1. Navis Crystallina Graphitica cum Indumento CVD-SiC
Graphitum facile tractatur et in scapham crystallinam unicam per multiplices processus ex uno solo materiae fragmento transformari potest. Cum graphitum materia porosa sit, stratum SiC crassitudinis circiter 100μm in superficie eius sternere debet ne problema particularium ex expositione directa superficiei graphiti variis fabricationibus semiconductorum oriatur. Attamen crassitudo...Obductio CVD-SiCDifficile est moderari, praesertim in quibusdam foraminibus profundis et angulis ubi stratum tenuius esse potest. Propter discrepantiam CTE (coefficientis expansionis thermalis) inter corpus graphitae et pelliculam SiC (25-1400℃, cum media 4.4×10e-6/℃ pro SIC et 7.1×10e-6/℃ pro graphita), pellicula SiC plerumque post aliquot ascensus et descensus temperaturae cadere solet. Cum graphita exposita est, gases vel liquores corrosivi in corpus graphitae porosum intrabunt et difficile erit eos omnino removere, ita ad generationem particularum in processibus altae temperaturae ducunt. Haec navis graphita SiC obducta vilissima est et brevissimam vitam habet, circiter unum annum.
2. Navis Crystallina SiC Recrystallisata cum Tegumento CVD-SiC
Naviculae crystallinae SiC recrystallizatae plerumque formantur primum per sinterationem et processum plurium partium singularium, deinde singulas partes pasta Si ad altas temperaturas coniungendo ut navem crystallinam formet, et denique applicando stratum CVD-SiC (circiter 100µm). Quia recrystallizatio porosa est, particulae etiam in processus semiconductorum sine strato SiC introduci possunt. Praeterea, pasta Si in zona coniungendi non potest eandem temperaturam altam ac materia SiC sustinere. Processus fabricationis huius naviculae crystallinae SiC recrystallizatae cum strato CVD-SiC longissimus est et sumptus altissimus. Comparata cum navicula crystallina graphita SiC obducta, navicula crystallina SiC recrystallizata CVD-SiC obducta nullum problema discrepantiae CTE habet, sed ablutio acida et collisio etiam stratum SiC defluere possunt efficere. Vita eius utilis paulo longior est, circiter duos vel tres annos.
3. Navis Crystallina SiC unius partis sine tegumento CVD
Pro naviculis crystallinis sine obductione CVD, superficies densa esse debet. Duo genera materiarum SiC densis sunt: SiC sinterizatum sine pressione (SSiC) et SiC sinterizatum per reactionem (RBSiC, etiam SiC silicio permeatum, SiSiC appellatum). Attamen, neutrum horum duorum generum SiC in unum unitatem fundi potest sicut quarzum. Non facile est SiC ex pulvere formare et in formam approximatam naviculi crystallini unius partis comburere. Praeterea, SiC valde durum et difficile ad tractandum est, quod ad sumptum tractationis altissimum pro naviculis crystallinis SiC unius partis ducit. Quamquam RBSiC paulo facilius formam approximatam quam SSiC formare potest, tamen valde durum est. Accedit quod RBSC 10 ad 15% Si liberi continet, quod facit ut easdem temperaturas altas ac materiae SSiC sustinere non possit. Generaliter, temperaturas infra 1400°C sustinere potest. Insuper, Si liberum facile ab acido HF corrumpitur, quod ad particulas ducit.
4. Navis Crystallina Modularis Kallex SiC
Partes unitariae per formationem, sinterizationem et trituram, materia SiC sinterizata sine pressione, puritatis 99.675%, tractantur. Deinde cum cochleis, nucibus, etc. SSiC coniunguntur et paxillis SSiC figunt, ut capacitas oneris sustinendi confirmetur. Sine obductione SiC, nullum periculum est laesionis obductionis partialis. Praeterea, diu in condicionibus asperis, ut temperaturis altis (1600℃) et acido HF, adhiberi possunt, cum vita utili plus quam quinque annorum.
Tempus publicationis: XIX Augusti, MMXXXV