כינע פאַבריקאַנט SiC קאָוטאַד גראַפיט MOCVD עפּיטאַקסי סאַסעפּטאָר

כינע פאבריקאנט SiC באדעקטע גראַפיט MOCVD עפּיטאַקסי סאַסעפּטאָר Featured Image

קורצע באַשרייַבונג:

ריינקייט < 5ppm
‣ גוטע דאָפּינג איינהייטלעכקייט
‣ הויכע געדיכטקייט און אַדכיזשאַן
‣ גוטע אַנטי-קעראָוזיוו און טשאַד קעגנשטעל

‣ פּראָפעסיאָנעלע קאַסטאַמייזיישאַן
‣ קורצע צייט פארן אויפלעבן
‣ סטאַבילע צושטעל
‣ קוואַליטעט קאָנטראָל און קעסיידערדיקע פֿאַרבעסערונג

עפּיטאַקסיס פון GaN אויף סאַפייער(RGB/מיני/מיקראָ LED);
עפּיטאַקסיס פון GaN אויף Si סאַבסטראַט(UVC);
עפּיטאַקסיס פון GaN אויף Si סאַבסטראַט(עלעקטראָנישער מיטל);
עפּיטאַקסי פון סי אויף סי סאַבסטראַט(אינטעגרירטע קרייז);
עפּיטאַקסיס פון SiC אויף SiC סאַבסטראַט(סאַבסטראַט);
עפּיטאַקסיס פון InP אויף InP

שיקט אַן אימעיל צו אונדז אראָפּלאָדן ווי PDF

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

הויך קוואַליטעט MOCVD סאַסעפּטאָר קויפן אָנליין אין כינע

א וועיפער דארף אדורך גיין עטלעכע טריט איידער עס איז גרייט פאר באנוץ אין עלעקטראנישע דעווייסעס. איין וויכטיגער פראצעס איז סיליקאן עפיטאקסי, אין וועלכן די וועיפערס ווערן געטראגן אויף גראפיט סוספעקטאָרן. די אייגנשאפטן און קוואַליטעט פון די סוספעקטאָרן האבן א קריטישן עפעקט אויף דער קוואַליטעט פון דער וועיפערס עפיטאקסיאַלער שיכט.

פֿאַר דין-פֿילם דעפּאָזיציע פֿאַזעס ווי עפּיטאַקסי אָדער MOCVD, צושטעלט VET אולטראַ-ריינע גראַפֿיט-עקוויפּמענט געניצט צו שטיצן סאַבסטראַטן אָדער "וועיפֿערס". אין צענטער פֿון דעם פּראָצעס, ווערן די עקוויפּמענט, עפּיטאַקסי סאַסעפּטאָרס אָדער סאַטעליט פּלאַטפֿאָרמעס פֿאַר די MOCVD, ערשט אונטערגעוואָרפֿן צו דער דעפּאָזיציע-סביבה:

● הויכע טעמפּעראַטור.
● הויך וואַקוום.
● באַניץ פון אַגרעסיווע גאַזיקע פאָרגייער.
● נול קאַנטאַמאַניישאַן, אַוועק פון שאָלעכץ.
● קעגנשטעל צו שטאַרקע זויערן בעת רייניקונג אָפּעראַציעס

וועט ענערגיע איז דער עכטער פאַבריקאַנט פון קאַסטאַמייזד גראַפיט און סיליקאָן קאַרבייד פּראָדוקטן מיט קאָוטינג פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר און פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע. אונדזער טעכנישער מאַנשאַפֿט קומט פֿון שפּיץ היגע פאָרשונג אינסטיטוציעס, קענען צושטעלן מער פאַכמאַן מאַטעריאַל סאַלושאַנז פֿאַר איר.

מיר אַנטוויקלען קעסיידער אַוואַנסירטע פּראָצעסן צו צושטעלן מער אַוואַנסירטע מאַטעריאַלן, און האָבן אויסגעאַרבעט אַן עקסקלוסיווע פּאַטענטירטע טעכנאָלאָגיע, וואָס קען מאַכן די פֿאַרבינדונג צווישן דער קאָוטינג און דעם סאַבסטראַט פעסטער און ווייניקער פּראָנע צו אָפּטרעכענונג.

פֿעיִקייטן פֿון אונדזערע פּראָדוקטן:

1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל ביז 1700 ℃.
2. הויך ריינקייט און טערמישע איינהייטלעכקייט
3. אויסגעצייכנט קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַנישע רעאַגענץ.
4. הויכע כאַרדנאַס, קאָמפּאַקט ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
5. לענגערע סערוויס לעבן און מער דוראַבאַל

קאַרדיאָוואַסקולאַרע קרענק (CVD) SiC גרונטלעכע פיזישע אייגנשאפטן פון CVD SiCבאַדעקונג
פאַרמאָג	טיפּישער ווערט
קריסטאַל סטרוקטור	FCC β פאַזע פּאָליקריסטאַלין, הויפּטזעכלעך (111) אָריענטירונג
געדיכטקייט	3.21 ג/קמ³
כאַרטקייט	2500 וויקערס כאַרדנאַס (500 ג מאַסע)
גריין גרייס	2~10μm
כעמישע ריינקייט	99.99995%
היץ קאַפּאַציטעט	640 דזש·ק״ג^-1·ק^-1
סובלימאַציע טעמפּעראַטור	2700℃
בייגונג שטאַרקייט	415 MPa RT 4-פונקט
יונגס מאָדולוס	430 Gpa 4pt בייגן, 1300℃
טערמישע קאַנדאַקטיוויטי	300 וואט·מ^-1·ק^-1
טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE)	4.5×10^-6K^-1