ଚୀନ୍ ନିର୍ମାତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ MOCVD ଏପିଟାକ୍ସି ସସେପ୍ଟର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଶୁଦ୍ଧତା < 5ppm
‣ ଭଲ ଡୋପିଂ ସମାନତା
‣ ଉଚ୍ଚ ଘନତ୍ୱ ଏବଂ ଆବଦ୍ଧତା
‣ ଭଲ ଆଣ୍ଟି-କର୍ସିଭ ଏବଂ କାର୍ବନ ପ୍ରତିରୋଧକତା

‣ ବୃତ୍ତିଗତ କଷ୍ଟୋମାଇଜେସନ୍
‣ କମ୍ ସମୟ
‣ ସ୍ଥିର ଯୋଗାଣ
‣ ଗୁଣବତ୍ତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ନିରନ୍ତର ଉନ୍ନତି

ନୀଳମଣି ଉପରେ GaN ର ଏପିଟାକ୍ସି(ଆରଜିବି/ମିନି/ମାଇକ୍ରୋ ଏଲଇଡି);
Si ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ GaN ର ଏପିଟାକ୍ସି(ୟୁଭିସି);
Si ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ GaN ର ଏପିଟାକ୍ସି(ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣ);
Si ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ Siର ଏପିଟାକ୍ସି(ସମିଶ୍ରିତ ସର୍କିଟ୍);
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ SiCର ଏପିଟାକ୍ସି(ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍);
InP ଉପରେ InP ର ଏପିଟାକ୍ସି

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଚୀନରେ ଅନଲାଇନରେ କିଣାଯାଉଥିବା ଉଚ୍ଚମାନର MOCVD ସସପେକ୍ଟର

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବା ପୂର୍ବରୁ ଏକ ୱାଫରକୁ ଅନେକ ପଦକ୍ଷେପ ଦେଇ ଯିବାକୁ ପଡ଼ିଥାଏ। ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ଏପିଟାକ୍ସି, ଯେଉଁଥିରେ ୱାଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସସେପ୍ଟରରେ ବହନ କରାଯାଏ। ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକର ଗୁଣ ଏବଂ ଗୁଣବତ୍ତା ୱାଫରର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରର ଗୁଣବତ୍ତା ଉପରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ।

ଏପିଟାକ୍ସି କିମ୍ବା MOCVD ଭଳି ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଜମା ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପାଇଁ, VET ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କିମ୍ବା "ୱେଫର୍ସ" ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ପ୍ୟୁର୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଉପକରଣ ଯୋଗାଇଥାଏ। ପ୍ରକ୍ରିୟାର ମୂଳରେ, ଏହି ଉପକରଣ, ଏପିଟାକ୍ସି ସସେପ୍ଟର କିମ୍ବା MOCVD ପାଇଁ ସାଟେଲାଇଟ୍ ପ୍ଲାଟଫର୍ମ, ପ୍ରଥମେ ଜମା ପରିବେଶର ଶିକାର ହୋଇଥାଏ:

● ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା।
● ଅଧିକ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ।
● ଆକ୍ରମଣାତ୍ମକ ଗ୍ୟାସୀୟ ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀର ବ୍ୟବହାର।
● କୌଣସି ପ୍ରଦୂଷଣ ନାହିଁ, ଖୋଳାଯିବାର ଅଭାବ।
● ସଫା କରିବା ସମୟରେ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଏସିଡ୍ ପ୍ରତିରୋଧ

VET Energy ହେଉଛି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଫଟୋଭୋଲ୍ଟାଇକ୍ ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ ଆବରଣ ସହିତ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦର ପ୍ରକୃତ ନିର୍ମାତା। ଆମର ବୈଷୟିକ ଦଳ ଶ୍ରେଷ୍ଠ ଘରୋଇ ଗବେଷଣା ପ୍ରତିଷ୍ଠାନରୁ ଆସିଛନ୍ତି, ଆପଣଙ୍କ ପାଇଁ ଅଧିକ ବୃତ୍ତିଗତ ସାମଗ୍ରୀ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବେ।

ଆମେ ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ନିରନ୍ତର ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବିକଶିତ କରୁଛୁ, ଏବଂ ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ପେଟେଣ୍ଟେଡ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଉପରେ କାମ କରିଛୁ, ଯାହା ଆବରଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନକୁ ଅଧିକ କଠିନ କରିପାରିବ ଏବଂ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା କମ୍ କରିପାରିବ।

ଆମ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ:

1. 1700℃ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ।
2. ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ତାପଜ ଏକରୂପତା
3. ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କ୍ଷରଣ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜୈବ ପ୍ରତିକାରକ।
୪. ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା, ସଂକୁଚିତ ପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା।
୫. ଦୀର୍ଘ ସେବା ଜୀବନ ଏବଂ ଅଧିକ ସ୍ଥାୟୀ

ସିଭିଡି SiC CVD SiC ର ମୌଳିକ ଭୌତିକ ଗୁଣଆବରଣ
ସମ୍ପତ୍ତି	ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ
ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ	FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍, ମୁଖ୍ୟତଃ (111) ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶ
ଘନତ୍ୱ	୩.୨୧ ଗ୍ରାମ/ସେମି³
କଠିନତା	୨୫୦୦ ଭିକର୍ସ କଠୋରତା (୫୦୦ଗ୍ରାମ ଲୋଡ୍)
ଗ୍ରେନ୍ ସାଇଜେ	୨~୧୦μମି
ରାସାୟନିକ ବିଶୁଦ୍ଧତା	୯୯.୯୯୯୯୫%
ତାପ କ୍ଷମତା	୬୪୦ ଜେକେଜି^-1·କ^-1
ଉତ୍ତପ୍ତକରଣ ତାପମାତ୍ରା	୨୭୦୦ ℃
ନମନୀୟ ଶକ୍ତି	୪୧୫ MPa RT ୪-ପଏଣ୍ଟ
ୟଙ୍ଗସ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍	୪୩୦ Gpa ୪pt ବେଣ୍ଡ, ୧୩୦୦℃
ତାପଜ ପରିବାହିତା	୩୦୦ୱାଟ·ମି^-1·କ^-1
ତାପଜ ବିସ୍ତାର (CTE)	୪.୫×୧୦^-6K^-1