Кинески произвођач, MOCVD епитаксијални сусцептор са графитним премазом SiC

Кинески произвођач SiC обложен графитом MOCVD епитаксијални сусцептор Истакнута слика

Кратак опис:

Чистоћа < 5ppm
‣ Добра уједначеност допинга
‣ Висока густина и пријањање
‣ Добра отпорност на корозију и угљеник

‣ Професионално прилагођавање
‣ Кратак рок испоруке
‣ Стабилно снабдевање
‣ Контрола квалитета и континуирано побољшање

Епитакса GaN на сафиру(RGB/Мини/Микро ЛЕД);
Епитакса GaN на Si подлози(УВЦ);
Епитакса GaN на Si подлози(Електронски уређај);
Епитакса Si на Si подлози(Интегрисано коло);
Епитакса SiC на SiC подлози(Подлога);
Епитакса InP на InP

Пошаљите нам имејл Преузми као PDF

Детаљи производа

Ознаке производа

Куповина висококвалитетног MOCVD сусцептора онлајн у Кини

Плочица мора да прође кроз неколико корака пре него што буде спремна за употребу у електронским уређајима. Један важан процес је силицијумска епитаксија, у којој се плочице носе на графитним сусцепторима. Особине и квалитет сусцептора имају кључни утицај на квалитет епитаксијалног слоја плочице.

За фазе наношења танких филмова као што су епитаксија или MOCVD, VET испоручује ултрачисту графитну опрему која се користи за подршку подлогама или „пластинама“. У сржи процеса, ова опрема, епитаксијални сусцептори или сателитске платформе за MOCVD, прво се подвргавају окружењу за наношење:

● Висока температура.
● Висок вакуум.
● Употреба агресивних гасовитих прекурсора.
● Нулта контаминација, одсуство љуштења.
● Отпорност на јаке киселине током чишћења

VET Energy је прави произвођач прилагођених графитних и силицијум карбидних производа са премазом за полупроводничку и фотонапонску индустрију. Наш технички тим долази из водећих домаћих истраживачких институција и може вам пружити професионалнија решења за материјале.

Континуирано развијамо напредне процесе како бисмо обезбедили напредније материјале и развили смо ексклузивну патентирану технологију која може учинити везу између премаза и подлоге чвршћом и мање склоном одвајању.

Карактеристике наших производа:

1. Отпорност на оксидацију на високим температурама до 1700 ℃.
2. Висока чистоћа и термичка униформност
3. Одлична отпорност на корозију: киселине, алкалије, соли и органски реагенси.
4. Висока тврдоћа, компактна површина, фине честице.
5. Дужи век трајања и издржљивији

КВБ SiC Основна физичка својства CVD SiC-апремаз
Некретнина	Типична вредност
Кристална структура	FCC β фаза поликристална, углавном (111) оријентација
Густина	3,21 г/цм³
Тврдоћа	Тврдоћа по Викерсу 2500 (оптерећење 500 г)
Величина зрна	2~10μm
Хемијска чистоћа	99,99995%
Топлотни капацитет	640 Ј·кг^-1·К^-1
Температура сублимације	2700℃
Флексибилна чврстоћа	415 MPa RT 4-тачкасти
Јангов модул еластичности	430 Gpa, 4pt, 1300℃
Топлотна проводљивост	300W·m^-1·К^-1
Термичко ширење (CTE)	4,5×10^-6K^-1