Sina Fabrikant SiC Coated Graphite MOCVD Epitaxy Susceptor

Koarte beskriuwing:

Suverens < 5ppm
‣ Goede dopinguniformiteit
‣ Hege tichtheid en adhesion
‣ Goede anty-korrosje en koalstofresistinsje

‣ Profesjonele oanpassing
‣ Koarte levertiid
‣ Stabile oanfier
‣ Kwaliteitskontrôle en trochgeande ferbettering

Epitaksy fan GaN op Sapphire(RGB/Mini/Mikro LED);
Epitaksy fan GaN op Si-substraat(UVC);
Epitaksy fan GaN op Si-substraat(Elektronysk apparaat);
Epitaksy fan Si op Si-substraat(Yntegrearre sirkwy);
Epitaksy fan SiC op SiC-substraat(Substraat);
Epitaksy fan InP op InP

Stjoer e-post nei ús Download as PDF

Produktdetail

Produktlabels

Hege kwaliteit MOCVD Susceptor online keapje yn Sina

In wafer moat ferskate stappen trochrinne foardat er klear is foar gebrûk yn elektroanyske apparaten. Ien wichtich proses is silisiumepitaksy, wêrby't de wafers op grafytsusceptors droegen wurde. De eigenskippen en kwaliteit fan 'e susceptors hawwe in krúsjaal effekt op 'e kwaliteit fan 'e epitaksiale laach fan 'e wafer.

Foar tinne-filmôfsettingsfazen lykas epitaksy of MOCVD leveret VET ultra-suvere grafytapparatuer dy't brûkt wurdt om substraten of "wafers" te stypjen. Yn 'e kearn fan it proses wurde dizze apparatuer, epitaksy-susceptors of satellytplatfoarms foar de MOCVD, earst ûnderwurpen oan 'e ôfsettingsomjouwing:

● Hege temperatuer.
● Heech fakuüm.
● Gebrûk fan agressive gasfoarmige foargongers.
● Gjin fersmoarging, ôfwêzigens fan ôfskilfering.
● Wjerstân tsjin sterke soeren by skjinmeitsjen

VET Energy is de echte fabrikant fan oanpaste grafyt- en silisiumkarbidprodukten mei coating foar de healgeleider- en fotovoltaïsche yndustry. Us technyske team komt fan top ynlânske ûndersyksynstellingen en kin jo mear profesjonele materiaaloplossingen leverje.

Wy ûntwikkelje kontinu avansearre prosessen om mear avansearre materialen te leverjen, en hawwe in eksklusive patintearre technology útwurke, dy't de ferbining tusken de coating en it substraat strakker en minder gefoelich foar loslitting meitsje kin.

Eigenskippen fan ús produkten:

1. Hege temperatuer oksidaasjebestriding oant 1700 ℃.
2. Hege suverens en termyske uniformiteit
3. Uitstekende korrosjebestriding: soer, alkali, sâlt en organyske reagentia.
4. Hege hurdens, kompakt oerflak, fyn dieltsjes.
5. Langere tsjinstlibben en duorsumer

CVD SiC Basis fysike eigenskippen fan CVD SiCbedekking
Besit	Typyske wearde
Kristalstruktuer	FCC β-faze polykristallijn, benammen (111) oriïntaasje
Dichtheid	3,21 g/cm³
Hurdens	2500 Vickers hurdens (500g lading)
Nôtgrutte	2~10μm
Gemyske suverens	99.99995%
Waarmtekapasiteit	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimaasjetemperatuer	2700 ℃
Bûgingssterkte	415 MPa RT 4-punt
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bûging, 1300 ℃
Termyske geliedingsfermogen	300W·m^-1·K^-1
Termyske útwreiding (CTE)	4.5×10^-6K^-1