የቻይና አምራች SiC ሽፋን ያለው ግራፋይት MOCVD Epitaxy Suscepter

አጭር መግለጫ፡

ንፅህና < 5ppm
‣ ጥሩ የዶፒንግ ወጥነት
‣ ከፍተኛ ጥግግት እና ማጣበቂያ
‣ ጥሩ ፀረ-ዝገት እና የካርቦን መቋቋም

‣ ሙያዊ ማበጀት
‣ አጭር የማቅረቢያ ጊዜ
‣ የተረጋጋ አቅርቦት
‣ የጥራት ቁጥጥር እና ቀጣይነት ያለው ማሻሻያ

በሳፋየር ላይ የ GaN ኤፒታክሲ(RGB/ሚኒ/ማይክሮ LED);
የ GaN ኤፒታክሲ በSi ንኡስ ክፍል ላይ(UVC);
የ GaN ኤፒታክሲ በSi ንኡስ ክፍል ላይ(ኤሌክትሮኒክ መሣሪያ);
በሲ ንኡስ ምህዋር ላይ የሲ ኤፒታክሲ(የተቀናጀ ዑደት);
በሲሲ ንጣፎች ላይ የSiC ኤፒታክሲ(ንዑስ ክፍል);
የኢንፒ ኢፒታክሲ በኢንፒ ላይ

ኢሜይል ይላኩልን እንደ ፒዲኤፍ ያውርዱ

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

በቻይና ውስጥ ከፍተኛ ጥራት ያለው የ MOCVD ሱሴፕተር በመስመር ላይ መግዛት

አንድ ዋፈር በኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ውስጥ ለመጠቀም ዝግጁ ከመሆኑ በፊት በርካታ ደረጃዎችን ማለፍ አለበት። አንድ አስፈላጊ ሂደት ዋፈርዎቹ በግራፋይት ጠባሳዎች ላይ የሚወሰዱበት ሲሊኮን ኤፒታክሲ ነው። የሱሰሰቶቹ ባህሪያት እና ጥራት በዋፈር ኤፒታክሲያል ንብርብር ጥራት ላይ ወሳኝ ተጽዕኖ ያሳድራሉ።

እንደ ኤፒታክሲ ወይም MOCVD ላሉ ቀጭን የፊልም ማስቀመጫ ደረጃዎች፣ VET ንጣፎችን ወይም "ዋፈርዎችን" ለመደገፍ የሚያገለግሉ እጅግ በጣም ንጹህ የግራፊክ መሳሪያዎችን ያቀርባል። በሂደቱ ዋና ክፍል፣ እነዚህ መሳሪያዎች፣ የኤፒታክሲ ተከላካይ ወይም የ MOCVD የሳተላይት መድረኮች በመጀመሪያ ለማጠራቀሚያ አካባቢ ይጋለጣሉ፡

● ከፍተኛ ሙቀት።
● ከፍተኛ የቫኩም።
● ኃይለኛ የጋዝ ፕሪንሰሮችን መጠቀም።
● ምንም አይነት ብክለት፣ የመላጥ አለመኖር።
● በማጽዳት ስራዎች ወቅት ለጠንካራ አሲዶች መቋቋም

VET Energy ለሴሚኮንዳክተር እና ለፎቶቮልታይክ ኢንዱስትሪ ሽፋን ያላቸው ብጁ የግራፋይት እና የሲሊኮን ካርቦይድ ምርቶች እውነተኛ አምራች ነው። የቴክኒክ ቡድናችን ከከፍተኛ የሀገር ውስጥ የምርምር ተቋማት የመጣ ሲሆን ለእርስዎ የበለጠ ሙያዊ የቁሳቁስ መፍትሄዎችን ሊያቀርብልዎ ይችላል።

የበለጠ የላቁ ቁሳቁሶችን ለማቅረብ የላቁ ሂደቶችን ያለማቋረጥ እናዘጋጃለን፣ እና በሽፋኑ እና በንጣፉ መካከል ያለውን ትስስር የበለጠ ጥብቅ እና ለመለያየት ተጋላጭነትን የሚቀንስ ልዩ የፈጠራ ባለቤትነት ቴክኖሎጂ አዘጋጅተናል።

የምርቶቻችን ባህሪያት፡

1. እስከ 1700℃ ድረስ ከፍተኛ የሙቀት መጠን ያለው ኦክሳይድ መቋቋም።
2. ከፍተኛ ንፅህና እና የሙቀት ተመሳሳይነት
3. እጅግ በጣም ጥሩ የዝገት መቋቋም፡ አሲድ፣ አልካላይ፣ ጨው እና ኦርጋኒክ ሪአጀንቶች።
4. ከፍተኛ ጥንካሬ፣ የታመቀ ወለል፣ ጥቃቅን ቅንጣቶች።
5. ረጅም የአገልግሎት ዘመን እና የበለጠ ዘላቂ

ሲቪዲ SiC የ CVD SiC መሰረታዊ አካላዊ ባህሪያትሽፋን
ንብረት	የተለመደው እሴት
የክሪስታል መዋቅር	የFCC β phase polycrystalline፣ በዋናነት (111) አቀማመጥ
ጥግግት	3.21 ግ/ሴሜ³
ግትርነት	2500 የቪከርስ ጥንካሬ (500 ግራም ጭነት)
የእህል መጠን	2 ~ 10μm
የኬሚካል ንፅህና	99.99995%
የሙቀት አቅም	640 ጄ·ኪ.ግ^-1·ኬ^-1
የሰብሊሜሽን ሙቀት	2700℃
የመተጣጠፍ ጥንካሬ	415 MPa RT 4-ነጥብ
የያንግ ሞዱለስ	430 Gpa 4pt bend፣ 1300℃
የሙቀት ማስተላለፊያ	300 ዋት·ሜ^-1·ኬ^-1
የሙቀት ማስፋፊያ (CTE)	4.5×10^-6K^-1