चीन निर्माता द्वारा निर्मित SiC लेपित ग्रेफाइट MOCVD एपिटैक्सी ससेप्टर

संक्षिप्त वर्णन:

शुद्धता < 5ppm
‣ डोपिंग में अच्छी एकरूपता
‣ उच्च घनत्व और आसंजन
‣ जंगरोधी और कार्बन प्रतिरोधक क्षमता अच्छी है

‣ पेशेवर अनुकूलन
‣ कम नेतृत्व समय
‣ स्थिर आपूर्ति
‣ गुणवत्ता नियंत्रण और निरंतर सुधार

नीलम पर GaN का एपिटैक्सी(आरजीबी/मिनी/माइक्रो एलईडी);
Si सबस्ट्रेट पर GaN का एपिटैक्सी(यूवीसी);
Si सबस्ट्रेट पर GaN का एपिटैक्सी(इलेक्ट्रॉनिक उपकरण);
Si सबस्ट्रेट पर Si का एपिटैक्सी(एकीकृत परिपथ);
SiC सबस्ट्रेट पर SiC का एपिटैक्सी(सब्सट्रेट);
InP पर InP का एपिटैक्सी

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उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

चीन में ऑनलाइन उच्च गुणवत्ता वाले MOCVD ससेप्टर खरीदें

इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग के लिए तैयार होने से पहले एक वेफर को कई चरणों से गुजरना पड़ता है। एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया सिलिकॉन एपिटैक्सी है, जिसमें वेफर्स को ग्रेफाइट ससेप्टर्स पर रखा जाता है। ससेप्टर्स के गुण और गुणवत्ता वेफर की एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालते हैं।

एपिटैक्सी या एमओसीवीडी जैसी पतली फिल्म जमाव प्रक्रियाओं के लिए, वीईटी अति-शुद्ध ग्रेफाइट उपकरण की आपूर्ति करता है जिसका उपयोग सब्सट्रेट या "वेफर्स" को सहारा देने के लिए किया जाता है। प्रक्रिया के मूल में, ये उपकरण, एपिटैक्सी ससेप्टर या एमओसीवीडी के लिए सैटेलाइट प्लेटफॉर्म, पहले जमाव वातावरण के अधीन किए जाते हैं:

● उच्च तापमान।
● उच्च निर्वात।
● आक्रामक गैसीय अग्रदूतों का उपयोग।
● शून्य संदूषण, छिलने की समस्या नहीं।
● सफाई कार्यों के दौरान तीव्र अम्लों के प्रति प्रतिरोधक क्षमता

वीईटी एनर्जी सेमीकंडक्टर और फोटोवोल्टाइक उद्योग के लिए कोटिंग सहित अनुकूलित ग्रेफाइट और सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादों की वास्तविक निर्माता है। हमारी तकनीकी टीम देश के शीर्ष अनुसंधान संस्थानों से आती है और आपको अधिक पेशेवर सामग्री समाधान प्रदान कर सकती है।

हम अधिक उन्नत सामग्री प्रदान करने के लिए लगातार उन्नत प्रक्रियाओं का विकास करते हैं, और हमने एक विशेष पेटेंट तकनीक विकसित की है, जो कोटिंग और सब्सट्रेट के बीच बंधन को अधिक मजबूत और अलग होने की संभावना को कम कर सकती है।

हमारे उत्पादों की विशेषताएं:

1. 1700℃ तक उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध।
2. उच्च शुद्धता और तापीय एकरूपता
3. उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोधक क्षमता।
4. उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।
5. लंबी सेवा अवधि और अधिक टिकाऊ

सीवीडी SiC सीवीडी एसआईसी के बुनियादी भौतिक गुणकलई करना
संपत्ति	विशिष्ट मान
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्यतः (111) अभिविन्यास
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम भार)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
ताप की गुंजाइश	640 जूल·किलोग्राम^-1·के^-1
ऊर्ध्वपातन तापमान	2700℃
आनमनी सार्मथ्य	415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग का मापांक	430 जीपीए 4 प्वाइंट बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता	300W·m^-1·के^-1
तापीय विस्तार (सीटीई)	4.5×10^-6K^-1