1. Va'a Tioata Fa'a-Graphite ma le Ufiufi CVD-SiC
E faigofie ona fa'agasolo le kalafite ma e mafai ona faia i se va'a tioata e tasi le fasi e ala i le tele o faiga mai se mea e tasi le poloka. Talu ai o le kalafite o se mea e pu'upu'u, e tatau ona ufiufi se vaega SiC e tusa ma le 100μm le mafiafia i luga o lona fogaeleele e puipuia ai le fa'afitauli fa'apitoa e mafua mai i le fa'aalia sa'o o le fogaeleele kalafite i le tele o gaosiga semiconductor. Peita'i, o le mafiafia o leUfiufi CVD-SiCE lē faigofie ona pulea, aemaise lava i nisi o pu ma tulimanu loloto e ono manifinifi ai le ufiufi. Ona o le lē fetaui o le CTE (coefficient of thermal expansion) i le va o le tino o le graphite ma le ata SiC (25-1400℃, faatasi ai ma le averesi o le 4.4×10e-6/℃ mo le SIC ma le 7.1×10e-6/℃ mo le graphite), e masani ona pa'ū ese le ata SiC pe a uma ona si'itia ma pa'ū ifo le vevela. A fa'aalia le graphite, o le a ulufale atu kasa po'o vai 'ele'ele i totonu o le tino o le graphite porous ma faigata ona aveese atoa, ma o'o atu ai i le gaosia o ni vaega i faiga e maualuga le vevela. O lenei va'a graphite ua ufiufi i le SiC e sili ona taugofie ma e pu'upu'u lona umi, e tusa ma le tasi le tausaga.
2. Va'a SiC Crystal ua toe fa'afouina ma le CVD-SiC Coating
O va'a tioata SiC ua toe fa'afouina e masani ona fausia e ala i le fa'amama ma le fa'agasoloina muamua o ni vaega se tele, ona fa'apipi'i lea o vaega ta'itasi i le Si paste i le vevela maualuga e fausia ai se va'a tioata, ma mulimuli ane fa'apipi'i se ufiufi CVD-SiC (pe tusa ma le 100um). Talu ai ona o le toe fa'afouina e mafai ona fa'apipi'i, e mafai fo'i ona fa'aofiina ni vaega i totonu o faiga semiconductor e aunoa ma se ufiufi SiC. E le gata i lea, o le Si paste i le sone fa'apipi'i e le mafai ona tatalia le vevela maualuga e pei o le mea SiC. O le faiga gaosiga o lenei va'a tioata SiC ua toe fa'afouina ma le ufiufi CVD-SiC e sili ona umi ma e matua maualuga lava le tau. Pe a fa'atusatusa i le va'a tioata graphite ua ufiufi i le SiC, o le va'a tioata SiC ua toe fa'afouina ua ufiufi i le CVD-SiC e leai se fa'afitauli o le CTE mismatch, ae o le fufuluina o le 'acid' ma le feto'ai e mafai fo'i ona mafua ai ona pa'u'ū le ufiufi SiC. O lona olaga tautua e fai si umi, pe tusa ma le 2 i le 3 tausaga.
3. Va'a SiC Crystal e tasi le vaega e aunoa ma le ufiufi CVD
Mo va'a tioata e leai se ufiufi CVD, e tatau ona mafiafia le laualuga. E lua ituaiga o mea SiC mafiafia: o le SiC sintered e leai se mamafa (SSiC) ma le SiC reaction-sintered (RBSiC, e ta'ua fo'i o le SiC ua fa'ama'a'aina i le silicon, SiSiC). Peita'i, e le mafai ona fa'apipi'i fa'atasi nei ituaiga e lua o le SiC i totonu o le iunite e tasi e pei o le kuata. E le faigofie ona fausia le SiC mai le pauta ma susunuina i se foliga tutusa o se va'a tioata e tasi le fasi. E le gata i lea, e matua faigata ma faigata ona fa'agasolo le SiC, lea e mafua ai ona matua maualuga le tau o le fa'agasologa mo va'a tioata e tasi le fasi SiC. E ui lava e faigofie teisi ona fausia le RBSiC i se foliga tutusa nai lo le SSiC, ae e matua faigata lava. E le gata i lea, o le RBSC e iai le 10 i le 15% o le Si saoloto, lea e le mafai ai ona tatalia le vevela maualuga e pei o mea SSiC. I se tulaga lautele, e mafai ona tatalia le vevela i lalo ifo o le 1400 ° C. E le gata i lea, o le Si saoloto e faigofie ona vaneina e le HF acid, e mafua ai ona i ai ni vaega.
4. Va'a Fa'a-Kallex SiC Modular Crystal
O vaega o le iunite e fa'agasolo e ala i le fausiaina, fa'amama ma oloina e fa'aaoga ai le mea SiC fa'amama e leai se mamafa e 99.675% le mama. Ona tu'ufa'atasia lea ma sikulima SSiC, nati, ma isi mea, ma fa'amau i pine SSiC e fa'amautinoa ai le gafatia e amoina ai avega. A aunoa ma le ufiufi SiC, e leai se lamatiaga o le fa'aleagaina o se vaega o le ufiufi. E le gata i lea, e mafai ona fa'aaogaina mo se taimi umi i siosiomaga faigata, e pei o le vevela maualuga (1600℃) ma le HF acid, ma e sili atu i le lima tausaga le umi e fa'aaoga ai.
Taimi na lafoina ai: Aokuso-19-2025