高品質のMOCVDサセプターを中国でオンライン購入
ウェーハは、電子デバイスに使用できる状態になるまでに、いくつかの工程を経る必要があります。重要な工程の一つがシリコンエピタキシーで、ウェーハはグラファイトサセプター上に載置されます。サセプターの特性と品質は、ウェーハのエピタキシャル層の品質に決定的な影響を与えます。
VETは、エピタキシーやMOCVDなどの薄膜堆積工程において、基板(「ウェーハ」)を支持するための超高純度グラファイト装置を提供しています。プロセスの核となるこの装置、すなわちエピタキシーサセプターやMOCVD用サテライトプラットフォームは、まず堆積環境にさらされます。
● 高温。
●高真空。
● 攻撃的なガス状前駆物質の使用。
●汚染ゼロ、剥がれ無し。
● 洗浄作業中の強酸に対する耐性
VET Energyは、半導体および太陽光発電産業向けにコーティングを施したカスタマイズされたグラファイトおよびシリコンカーバイド製品の真のメーカーです。当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関出身者で構成されており、より専門的な材料ソリューションを提供できます。
当社は、より高度な材料を提供するために高度なプロセスを継続的に開発しており、コーティングと基材の結合をより強固にし、剥離しにくくする独自の特許技術を開発しました。
当社の製品の特徴:
1. 1700℃までの高温酸化耐性。
2. 高純度と熱均一性
3. 優れた耐腐食性:酸、アルカリ、塩、有機試薬。
4. 硬度が高く、表面が緻密で、粒子が細かい。
5. 長寿命と耐久性の向上
| CVD SiC CVD SiCの基本的な物理的特性コーティング | |
| 財産 | 標準値 |
| 結晶構造 | FCC β相多結晶、主に(111)配向 |
| 密度 | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 | ビッカース硬度2500(荷重500g) |
| 粒度 | 2~10μm |
| 化学純度 | 99.99995% |
| 熱容量 | 640 J·kg-1·K-1 |
| 昇華温度 | 2700℃ |
| 曲げ強度 | 415 MPa RT 4点 |
| ヤング率 | 430 Gpa 4点曲げ、1300℃ |
| 熱伝導率 | 300W·m-1·K-1 |
| 熱膨張(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
弊社の工場へのご訪問を心より歓迎いたします。ぜひ、さらなる話し合いをさせてください。
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