Prodhuesi kinez i prodhuesit SiC me grafit të veshur MOCVD Epitaksi Susceptor

Imazh i Susceptorit të Epitaksisë MOCVD të Grafitit të Veshur me SiC të Prodhuar nga Kina

Përshkrim i shkurtër:

Pastërtia < 5 ppm
‣ Uniformitet i mirë i dopingut
‣ Dendësi dhe ngjitje e lartë
‣ Rezistencë e mirë ndaj korrozionit dhe karbonit

‣ Personalizim profesional
‣ Kohë e shkurtër e përgatitjes
‣ Furnizim i qëndrueshëm
‣ Kontrolli i cilësisë dhe përmirësimi i vazhdueshëm

Epitaksi e GaN në Safir(RGB/Mini/Mikro LED);
Epitaksi e GaN në substratin Si(UVC);
Epitaksi e GaN në substratin Si(Pajisje Elektronike);
Epitaksi e Si në substratin Si(Qark i integruar);
Epitaksi e SiC në substratin SiC(Substrati);
Epitaksi e InP mbi InP

Na dërgoni email Shkarko si PDF

Detajet e produktit

Etiketat e produkteve

Blerje online e MOCVD Susceptor me cilësi të lartë në Kinë

Një pllakë metalike duhet të kalojë nëpër disa hapa përpara se të jetë gati për përdorim në pajisjet elektronike. Një proces i rëndësishëm është epitaksia e silikonit, në të cilën pllakat metalike mbahen në susceptorë grafiti. Vetitë dhe cilësia e susceptorëve kanë një efekt vendimtar në cilësinë e shtresës epitaksiale të pllakës metalike.

Për fazat e depozitimit të filmit të hollë si epitaksi ose MOCVD, VET furnizon pajisje grafiti ultra të pastër që përdoren për të mbështetur substratet ose "vaferat". Në thelb të procesit, këto pajisje, susceptorët epitaksi ose platformat satelitore për MOCVD, i nënshtrohen së pari mjedisit të depozitimit:

● Temperaturë e lartë.
● Vakum i lartë.
● Përdorimi i pararendësve të gaztë agresivë.
● Zero ndotje, mungesë zhveshjeje.
● Rezistencë ndaj acideve të forta gjatë operacioneve të pastrimit

VET Energy është prodhuesi i vërtetë i produkteve të grafitit dhe karbit të silicit të personalizuara me veshje për industrinë gjysmëpërçuese dhe fotovoltaike. Ekipi ynë teknik vjen nga institucionet kryesore kërkimore vendase, të cilat mund t'ju ofrojnë zgjidhje materiale më profesionale.

Ne zhvillojmë vazhdimisht procese të përparuara për të ofruar materiale më të përparuara dhe kemi përpunuar një teknologji ekskluzive të patentuar, e cila mund ta bëjë lidhjen midis veshjes dhe substratit më të fortë dhe më pak të prirur ndaj shkëputjes.

Karakteristikat e produkteve tona:

1. Rezistencë ndaj oksidimit në temperaturë të lartë deri në 1700℃.
2. Pastërti e lartë dhe uniformitet termik
3. Rezistencë e shkëlqyer ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.
4. Fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imëta.
5. Jetëgjatësi më e gjatë dhe më e qëndrueshme

Sëmundjet kardiovaskulare SiC Vetitë themelore fizike të CVD SiCshtresë
Pronë	Vlerë tipike
Struktura kristalore	Polikristalin i fazës β të FCC, kryesisht me orientim (111)
Dendësia	3.21 g/cm³
Fortësia	Fortësia 2500 Vickers (ngarkesë 500g)
Madhësia e Kokrrave	2~10μm
Pastërtia Kimike	99.99995%
Kapaciteti i nxehtësisë	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura e sublimimit	2700℃
Forca në përkulje	415 MPa RT 4-pikëshe
Moduli i Youngut	430 Gpa 4pt përkulje, 1300℃
Përçueshmëria termike	300W·m^-1·K^-1
Zgjerimi Termik (CTE)	4.5×10^-6K^-1