চায়না ম্যানুফ্যাকচারার SiC কোটেড গ্রাফাইট MOCVD এপিট্যাক্সি সাসসেপ্টর

চীনের প্রস্তুতকারকের SiC প্রলেপযুক্ত গ্রাফাইট MOCVD এপিট্যাক্সি সাসসেপ্টরের বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

বিশুদ্ধতা < 5ppm
‣ ডোপিংয়ের ভালো সমরূপতা
‣ উচ্চ ঘনত্ব এবং আনুগত্য
‣ ভালো ক্ষয়রোধী এবং কার্বন প্রতিরোধ ক্ষমতা

পেশাদার কাস্টমাইজেশন
‣ স্বল্প লিড টাইম
‣ স্থিতিশীল সরবরাহ
‣ গুণমান নিয়ন্ত্রণ এবং ক্রমাগত উন্নতি

স্যাফায়ারের উপর GaN-এর এপিট্যাক্সি(আরজিবি/মিনি/মাইক্রো এলইডি);
Si সাবস্ট্রেটের উপর GaN এর এপিট্যাক্সি(ইউভিসি);
Si সাবস্ট্রেটের উপর GaN এর এপিট্যাক্সি(বৈদ্যুতিক যন্ত্র);
Si সাবস্ট্রেটের উপর Si-এর এপিট্যাক্সি(সমন্বিত বর্তনী);
SiC সাবস্ট্রেটের উপর SiC-এর এপিট্যাক্সি(স্তর);
InP-এর উপর InP-এর এপিট্যাক্সি

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

চীনে অনলাইনে উচ্চ মানের MOCVD সাসসেপ্টর কিনুন

ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহারের জন্য প্রস্তুত হওয়ার আগে একটি ওয়েফারকে বেশ কয়েকটি ধাপ অতিক্রম করতে হয়। এর মধ্যে একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রক্রিয়া হলো সিলিকন এপিট্যাক্সি, যেখানে ওয়েফারগুলোকে গ্রাফাইট সাসসেপ্টরের উপর স্থাপন করা হয়। সাসসেপ্টরগুলোর বৈশিষ্ট্য এবং গুণমান ওয়েফারের এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের গুণমানের উপর অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ প্রভাব ফেলে।

এপিট্যাক্সি বা এমওসিভিডি-র মতো পাতলা ফিল্ম জমার পর্যায়গুলির জন্য, ভিইটি সাবস্ট্রেট বা "ওয়েফার" সাপোর্ট করার জন্য ব্যবহৃত অতি-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট সরঞ্জাম সরবরাহ করে। এই প্রক্রিয়ার মূলে, এই সরঞ্জামগুলি—এপিট্যাক্সি সাসসেপ্টর বা এমওসিভিডি-র জন্য স্যাটেলাইট প্ল্যাটফর্ম—কে প্রথমে জমার পরিবেশের সংস্পর্শে আনা হয়:

● উচ্চ তাপমাত্রা।
● উচ্চ ভ্যাকুয়াম।
● আক্রমণাত্মক গ্যাসীয় পূর্বসূরীর ব্যবহার।
● কোনো দূষণ নেই, খোসা ছাড়ানোর প্রয়োজন নেই।
● পরিষ্কার করার সময় তীব্র অ্যাসিডের বিরুদ্ধে প্রতিরোধ ক্ষমতা

VET এনার্জি হলো সেমিকন্ডাক্টর এবং ফটোভোল্টাইক শিল্পের জন্য কোটিং সহ কাস্টমাইজড গ্রাফাইট এবং সিলিকন কার্বাইড পণ্যের প্রকৃত প্রস্তুতকারক। আমাদের কারিগরি দল দেশের শীর্ষস্থানীয় গবেষণা প্রতিষ্ঠান থেকে এসেছেন এবং আপনাকে আরও পেশাদার উপাদানগত সমাধান প্রদান করতে পারেন।

আরও উন্নত উপকরণ সরবরাহ করার জন্য আমরা ক্রমাগত অত্যাধুনিক প্রক্রিয়া উদ্ভাবন করছি এবং একটি বিশেষ পেটেন্টকৃত প্রযুক্তি তৈরি করেছি, যা কোটিং ও সাবস্ট্রেটের মধ্যকার বন্ধনকে আরও দৃঢ় করে এবং এর বিচ্ছিন্ন হওয়ার প্রবণতা কমিয়ে আনে।

আমাদের পণ্যগুলির বৈশিষ্ট্য:

১. ১৭০০℃ পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা।
২. উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং তাপীয় সমরূপতা
৩. চমৎকার ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।
৪. উচ্চ কাঠিন্য, নিরেট পৃষ্ঠতল, সূক্ষ্ম কণা।
৫. দীর্ঘস্থায়ী এবং অধিক টেকসই

সিভিডি SiC CVD SiC এর মৌলিক ভৌত বৈশিষ্ট্যআবরণ
সম্পত্তি	সাধারণ মান
স্ফটিক কাঠামো	FCC β দশা বহুস্ফটিক, প্রধানত (111) অভিমুখীকরণ
ঘনত্ব	৩.২১ গ্রাম/সেমি³
কঠোরতা	২৫০০ ভিকার্স কাঠিন্য (৫০০ গ্রাম ভার)
শস্যের আকার	২~১০μm
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	৯৯.৯৯৯৯৫%
তাপ ধারণ ক্ষমতা	৬৪০ জুল·কেজি^-1·কে^-1
ঊর্ধ্বপাতন তাপমাত্রা	২৭০০℃
নমনীয় শক্তি	৪১৫ এমপিএ আরটি ৪-পয়েন্ট
ইয়ং-এর মডুলাস	৪৩০ জিপিএ ৪ পয়েন্ট বেন্ড, ১৩০০℃
তাপ পরিবাহিতা	৩০০ ওয়াট·মিটার^-1·কে^-1
তাপীয় প্রসারণ (CTE)	৪.৫×১০^-6K^-1