चीन निर्माता SiC लेपित ग्रेफाइट MOCVD एपिटैक्सी ससेप्टर

संक्षिप्त वर्णन:

शुद्धता < 5ppm
‣ अच्छी डोपिंग एकरूपता
‣ उच्च घनत्व और आसंजन
‣ अच्छा संक्षारण-रोधी और कार्बन प्रतिरोध

‣ व्यावसायिक अनुकूलन
‣ कम नेतृत्व समय
‣ स्थिर आपूर्ति
‣ गुणवत्ता नियंत्रण और निरंतर सुधार

नीलम पर GaN की एपिटैक्सी(आरजीबी/मिनी/माइक्रो एलईडी);
Si सब्सट्रेट पर GaN की एपिटैक्सी(यूवीसी);
Si सब्सट्रेट पर GaN की एपिटैक्सी(इलेक्ट्रॉनिक उपकरण);
Si सब्सट्रेट पर Si की एपिटैक्सी(एकीकृत परिपथ);
SiC सब्सट्रेट पर SiC की एपिटैक्सी(सब्सट्रेट);
InP पर InP की एपिटैक्सी

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उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

उच्च गुणवत्ता वाले MOCVD ससेप्टर चीन में ऑनलाइन खरीदें

इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग के लिए तैयार होने से पहले एक वेफर को कई चरणों से गुजरना पड़ता है। एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया सिलिकॉन एपिटेक्सी है, जिसमें वेफर्स को ग्रेफाइट ससेप्टर्स पर ले जाया जाता है। ससेप्टर्स के गुण और गुणवत्ता का वेफर की एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता पर महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है।

एपिटैक्सी या MOCVD जैसे पतली फिल्म जमाव चरणों के लिए, VET अल्ट्रा-शुद्ध ग्रेफाइट उपकरण की आपूर्ति करता है जिसका उपयोग सब्सट्रेट या "वेफ़र्स" को सहारा देने के लिए किया जाता है। प्रक्रिया के मूल में, यह उपकरण, एपिटैक्सी ससेप्टर या MOCVD के लिए सैटेलाइट प्लेटफ़ॉर्म, पहले जमाव वातावरण के अधीन होते हैं:

● उच्च तापमान.
● उच्च वैक्यूम.
● आक्रामक गैसीय अग्रदूतों का उपयोग।
● शून्य संदूषण, छीलने की अनुपस्थिति।
● सफाई कार्यों के दौरान मजबूत एसिड के प्रति प्रतिरोध

VET Energy सेमीकंडक्टर और फोटोवोल्टिक उद्योग के लिए कोटिंग के साथ अनुकूलित ग्रेफाइट और सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादों का वास्तविक निर्माता है। हमारी तकनीकी टीम शीर्ष घरेलू अनुसंधान संस्थानों से आती है, जो आपके लिए अधिक पेशेवर सामग्री समाधान प्रदान कर सकती है।

हम अधिक उन्नत सामग्री उपलब्ध कराने के लिए निरंतर उन्नत प्रक्रियाओं का विकास करते रहते हैं, तथा एक विशिष्ट पेटेंट प्रौद्योगिकी पर काम किया है, जो कोटिंग और सब्सट्रेट के बीच के संबंध को अधिक सुदृढ़ बना सकती है तथा इसके अलग होने की संभावना को कम कर सकती है।

हमारे उत्पादों की विशेषताएं:

1. 1700℃ तक उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध।
2. उच्च शुद्धता और तापीय एकरूपता
3. उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मकों।
4. उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।
5. लंबी सेवा जीवन और अधिक टिकाऊ

सीवीडी SiC CVD SiC के मूल भौतिक गुणकलई करना
संपत्ति	विशिष्ट मूल्य
क्रिस्टल की संरचना	एफसीसी β चरण पॉलीक्रिस्टलाइन, मुख्य रूप से (111) अभिविन्यास
घनत्व	3.21 ग्राम/सेमी³
कठोरता	2500 विकर्स कठोरता (500 ग्राम भार)
अनाज आकार	2~10μm
रासायनिक शुद्धता	99.99995%
ताप की गुंजाइश	640 जूल·किग्रा^-1·के^-1
उर्ध्वपातन तापमान	2700℃
आनमनी सार्मथ्य	415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंग मापांक	430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃
ऊष्मीय चालकता	300W·मी^-1·के^-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)	4.5×10^-6K^-1