Κίνα Κατασκευαστής SiC με επίστρωση γραφίτη MOCVD Επιταξιακός Υποδοχέας

Σύντομη Περιγραφή:

Καθαρότητα < 5 ppm
‣ Καλή ομοιομορφία πρόσμιξης
‣ Υψηλή πυκνότητα και πρόσφυση
‣ Καλή αντιδιαβρωτική και αντοχή στον άνθρακα

‣ Επαγγελματική προσαρμογή
‣ Σύντομος χρόνος παράδοσης
‣ Σταθερή προσφορά
‣ Έλεγχος ποιότητας και συνεχής βελτίωση

Επιταξία GaN σε ζαφείρι(RGB/Μίνι/Μικρο LED)
Επιταξία GaN σε υπόστρωμα Si(UVC);
Επιταξία GaN σε υπόστρωμα Si(Ηλεκτρονική Συσκευή)
Επιταξία του Si σε υπόστρωμα Si(Ολοκληρωμένο κύκλωμα);
Επιταξία του SiC σε υπόστρωμα SiC(Υπόστρωμα);
Επιταξία του InP σε InP

Στείλτε μας email Λήψη ως PDF

Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Υψηλής ποιότητας MOCVD Susceptor που αγοράζεται online στην Κίνα

Ένα πλακίδιο πρέπει να περάσει από αρκετά βήματα πριν είναι έτοιμο για χρήση σε ηλεκτρονικές συσκευές. Μια σημαντική διαδικασία είναι η επιταξία πυριτίου, κατά την οποία τα πλακίδια μεταφέρονται σε γραφιτικά υποδοχείς. Οι ιδιότητες και η ποιότητα των υποδοχέων έχουν καθοριστική επίδραση στην ποιότητα του επιταξιακού στρώματος του πλακιδίου.

Για φάσεις εναπόθεσης λεπτής μεμβράνης όπως η επιταξία ή η MOCVD, η VET προμηθεύει εξοπλισμό υπερκαθαρού γραφίτη που χρησιμοποιείται για την υποστήριξη υποστρωμάτων ή "γκοφρετών". Στον πυρήνα της διαδικασίας, αυτός ο εξοπλισμός, οι δέκτες επιταξίας ή οι δορυφορικές πλατφόρμες για την MOCVD, υποβάλλονται πρώτα στο περιβάλλον εναπόθεσης:

● Υψηλή θερμοκρασία.
● Υψηλό κενό.
● Χρήση επιθετικών αέριων προδρόμων ουσιών.
● Μηδενική μόλυνση, απουσία ξεφλουδίσματος.
● Αντοχή σε ισχυρά οξέα κατά τη διάρκεια εργασιών καθαρισμού

Η VET Energy είναι ο πραγματικός κατασκευαστής εξατομικευμένων προϊόντων γραφίτη και καρβιδίου του πυριτίου με επικάλυψη για τη βιομηχανία ημιαγωγών και φωτοβολταϊκών. Η τεχνική μας ομάδα προέρχεται από κορυφαία εγχώρια ερευνητικά ιδρύματα και μπορεί να σας προσφέρει πιο επαγγελματικές λύσεις υλικών.

Αναπτύσσουμε συνεχώς προηγμένες διαδικασίες για να παρέχουμε πιο προηγμένα υλικά και έχουμε αναπτύξει μια αποκλειστική, κατοχυρωμένη με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας τεχνολογία, η οποία μπορεί να κάνει τη συγκόλληση μεταξύ της επίστρωσης και του υποστρώματος πιο σφιχτή και λιγότερο επιρρεπή σε αποκόλληση.

Χαρακτηριστικά των προϊόντων μας:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία έως 1700℃.
2. Υψηλή καθαρότητα και θερμική ομοιομορφία
3. Άριστη αντοχή στη διάβρωση: όξινα, αλκαλικά, αλατισμένα και οργανικά αντιδραστήρια.
4. Υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.
5. Μεγαλύτερη διάρκεια ζωής και πιο ανθεκτικός

Καρδιαγγειακά νοσήματα SiC Βασικές φυσικές ιδιότητες του CVD SiCεπένδυση
Ιδιοκτησία	Τυπική τιμή
Κρυσταλλική Δομή	Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως προσανατολισμός (111)
Πυκνότητα	3,21 g/cm³
Σκληρότητα	Σκληρότητα 2500 Vickers (φορτίο 500g)
Μέγεθος κόκκων	2~10μm
Χημική Καθαρότητα	99,99995%
Θερμοχωρητικότητα	640 J·kg^-1·Κ^-1
Θερμοκρασία εξάχνωσης	2700℃
Αντοχή σε κάμψη	415 MPa RT 4 σημείων
Μέτρο ελαστικότητας του Young	430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃
Θερμική αγωγιμότητα	300W·m^-1·Κ^-1
Θερμική διαστολή (CTE)	4,5×10^-6K^-1