Kineski proizvođač MOCVD epitaksijskog susceptora obloženog SiC-om

Istaknuta slika epitaksijalnog susceptora MOCVD obloženog grafita od kineskog proizvođača SiC-a

Kratki opis:

Čistoća < 5 ppm
‣ Dobra ujednačenost dopinga
‣ Visoka gustoća i prianjanje
‣ Dobra otpornost na koroziju i ugljik

‣ Profesionalna prilagodba
‣ Kratko vrijeme isporuke
‣ Stabilna opskrba
‣ Kontrola kvalitete i kontinuirano poboljšanje

Epitaksa GaN na safiru(RGB/Mini/Mikro LED);
Epitaksija GaN na Si podlozi(UVC);
Epitaksija GaN na Si podlozi(Elektronički uređaj);
Epitaksa Si na Si podlozi(Integrirani krug);
Epitaksija SiC na SiC podlozi(Supstrat);
Epitaksija InP na InP

Pošaljite nam e-poštu Preuzmi kao PDF

Detalji proizvoda

Oznake proizvoda

Kupnja visokokvalitetnog MOCVD susceptora putem interneta u Kini

Pločica mora proći kroz nekoliko koraka prije nego što je spremna za upotrebu u elektroničkim uređajima. Jedan važan proces je silicijska epitaksija, u kojoj se pločice nose na grafitnim susceptorima. Svojstva i kvaliteta susceptora imaju ključan utjecaj na kvalitetu epitaksijalnog sloja pločice.

Za faze taloženja tankih filmova kao što su epitaksija ili MOCVD, VET isporučuje opremu od ultra čistog grafita koja se koristi za potporu supstrata ili "pločica". U srži procesa, ova oprema, epitaksijski susceptori ili satelitske platforme za MOCVD, prvo se podvrgavaju okruženju taloženja:

● Visoka temperatura.
● Visoki vakuum.
● Korištenje agresivnih plinovitih prekursora.
● Nula kontaminacije, odsutnost ljuštenja.
● Otpornost na jake kiseline tijekom čišćenja

VET Energy je pravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicij-karbida s premazom za poluvodičku i fotonaponsku industriju. Naš tehnički tim dolazi iz vodećih domaćih istraživačkih institucija i može vam pružiti profesionalnija rješenja za materijale.

Neprestano razvijamo napredne procese kako bismo osigurali naprednije materijale te smo razvili ekskluzivnu patentiranu tehnologiju koja može učiniti vezu između premaza i podloge čvršćom i manje sklonom odvajanju.

Karakteristike naših proizvoda:

1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama do 1700 ℃.
2. Visoka čistoća i toplinska ujednačenost
3. Izvrsna otpornost na koroziju: kiseline, lužine, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Dulji vijek trajanja i izdržljiviji

KVB SiC Osnovna fizikalna svojstva CVD SiC-apremazivanje
Nekretnina	Tipična vrijednost
Kristalna struktura	FCC β faza polikristalna, uglavnom (111) orijentacija
Gustoća	3,21 g/cm³
Tvrdoća	Tvrdoća po Vickersu 2500 (opterećenje 500 g)
Veličina zrna	2~10μm
Kemijska čistoća	99,99995%
Toplinski kapacitet	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura sublimacije	2700℃
Fleksibilna čvrstoća	415 MPa RT 4-točkovni
Youngov modul	430 Gpa savijanje od 4 pt, 1300℃
Toplinska vodljivost	300 W·m^-1·K^-1
Toplinsko širenje (CTE)	4,5×10^-6K^-1