چين ٺاهيندڙ SiC ڪوٽيڊ گريفائيٽ MOCVD ايپيٽيڪسي سسپيٽر

مختصر وضاحت:

پاڪائي < 5ppm
‣ سٺي ڊوپنگ هڪجهڙائي
‣ اعلي کثافت ۽ چپکڻ
‣ سٺو اينٽي ڪروسو ۽ ڪاربان مزاحمت

‣ پيشه ورانه ڪسٽمائيزيشن
‣ مختصر ليڊ ٽائيم
‣ مستحڪم فراهمي
‣ معيار تي ضابطو ۽ مسلسل بهتري

نيلم تي GaN جي ايپيٽيڪسي(آر جي بي/مني/مائڪرو ايل اي ڊي)؛
سي سبسٽريٽ تي GaN جي ايپيٽيڪسي(يو وي سي)؛
سي سبسٽريٽ تي GaN جي ايپيٽيڪسي(اليڪٽرانڪ ڊيوائس)؛
سي سبسٽريٽ تي سي جي ايپيٽيڪسي(انٽيگريٽيڊ سرڪٽ)؛
SiC سبسٽريٽ تي SiC جي ايپيٽيڪسي(سبسٽريٽ)؛
InP تي InP جي ايپيٽيڪسي

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائون لوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

چين ۾ اعليٰ معيار جو MOCVD سسپيٽر آن لائن خريد ڪرڻ

اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۾ استعمال لاءِ تيار ٿيڻ کان اڳ هڪ ويفر کي ڪيترن ئي مرحلن مان گذرڻ جي ضرورت آهي. هڪ اهم عمل سلڪون ايپيٽيڪسي آهي، جنهن ۾ ويفرز کي گريفائيٽ سسپيٽرز تي رکيو ويندو آهي. سسپيٽرز جون خاصيتون ۽ معيار ويفر جي ايپيٽيڪسيل پرت جي معيار تي اهم اثر وجهن ٿا.

پتلي فلم جمع ڪرڻ جي مرحلن جهڙوڪ ايپيٽيڪسي يا ايم او سي وي ڊي لاءِ، وي اي ٽي الٽرا پيور گريفائيٽ سامان فراهم ڪري ٿو جيڪو سبسٽريٽ يا "ويفرز" کي سپورٽ ڪرڻ لاءِ استعمال ٿيندو آهي. عمل جي مرڪز ۾، هي سامان، ايپيٽيڪسي سسپيٽر يا ايم او سي وي ڊي لاءِ سيٽلائيٽ پليٽ فارم، پهريان جمع ڪرڻ واري ماحول جي تابع آهن:

● تيز گرمي پد.
● وڏي صفائي.
● جارحاڻي گيسي اڳڪٿين جو استعمال.
● ڪو به آلودگي، ڇلڻ جي غير موجودگي.
● صفائي جي عملن دوران مضبوط تيزابن جي مزاحمت

وي اي ٽي انرجي سيمي ڪنڊڪٽر ۽ فوٽووولٽڪ انڊسٽري لاءِ ڪوٽنگ سان ڪسٽمائيز گريفائٽ ۽ سلڪون ڪاربائيڊ شين جو حقيقي ٺاهيندڙ آهي. اسان جي ٽيڪنيڪل ٽيم اعليٰ گهريلو تحقيقي ادارن مان اچي ٿي، توهان لاءِ وڌيڪ پيشه ورانه مواد حل فراهم ڪري سگهي ٿي.

اسان وڌيڪ جديد مواد مهيا ڪرڻ لاءِ مسلسل جديد عملن کي ترقي ڪريون ٿا، ۽ هڪ خاص پيٽنٽ ٿيل ٽيڪنالاجي تي ڪم ڪيو آهي، جيڪا ڪوٽنگ ۽ سبسٽريٽ جي وچ ۾ بانڊنگ کي وڌيڪ مضبوط ۽ لاتعلقي جو گهٽ خطرو بڻائي سگهي ٿي.

اسان جي شين جون خاصيتون:

1. 1700 ℃ تائين تيز گرمي پد جي آڪسائيڊشن مزاحمت.
2. اعليٰ پاڪائي ۽ حرارتي هڪجهڙائي
3. بهترين سنکنرن جي مزاحمت: تيزاب، الڪلي، لوڻ ۽ نامياتي ريجنٽ.
4. وڏي سختي، ٺوس مٿاڇري، نفيس ذرات.
5. ڊگهي خدمت زندگي ۽ وڌيڪ پائيدار

سي وي ڊي SiC سي وي ڊي سي آءِ سي جون بنيادي جسماني خاصيتونڪوٽنگ
ملڪيت	عام قدر
ڪرسٽل جي جوڙجڪ	ايف سي سي β مرحلو پولي ڪرسٽل لائن، خاص طور تي (111) رخ
کثافت	3.21 گرام/سينٽي ميٽر³
سختي	2500 وِڪرز سختي (500 گرام لوڊ)
اناج جي سائيز	2 ~ 10μm
ڪيميائي پاڪائي	99.99995٪
گرمي جي گنجائش	640 ج·ڪلوگرام^-1· ڪي^-1
ٻاڦڪاري جي درجه حرارت	2700 ℃
لچڪدار طاقت	415 ايم پي اي آر ٽي 4 پوائنٽ
ينگ جو ماڊيولس	430 جي پي اي 4 پوائنٽ موڙ، 1300 ℃
حرارتي چالکائي	300 واٽ · ميٽر^-1· ڪي^-1
حرارتي توسيع (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1