Susceptor de Epitaxia MOCVD de Grafite Revestido com SiC do Fabricante Chinês

Descrição curta:

Pureza < 5 ppm
‣ Boa uniformidade de dopagem
‣ Alta densidade e adesão
‣ Boa resistência anticorrosiva e ao carbono

‣ Personalização profissional
‣ Prazo de entrega curto
‣ Fornecimento estável
‣ Controle de qualidade e melhoria contínua

Epitaxia de GaN em Safira(RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxia de GaN em substrato de Si(UVC);
Epitaxia de GaN em substrato de Si(Dispositivo Eletrônico);
Epitaxia de Si em substrato de Si(Circuito integrado);
Epitaxia de SiC em substrato de SiC(Substrato);
Epitaxia de InP sobre InP

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Detalhes do produto

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Susceptor MOCVD de alta qualidade para compra online na China

Um wafer precisa passar por várias etapas antes de estar pronto para uso em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício, na qual os wafers são transportados por susceptores de grafite. As propriedades e a qualidade dos susceptores têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial do wafer.

Para fases de deposição de filmes finos, como epitaxia ou MOCVD, a VET fornece equipamentos de grafite ultrapura usados para suportar substratos ou "wafers". No centro do processo, esses equipamentos, susceptores de epitaxia ou plataformas satélites para o MOCVD, são primeiramente submetidos ao ambiente de deposição:

● Alta temperatura.
● Alto vácuo.
● Utilização de precursores gasosos agressivos.
● Contaminação zero, ausência de descamação.
● Resistência a ácidos fortes durante as operações de limpeza

A VET Energy é a verdadeira fabricante de produtos personalizados de grafite e carboneto de silício com revestimento para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. Nossa equipe técnica é formada por instituições de pesquisa nacionais de ponta e pode fornecer soluções de materiais mais profissionais para você.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais avançados e desenvolvemos uma tecnologia patenteada exclusiva, que pode tornar a ligação entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa ao descolamento.

Características dos nossos produtos:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas de até 1700℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e maior durabilidade

DCV SiC Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento
Propriedade	Valor típico
Estrutura Cristalina	Fase β policristalina da FCC, principalmente orientação (111)
Densidade	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza 2500 Vickers (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza Química	99,99995%
Capacidade de calor	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700℃
Resistência à flexão	415 MPa RT 4 pontos
Módulo de Young	430 Gpa 4pt curva, 1300℃
Condutividade térmica	300 W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1