Fabricant chinois de suscepteurs d'épitaxie MOCVD en graphite revêtu de SiC

Image vedette du suscepteur d'épitaxie MOCVD en graphite revêtu de SiC fabriqué en Chine

Brève description :

Pureté < 5 ppm
‣ Bonne uniformité du dopage
‣ Haute densité et adhérence
‣ Bonne résistance à la corrosion et au carbone

‣ Personnalisation professionnelle
‣ Délai de livraison court
‣ Approvisionnement stable
‣ Contrôle qualité et amélioration continue

Épitaxie de GaN sur saphir(RVB/Mini/Micro LED) ;
Épitaxie de GaN sur substrat Si(UVC);
Épitaxie de GaN sur substrat Si(Appareil électronique);
Épitaxie de Si sur substrat de Si(Circuit intégré);
Épitaxie de SiC sur substrat de SiC(Substrat);
Épitaxie d'InP sur InP

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Suscepteur MOCVD de haute qualité, achat en ligne en Chine

Une plaquette doit franchir plusieurs étapes avant d'être prête à être utilisée dans des dispositifs électroniques. L'épitaxie du silicium est un procédé important, qui consiste à déposer les plaquettes sur des suscepteurs en graphite. Les propriétés et la qualité de ces suscepteurs ont un impact crucial sur la qualité de la couche épitaxiale de la plaquette.

Pour les phases de dépôt de couches minces telles que l'épitaxie ou le dépôt mécanique en phase vapeur (MOCVD), VET fournit des équipements en graphite ultra-pur servant de support aux substrats ou « wafers ». Au cœur du procédé, ces équipements, suscepteurs d'épitaxie ou plateformes satellites pour le dépôt mécanique en phase vapeur (MOCVD), sont d'abord soumis à l'environnement de dépôt :

● Haute température.
● Vide poussé.
● Utilisation de précurseurs gazeux agressifs.
● Zéro contamination, absence de pelage.
● Résistance aux acides forts lors des opérations de nettoyage

VET Energy est un fabricant de produits sur mesure en graphite et carbure de silicium avec revêtement pour l'industrie des semi-conducteurs et du photovoltaïque. Notre équipe technique, issue des meilleurs instituts de recherche nationaux, peut vous proposer des solutions de matériaux plus professionnelles.

Nous développons continuellement des procédés avancés pour fournir des matériaux plus avancés et avons mis au point une technologie brevetée exclusive, qui peut rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.

Caractéristiques de nos produits :

1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700℃.
2. Haute pureté et uniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
4. Dureté élevée, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable

maladies cardiovasculaires SiC Propriétés physiques de base du SiC CVDrevêtement
Propriété	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
granulométrie	2 à 10 μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
Température de sublimation	2700℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	430 Gpa 4pt courbé, 1300℃
Conductivité thermique	300 W·m^-1·K^-1
Dilatation thermique (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1