1. CVD-SiC каплавы белән графит кристалл көймәсе
Графитны эшкәртү җиңел һәм бер блок материалыннан берничә процедура ярдәмендә бер кисәкле кристалл көймә ясарга мөмкин. Графит күзәнәкле материал булганлыктан, графит өслегенең төрле ярымүткәргеч җитештерүгә турыдан-туры тәэсир итүе аркасында килеп чыккан кисәкчәләр проблемасын булдырмас өчен, аның өслегенә якынча 100 мкм калынлыктагы SiC катламы капланырга тиеш. Ләкин, калынлыгыCVD-SiC каплавыконтрольдә тоту җиңел түгел, бигрәк тә кайбер тирән тишекләрдә һәм каплама нечкәрәк булырга мөмкин булган почмакларда. Графит гәүдәсе һәм SiC пленкасы арасындагы CTE (термик киңәю коэффициенты) туры килмәү сәбәпле (25-1400℃, SIC өчен уртача 4,4 × 10e-6/℃ һәм графит өчен 7,1 × 10e-6/℃), SiC пленкасы гадәттә температура берничә тапкыр күтәрелгәннән һәм төшкәннән соң коела. Графит ачык булганда, коррозияле газлар яки сыеклыклар күзәнәкле графит гәүдәсе эченә керә һәм аларны тулысынча чыгару авыр була, шуның белән югары температуралы процессларда кисәкчәләр барлыкка килә. Бу SiC белән капланган графит көймәсе иң арзан һәм иң кыска гомерле, якынча бер ел.
2. CVD-SiC каплавы белән яңадан кристаллаштырылган SiC кристалл көймәсе
Яңадан кристаллаштырылган SiC кристалл көймәләре гадәттә берничә берәмлек детальне башта кимереп эшкәртү, аннары һәр детальне югары температураларда Si пастасы белән тоташтырып кристалл көймә ясау һәм ахырда CVD-SiC каплавын (якынча 100 мкм) куллану юлы белән формалаштырыла. Яңадан кристаллашу мәсамәле булганлыктан, кисәкчәләрне SiC каплавы булмаганда ярымүткәргеч процессларга да кертергә мөмкин. Моннан тыш, тоташтыру зонасындагы Si пастасы SiC материалы кебек үк югары температурага чыдый алмый. CVD-SiC каплавы белән бу яңадан кристаллаштырылган SiC кристалл көймәсен җитештерү процессы иң озын һәм бәясе бик югары. SiC белән капланган графит кристалл көймәсе белән чагыштырганда, CVD-SiC белән капланган яңадан кристаллаштырылган SiC кристалл көймәсендә CTE туры килмәү проблемасы юк, ләкин кислота белән юу һәм бәрелеш SiC каплавының төшеп китүенә дә китерергә мөмкин. Аның хезмәт итү вакыты бераз озынрак, якынча 2-3 ел.
3. CVD каплавы булмаган бер кисәкле SiC кристалл көймәсе
CVD каплавы булмаган кристалл көймәләр өчен өслек тыгыз булырга тиеш. Ике төрле тыгыз SiC материалы бар: басымсыз синтезланган SiC (SSiC) һәм реакция белән синтезланган SiC (RBSiC, шулай ук кремний белән үтә торган SiC, SiSiC дип тә атала). Ләкин бу ике төр SiC ның берсен дә кварц кебек бер берәмлеккә кушып булмый. Порошоктан SiC ясау һәм аны якынча бер кисәкле бер кисәкле кристалл көймә формасына китерү җиңел түгел. Моннан тыш, SiC бик авыр һәм эшкәртү авыр, бу бер кисәкле бер кисәкле SiC кристалл көймәләре өчен бик югары эшкәртү чыгымнарына китерә. RBSiC якынча форма ясау SSiC га караганда бераз җиңелрәк булса да, ул барыбер бик каты. Моннан тыш, RBSC 10-15% ирекле Si бар, бу аны SSiC материаллары кебек үк югары температураларга чыдам итә алмый. Гадәттә, ул 1400 ° C тан түбән температурага чыдам. Моннан тыш, ирекле Si HF кислотасы белән җиңел генә йомыла, бу кисәкчәләргә китерә.
4.Kallex SiC Модульле Кристалл Кайыгы
Агрегат детальләре 99,675% сафлыктагы басымсыз агрегатланган SiC материалы ярдәмендә формалаштыру, агрегатлау һәм тарту юлы белән эшкәртелә. Аннары аларны SSiC винтлары, гайкалары һ.б. белән берләштерәләр һәм йөк күтәрүчәнлеген тәэмин итү өчен SSiC штифтлары белән беркетәләр. SiC каплавы булмаганда, каплауның өлешчә бозылу куркынычы юк. Моннан тыш, аны югары температура (1600℃) һәм HF кислотасы кебек каты мохиттә озак вакыт кулланырга мөмкин, хезмәт итү вакыты биш елдан артык.
Бастырып чыгару вакыты: 2025 елның 19 августы