චීන නිෂ්පාදක SiC ආලේපිත ග්‍රැෆයිට් MOCVD එපිටැක්සි සසෙප්ටරය

කෙටි විස්තරය:

සංශුද්ධතාවය < 5ppm
‣ හොඳ මාත්‍රණ ඒකාකාරිත්වය
‣ අධික ඝනත්වය සහ ඇලවීම
‣ හොඳ විඛාදන විරෝධී සහ කාබන් ප්‍රතිරෝධය

‣ වෘත්තීය අභිරුචිකරණය
‣ කෙටි ඉදිරි කාලය
‣ ස්ථාවර සැපයුම
‣ තත්ත්ව පාලනය සහ අඛණ්ඩ වැඩිදියුණු කිරීම

නිල් මැණික් මත GaN හි එපිටැක්සි(RGB/කුඩා/ක්ෂුද්‍ර LED);
Si උපස්ථරය මත GaN හි එපිටැක්සි(UVC);
Si උපස්ථරය මත GaN හි එපිටැක්සි(ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගය);
Si උපස්ථරය මත Si හි එපිටැක්සි(ඒකාබද්ධ පරිපථය);
SiC උපස්ථරය මත SiC හි එපිටැක්සි(උපස්ථරය);
InP මත InP හි එපිටැක්සි

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න PDF ලෙස බාගන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

චීනයේ අන්තර්ජාලය හරහා මිලදී ගන්නා උසස් තත්ත්වයේ MOCVD Susceptor

ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල භාවිතයට සූදානම් වීමට පෙර වේෆරයක් පියවර කිහිපයක් හරහා ගමන් කළ යුතුය. එක් වැදගත් ක්‍රියාවලියක් වන්නේ සිලිකන් එපිටැක්සි වන අතර එහිදී වේෆර් ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර් මත ගෙන යනු ලැබේ. සසෙප්ටර්වල ගුණාංග සහ ගුණාත්මකභාවය වේෆරයේ එපිටැක්සියල් ස්ථරයේ ගුණාත්මකභාවය කෙරෙහි තීරණාත්මක බලපෑමක් ඇති කරයි.

එපිටැක්සි හෝ MOCVD වැනි තුනී පටල තැන්පත් කිරීමේ අදියර සඳහා, VET උපස්ථර හෝ "වේෆර්" සඳහා ආධාරක වන අතිශය පිරිසිදු මිනිරන් උපකරණ සපයයි. ක්‍රියාවලියේ හරය වන මෙම උපකරණ, එපිටැක්සි සසෙප්ටර් හෝ MOCVD සඳහා චන්ද්‍රිකා වේදිකා, පළමුව තැන්පත් පරිසරයට යටත් කරනු ලැබේ:

● අධික උෂ්ණත්වය.
● ඉහළ රික්තකය.
● ආක්‍රමණශීලී වායුමය පූර්වගාමීන් භාවිතය.
● දූෂණය ශුන්‍ය වීම, පීල් කිරීම නොමැති වීම.
● පිරිසිදු කිරීමේ මෙහෙයුම් වලදී ශක්තිමත් අම්ල වලට ප්‍රතිරෝධය

VET Energy යනු අර්ධ සන්නායක සහ ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා කර්මාන්ත සඳහා ආලේපනයක් සහිත අභිරුචිකරණය කළ මිනිරන් සහ සිලිකන් කාබයිඩ් නිෂ්පාදනවල සැබෑ නිෂ්පාදකයා වේ. අපගේ තාක්ෂණික කණ්ඩායම ඉහළම දේශීය පර්යේෂණ ආයතනවලින් පැමිණෙන අතර, ඔබට වඩාත් වෘත්තීය ද්‍රව්‍ය විසඳුම් ලබා දිය හැකිය.

අපි වඩාත් දියුණු ද්‍රව්‍ය සැපයීම සඳහා අඛණ්ඩව දියුණු ක්‍රියාවලීන් සංවර්ධනය කරන අතර, ආලේපනය සහ උපස්ථරය අතර බන්ධනය වඩාත් තද කර වෙන්වීමට ඇති ඉඩකඩ අඩු කළ හැකි සුවිශේෂී පේටන්ට් බලපත්‍රලාභී තාක්ෂණයක් සකස් කර ඇත්තෙමු.

අපගේ නිෂ්පාදනවල විශේෂාංග:

1. 1700℃ දක්වා ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය.
2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය සහ තාප ඒකාකාරිත්වය
3. විශිෂ්ට විඛාදන ප්‍රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්‍රතික්‍රියාකාරක.
4. ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.
5. දිගු සේවා කාලය සහ කල් පවතින බව

සීවීඩී SiC CVD SiC හි මූලික භෞතික ගුණාංගආලේපනය
දේපළ	සාමාන්‍ය අගය
ස්ඵටික ව්‍යුහය	FCC β අදියර බහු ස්ඵටිකරූපී, ප්‍රධාන වශයෙන් (111) දිශානතිය
ඝනත්වය	3.21 g/cm³
දෘඪතාව	2500 Vickers දෘඪතාව (500g බර)
ධාන්‍ය SiZe	2~10μm
රසායනික සංශුද්ධතාවය	99.99995%
තාප ධාරිතාව	640 ජූ·කි.ග්‍රෑ.^-1·කේ^-1
උපසිරැසිකරණ උෂ්ණත්වය	2700℃ උෂ්ණත්වය
නම්‍යශීලී ශක්තිය	415 MPa RT 4-ලක්ෂ්‍යය
යංග්ගේ මොඩියුලස්	430 Gpa 4pt වංගුව, 1300℃
තාප සන්නායකතාවය	300W·මී^-1·කේ^-1
තාප ප්‍රසාරණය (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1