုံကြမ်း

ဇယား ၁ တွင် အထက်ဖော်ပြပါ single crystal silicon wafers အမျိုးအစားသုံးမျိုး၏ grinding နှင့် double-sided grinding ကို နှိုင်းယှဉ်ပြထားသည်။ Double-sided grinding ကို 200mm အောက်ရှိ silicon wafer processing အတွက် အဓိကအသုံးပြုပြီး wafer yield မြင့်မားသည်။ fixed abrasive grinding wheel များအသုံးပြုခြင်းကြောင့် single-crystal silicon wafers များကို grinding လုပ်ခြင်းသည် double-sided grinding ထက် မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး ပိုမိုမြင့်မားနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် silicon wafer rotary grinding နှင့် double-sided grinding နှစ်မျိုးလုံးသည် mainstream 300mm silicon wafers များ၏ processing quality လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီနိုင်ပြီး လက်ရှိတွင် အရေးအကြီးဆုံး flattening processing နည်းလမ်းများဖြစ်သည်။ silicon wafer flattening processing နည်းလမ်းကို ရွေးချယ်သောအခါ single-crystal silicon wafer ၏ အချင်းအရွယ်အစား၊ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးနှင့် polishing wafer processing နည်းပညာတို့၏ လိုအပ်ချက်များကို ပြည့်စုံစွာ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။ wafer ၏ back thinning သည် silicon wafer rotary grinding နည်းလမ်းကဲ့သို့သော single-sided processing နည်းလမ်းကိုသာ ရွေးချယ်နိုင်သည်။

ဆီလီကွန်ဝေဖာကြိတ်ခွဲခြင်းတွင် ကြိတ်ခွဲနည်းလမ်းကိုရွေးချယ်ခြင်းအပြင်၊ အပြုသဘောဖိအား၊ ကြိတ်ဘီးအမှုန်အရွယ်အစား၊ ကြိတ်ဘီးစည်းနှောင်မှု၊ ကြိတ်ဘီးအမြန်နှုန်း၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာအမြန်နှုန်း၊ ကြိတ်ခွဲအရည် viscosity နှင့်စီးဆင်းမှုနှုန်းစသည့် ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သောလုပ်ငန်းစဉ် parameters များကိုရွေးချယ်ရန်နှင့် ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သောလုပ်ငန်းစဉ်လမ်းကြောင်းကိုဆုံးဖြတ်ရန်လည်းလိုအပ်သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့်၊ ကြမ်းတမ်းသောကြိတ်ခွဲခြင်း၊ တစ်ဝက်ပြီးအောင်လုပ်ခြင်းကြိတ်ခွဲခြင်း၊ အပြီးသတ်ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ မီးပွားကင်းသောကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် နှေးကွေးသောအနောက်ပြန်ခြင်းတို့ပါဝင်သော အပိုင်းလိုက်ကြိတ်ခွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ မြင့်မားသောလုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်၊ မြင့်မားသောမျက်နှာပြင်ပြားချပ်ချပ်နှင့် မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုနည်းသော single crystal silicon wafers များရရှိရန်အသုံးပြုသည်။