Susceptor de epitaxia MOCVD de grafite revestido com SiC, fabricado na China

Imagem em destaque do receptor de epitaxia MOCVD de grafite revestido com SiC, fabricado na China.

Descrição resumida:

Pureza < 5 ppm
‣ Boa uniformidade de dopagem
‣ Alta densidade e adesão
‣ Boa resistência à corrosão e ao carbono

‣ Personalização profissional
‣ Prazo de entrega curto
‣ Fornecimento estável
‣ Controle de qualidade e melhoria contínua

Epitaxia de GaN em Safira(LED RGB/Mini/Micro);
Epitaxia de GaN em substrato de Si(UVC);
Epitaxia de GaN em substrato de Si(Dispositivo eletrônico);
Epitaxia de Si em substrato de Si(Circuito integrado);
Epitaxia de SiC em substrato de SiC(Substrato);
Epitaxia de InP sobre InP

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Compre Susceptor MOCVD de alta qualidade online na China.

Um wafer precisa passar por diversas etapas antes de estar pronto para uso em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício, na qual os wafers são depositados sobre suportes de grafite. As propriedades e a qualidade dos suportes têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial do wafer.

Para fases de deposição de filmes finos, como epitaxia ou MOCVD, a VET fornece equipamentos de grafite ultrapura usados para suportar substratos ou "wafers". No núcleo do processo, esses equipamentos, susceptores de epitaxia ou plataformas satélite para MOCVD, são primeiramente submetidos ao ambiente de deposição:

● Alta temperatura.
● Alto vácuo.
● Utilização de precursores gasosos agressivos.
● Contaminação zero, ausência de descamação.
● Resistência a ácidos fortes durante operações de limpeza

A VET Energy é uma fabricante de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com revestimento para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. Nossa equipe técnica é formada por profissionais de renomadas instituições de pesquisa nacionais, capazes de oferecer soluções de materiais altamente especializadas.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados e criamos uma tecnologia patenteada exclusiva que torna a adesão entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa a desprendimento.

Características dos nossos produtos:

1. Alta resistência à oxidação em temperaturas de até 1700℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durabilidade

DCV SiC Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento
Propriedade	Valor típico
Estrutura cristalina	Policristalino da fase β FCC, principalmente com orientação (111).
Densidade	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers de 2500 (carga de 500g)
Tamanho do grão	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidade térmica	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimação	2700℃
Resistência à flexão	415 MPa RT 4 pontos
Módulo de Young	430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C
Condutividade térmica	300W·m^-1·K^-1
Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1