Кинески производител SiC обложен графитен MOCVD епитаксиски сусцептор

Кинески производител SiC обложен графитен MOCVD епитакси сусцептор Претставена слика

Краток опис:

Чистота < 5 ppm
‣ Добра униформност на допирање
‣ Висока густина и адхезија
‣ Добра антикорозивна и јаглеродна отпорност

‣ Професионално прилагодување
‣ Кратко време на испорака
‣ Стабилно снабдување
‣ Контрола на квалитетот и континуирано подобрување

Епитаксија на GaN на сафир(RGB/Мини/Микро LED);
Епитаксија на GaN на Si супстрат(UVC);
Епитаксија на GaN на Si супстрат(Електронски уред);
Епитаксија на Si на Si супстрат(Интегрирано коло);
Епитаксија на SiC на SiC супстрат(Супстрат);
Епитаксија на InP на InP

Испратете ни е-пошта Преземи како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

Висококвалитетен MOCVD сусцептор за купување преку интернет во Кина

Плочата треба да помине низ неколку чекори пред да биде подготвена за употреба во електронски уреди. Еден важен процес е силициумската епитаксија, во која плочките се носат на графитни сусцептори. Својствата и квалитетот на сусцепторите имаат клучен ефект врз квалитетот на епитаксијалниот слој на плочата.

За фазите на таложење со тенок филм, како што се епитаксија или MOCVD, VET снабдува ултрачиста графитна опрема што се користи за поддршка на подлоги или „плочки“. Во сржта на процесот, оваа опрема, епитакси сусцептори или сателитски платформи за MOCVD, прво се подложува на средината за таложење:

● Висока температура.
● Висок вакуум.
● Употреба на агресивни гасовити прекурсори.
● Нулта контаминација, отсуство на лупење.
● Отпорност на силни киселини за време на чистењето

VET Energy е вистински производител на производи од графит и силициум карбид по нарачка со облога за полупроводничка и фотоволтаична индустрија. Нашиот технички тим е составен од врвни домашни истражувачки институции, кои можат да ви обезбедат попрофесионални материјални решенија.

Постојано развиваме напредни процеси за да обезбедиме понапредни материјали и развивме ексклузивна патентирана технологија, која може да го направи поврзувањето помеѓу премазот и подлогата поцврсто и помалку подложно на одлепување.

Карактеристики на нашите производи:

1. Отпорност на оксидација на висока температура до 1700℃.
2. Висока чистота и термичка униформност
3. Одлична отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.
4. Висока тврдост, компактна површина, фини честички.
5. Подолг работен век и потрајни

КВБ SiC Основни физички својства на CVD SiCоблога
Имот	Типична вредност
Кристална структура	Поликристална FCC β фаза, главно (111) ориентација
Густина	3,21 g/cm³
Тврдост	2500 Викерсова тврдост (500 g оптоварување)
Големина на зрно	2~10μm
Хемиска чистота	99,99995%
Топлински капацитет	640 J·kg^-1·К^-1
Температура на сублимација	2700℃
Јачина на свиткување	415 MPa RT 4-точка
Јангов модул	430 Gpa 4pt свиткување, 1300℃
Топлинска спроводливост	300W·m^-1·К^-1
Термичка експанзија (CTE)	4,5×10^-6K^-1