China Hiersteller SiC beschichtete Grafit MOCVD Epitaxie Susceptor

China Hiersteller SiC beschichtete Graphit MOCVD Epitaxie-Susceptor Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Rengheet < 5ppm
‣ Gutt Dopinguniformitéit
‣ Héich Dicht an Haftung
‣ Gutt Korrosiouns- a Kuelestoffbeständegkeet

‣ Professionell Personaliséierung
‣ Kuerz Liwwerzäit
‣ Stabil Versuergung
‣ Qualitéitskontroll a kontinuéierlech Verbesserung

Epitaxie vu GaN op Saphir(RGB/Mini/Mikro-LED);
Epitaxie vu GaN op Si-Substrat(UVC);
Epitaxie vu GaN op Si-Substrat(Elektronescht Gerät);
Epitaxie vu Si op Si-Substrat(Integréierte Schaltung);
Epitaxie vu SiC op SiC-Substrat(Substrat);
Epitaxie vun InP op InP

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

Héichqualitativ MOCVD Susceptor online kafen a China

E Wafer muss e puer Schrëtt duerchlafen, ier e prett ass fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. Ee wichtege Prozess ass d'Silizium-Epitaxie, bei där d'Waferen op Graphit-Susceptoren gedroe ginn. D'Eegeschafte an d'Qualitéit vun de Susceptoren hunn en entscheedenden Afloss op d'Qualitéit vun der epitaktischer Schicht vum Wafer.

Fir Dënnschichtoflagerungsphasen, wéi Epitaxie oder MOCVD, liwwert VET ultra-rein Graphit-Ausrüstung, déi benotzt gëtt fir Substrater oder "Waferen" z'ënnerstëtzen. Am Kär vum Prozess ginn dës Ausrüstung, Epitaxiesuszeptoren oder Satellitteplattforme fir de MOCVD, als éischt der Oflagerungsëmfeld ausgesat:

● Héich Temperatur.
● Héichvakuum.
● Benotzung vun aggressiven gasfërmegen Virleefer.
● Null Kontaminatioun, kee Schälen.
● Resistenz géint staark Säure beim Botzprozess

VET Energy ass den aktuellen Hiersteller vu personaliséierte Graphit- a Siliziumkarbidprodukter mat Beschichtung fir d'Hallefleeder- a Photovoltaikindustrie. Eis technesch Equipe kënnt aus de beschten nationale Fuerschungsinstituter a kann Iech méi professionell Materialléisungen ubidden.

Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze liwweren, an hunn eng exklusiv patentéiert Technologie entwéckelt, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofléisen mécht.

Eegeschafte vun eise Produkter:

1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijer Temperatur bis zu 1700 ℃.
2. Héich Rengheet a thermesch Uniformitéit
3. Excellent Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
4. Héich Härkeet, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
5. Méi laang Liewensdauer a méi haltbar

CVD SiC Basis physikalesch Eegeschafte vu CVD SiCBeschichtung
Immobilie	Typesche Wäert
Kristallstruktur	FCC β-Phas polykristallin, haaptsächlech (111) Orientéierung
Dicht	3,21 g/cm³
Häert	2500 Vickers Härkeet (500g Belaaschtung)
Kärengréisst	2~10μm
Chemesch Rengheet	99,99995%
Hëtztkapazitéit	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimatiounstemperatur	2700℃
Biegfestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Young säi Modul	430 Gpa 4pt Bieg, 1300℃
Wärmeleitfäegkeet	300W·m^-1·K^-1
Thermesch Expansioun (CTE)	4,5×10^-6K^-1