የቻይና አምራች ሲሲ የተሸፈነ ግራፋይት MOCVD Epitaxy Susceptor

የቻይና አምራች ሲሲ የተሸፈነ ግራፋይት MOCVD ኤፒታክሲ ሱስሴፕተር ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

ንጽህና < 5 ፒ.ኤም
‣ ጥሩ የዶፒንግ ወጥነት
‣ ከፍተኛ ጥንካሬ እና ማጣበቂያ
‣ ጥሩ ፀረ-ተበላሽ እና የካርቦን መቋቋም

‣ ሙያዊ ማበጀት
‣ አጭር ጊዜ
‣ የተረጋጋ አቅርቦት
‣ የጥራት ቁጥጥር እና ቀጣይነት ያለው መሻሻል

በSapphire ላይ የጋኤን ኤፒታክሲ(አርጂቢ / ሚኒ / ማይክሮ LED);
የጋኤን ኤፒታክሲ በሲ Substrate ላይ(UVC);
የጋኤን ኤፒታክሲ በሲ Substrate ላይ(ኤሌክትሮኒክ መሣሪያ);
በSi Substrate ላይ የ Si ኤፒታክሲ(የተዋሃደ ወረዳ);
የ SiC ኤፒታክሲ በ SiC Substrate ላይ(Substrate);
የኢንፒ ኤፒታክሲ በ InP ላይ

ኢሜይል ይላኩልን። እንደ PDF አውርድ

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

ከፍተኛ ጥራት ያለው MOCVD Susceptor በቻይና በመስመር ላይ መግዛት

ለኤሌክትሮኒካዊ መሳሪያዎች ጥቅም ላይ ለመዋል ከመዘጋጀቱ በፊት ዋፈር በበርካታ ደረጃዎች ውስጥ ማለፍ አለበት. አንድ አስፈላጊ ሂደት የሲሊኮን ኤፒታክሲ ነው, በውስጡም ቫውቸር በግራፋይት ጥርጣሬዎች ላይ ይካሄዳል. የተጠርጣሪዎች ባህሪያት እና ጥራት በ wafer's epitaxial layer ጥራት ላይ ወሳኝ ተፅእኖ አላቸው.

እንደ ኤፒታክሲ ወይም MOCVD ላሉ ቀጭን የፊልም ማስቀመጫ ደረጃዎች፣ VET ንፁህ ጥራት ያላቸውን የግራፍ ቴክኒኮችን (ንጥረ-ነገሮችን) ወይም “ዋፈርስ”ን ለመደገፍ ያቀርባል። በሂደቱ እምብርት ላይ፣ እነዚህ መሳሪያዎች፣ ኤፒታክሲስ ሱስሴፕተሮች ወይም የሳተላይት መድረኮች ለMOCVD፣ በመጀመሪያ ለተቀማጭ አካባቢ ተዳርገዋል።

● ከፍተኛ ሙቀት.
● ከፍተኛ ቫክዩም.
● ኃይለኛ የጋዝ ቀዳጆችን መጠቀም።
● ዜሮ መበከል፣ ልጣጭ አለመኖር።
● በጽዳት ስራዎች ወቅት ጠንካራ አሲዶችን መቋቋም

VET ኢነርጂ ለሴሚኮንዳክተር እና ለፎቶቮልታይክ ኢንዱስትሪ ሽፋን ያለው ብጁ ግራፋይት እና የሲሊኮን ካርቦይድ ምርቶች እውነተኛ አምራች ነው። የእኛ የቴክኒክ ቡድን ከከፍተኛ የሀገር ውስጥ የምርምር ተቋማት የመጣ ነው, ለእርስዎ የበለጠ ሙያዊ የቁሳቁስ መፍትሄዎችን ሊያቀርብልዎ ይችላል.

እኛ በቀጣይነት የላቁ ሂደቶችን በማዳበር የላቁ ቁሶችን እናቀርባለን እና ልዩ የፈጠራ ባለቤትነት ያለው ቴክኖሎጂ ሠርተናል፣ይህም በሽፋኑ እና በተቀባዩ መካከል ያለውን ትስስር የበለጠ ጥብቅ እና ለመጥፋት የተጋለጠ ያደርገዋል።

የእኛ ምርቶች ባህሪያት:

1. ከፍተኛ የሙቀት መጠን ኦክሳይድ መቋቋም እስከ 1700 ℃.
2. ከፍተኛ ንፅህና እና የሙቀት ተመሳሳይነት
3. እጅግ በጣም ጥሩ የዝገት መቋቋም: አሲድ, አልካሊ, ጨው እና ኦርጋኒክ reagents.
4. ከፍተኛ ጥንካሬ, የታመቀ ገጽ, ጥቃቅን ቅንጣቶች.
5. ረጅም የአገልግሎት ሕይወት እና የበለጠ ዘላቂ

ሲቪዲ SiC የሲቪዲ ሲሲ መሰረታዊ አካላዊ ባህሪያትሽፋን
ንብረት	የተለመደ እሴት
ክሪስታል መዋቅር	FCC β ደረጃ polycrystalline፣ በዋናነት (111) አቅጣጫ
ጥግግት	3.21 ግ/ሴሜ³
ጥንካሬ	2500 ቪከርስ ጠንካራነት (500 ግ ጭነት)
እህል SiZe	2 ~ 10 ማይክሮን
የኬሚካል ንፅህና	99.99995%
የሙቀት አቅም	640 ኪ.ግ^-1· ኬ^-1
Sublimation የሙቀት	2700 ℃
ተለዋዋጭ ጥንካሬ	415 MPa RT 4-ነጥብ
የወጣት ሞዱሉስ	430 ጂፒኤ 4 ፒት መታጠፍ፣ 1300 ℃
የሙቀት ማስተላለፊያ አሠራር	300 ዋ · ሜትር^-1· ኬ^-1
የሙቀት መስፋፋት (ሲቲኢ)	4.5×10^-6K^-1