Výrobce čínského grafitu s povlakem SiC, MOCVD epitaxní susceptor

Obrázek epitaxního susceptoru MOCVD s povlakem SiC od čínského výrobce

Stručný popis:

Čistota < 5 ppm
‣ Dobrá uniformita dopingu
‣ Vysoká hustota a přilnavost
‣ Dobrá antikorozní a uhlíková odolnost

‣ Profesionální úpravy
‣ Krátká dodací lhůta
‣ Stabilní dodávky
‣ Kontrola kvality a neustálé zlepšování

Epitaxe GaN na safíru(RGB/Mini/Mikro LED);
Epitaxe GaN na Si substrátu(UVC);
Epitaxe GaN na Si substrátu(Elektronické zařízení);
Epitaxe Si na Si substrátu(Integrovaný obvod);
Epitaxe SiC na SiC substrátu(Substrát);
Epitaxe InP na InP

Pošlete nám e-mail Stáhnout jako PDF

Detaily produktu

Štítky produktů

Nákup vysoce kvalitního MOCVD susceptoru online v Číně

Destička musí projít několika kroky, než je připravena k použití v elektronických zařízeních. Jedním z důležitých procesů je křemíková epitaxe, při které jsou destičky uloženy na grafitových susceptorech. Vlastnosti a kvalita susceptorů mají zásadní vliv na kvalitu epitaxní vrstvy destičky.

Pro fáze depozice tenkých vrstev, jako je epitaxe nebo MOCVD, dodává VET zařízení z ultračistého grafitu používané k podpoře substrátů neboli „waferů“. V jádru procesu jsou tato zařízení, epitaxní susceptory nebo satelitní platformy pro MOCVD, nejprve vystaveny depozičnímu prostředí:

● Vysoká teplota.
● Vysoké vakuum.
● Použití agresivních plynných prekurzorů.
● Nulová kontaminace, absence loupání.
● Odolnost vůči silným kyselinám během čištění

Společnost VET Energy je skutečným výrobcem zakázkových grafitových a karbidových produktů s povlakem pro polovodičový a fotovoltaický průmysl. Náš technický tým pochází z předních domácích výzkumných institucí a může vám poskytnout profesionálnější materiálová řešení.

Neustále vyvíjíme pokročilé procesy, abychom mohli poskytovat ještě pokročilejší materiály, a vyvinuli jsme exkluzivní patentovanou technologii, která umožňuje pevnější spojení mezi povlakem a podkladem a snižuje jeho náchylnost k odlupování.

Vlastnosti našich produktů:

1. Odolnost proti oxidaci za vysokých teplot až do 1700 ℃.
2. Vysoká čistota a tepelná uniformita
3. Vynikající odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.
4. Vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.
5. Delší životnost a větší odolnost

Kardiovaskulární onemocnění (CVD) SiC Základní fyzikální vlastnosti CVD SiCpovlak
Vlastnictví	Typická hodnota
Krystalová struktura	FCC β fáze polykrystalická, převážně orientace (111)
Hustota	3,21 g/cm³
Tvrdost	Tvrdost 2500 Vickers (zatížení 500 g)
Velikost zrna	2~10μm
Chemická čistota	99,99995 %
Tepelná kapacita	640 J·kg^-1·K^-1
Teplota sublimace	2700 ℃
Pevnost v ohybu	415 MPa RT 4bodový
Youngův modul	430 Gpa, ohyb 4pt, 1300℃
Tepelná vodivost	300 W·m^-1·K^-1
Tepelná roztažnost (CTE)	4,5×10^-6K^-1