1. CVD-SiC örtükli grafit kristal gaýygy
Grafiti gaýtadan işlemek aňsat we bir blok materialdan birnäçe usul arkaly bir bölekli kristal gaýyga öwürmek mümkin. Grafit gözenekli material bolany üçin, grafit ýüzüniň dürli ýarymgeçiriji önümçiliklere gönüden-göni täsir etmegi sebäpli döreýän bölekleýin meseläniň öňüni almak üçin onuň ýüzüne takmynan 100μm galyňlykdaky SiC gatlagy örtülmelidir. Şeýle-de bolsa, galyňlygyCVD-SiC örtügigözegçilik etmek aňsat däl, esasanam käbir çuň deşiklerde we örtügiň inçe bolmagy mümkin bolan burçlarda. Grafit bedeni bilen SiC plyonkasynyň arasyndaky CTE-niň (termal giňelme koeffisiýenti) gabat gelmezligi sebäpli (25-1400℃, SIC üçin ortaça 4.4 × 10e-6/℃ we grafit üçin 7.1 × 10e-6/℃), SiC plyonkasy adatça birnäçe gezek temperatura ýokarlanyp-düşenden soň düşmäge meýilli. Grafit açyk bolanda, korroziw gazlar ýa-da suwuklyklar gözenekli grafit bedenine girýär we doly aýyrmak kyn bolýar, şonuň üçin ýokary temperatura proseslerinde bölekleýin maddalaryň döremegine getirýär. Bu SiC örtülen grafit gaýygy iň arzan we iň gysga ömri, takmynan bir ýyl.
2. CVD-SiC örtükli gaýtadan kristallaşdyrylan SiC kristal gaýygy
Gaýtadan kristallaşdyrylan SiC kristal gaýyklary, adatça, ilki birnäçe birlik böleklerini sinterläp we gaýtadan işläp, soňra her bir bölegi ýokary temperaturada Si pastasy bilen birleşdirip, kristal gaýygy emele getirmek we ahyrsoňy CVD-SiC örtügini (takmynan 100um) ulanmak arkaly emele getirilýär. Gaýtadan kristallaşdyrma gözenekli bolany üçin, bölekleýin maddalar SiC örtügi bolmazdan ýarymgeçiriji proseslere hem girizilip bilner. Mundan başga-da, birikdiriji zolakdaky Si pastasy SiC materialy bilen birmeňzeş ýokary temperatura çydap bilmeýär. CVD-SiC örtügi bolan bu gaýtadan kristallaşdyrylan SiC kristal gaýygynyň önümçilik prosesi iň uzak we bahasy örän ýokary. SiC bilen örtülen grafit kristal gaýygy bilen deňeşdirilende, CVD-SiC bilen örtülen gaýtadan kristallaşdyrylan SiC kristal gaýygynda CTE gabat gelmezligi meselesi ýok, ýöne kislota ýuwulmagy we çaknyşmagy SiC örtüginiň düşmegine hem sebäp bolup biler. Onuň hyzmat ediş möhleti biraz uzyn, takmynan 2-3 ýyl.
3. CVD örtügi bolmadyk bir bölekli SiC kristal gaýygy
CVD örtügi bolmadyk kristal gaýyklar üçin ýüzi dykyz bolmaly. Iki görnüşli dykyz SiC materiallary bar: basyşsyz sinterlenen SiC (SSiC) we reaksiýa arkaly sinterlenen SiC (RBSiC, şeýle hem kremniý bilen geçirgen SiC, SiSiC diýlip hem atlandyrylýar). Şeýle-de bolsa, bu iki görnüşli SiC-niň hiç biri kwarts ýaly bir bitewilige eredilip bilinmeýär. SiC-ni poroşokdan emele getirip, ony bir bölekli bir bölekli kristal gaýygyň takmynan görnüşine getirmek aňsat däl. Mundan başga-da, SiC örän kyn we gaýtadan işlemek kyn, bu bolsa bir bölekli bir bölekli SiC kristal gaýyklary üçin örän ýokary gaýtadan işlemek çykdajylaryna getirýär. RBSiC takmynan görnüşi döretmek SSiC-den birneme aňsat bolsa-da, ol henizem örän berk. Mundan başga-da, RBSC 10-15% erkin Si-ni öz içine alýar, bu bolsa ony SSiC materiallary bilen birmeňzeş ýokary temperatura çydap bilmeýär. Umuman, ol 1400 ° C-den aşak temperatura çydap bilýär. Mundan başga-da, erkin Si HF kislotasy bilen aňsatlyk bilen siňdirilýär we bu bolsa bölekleýin sinterlenmäge getirýär.
4.Kallex SiC Modular Kristal Gaýygy
Enjamyň bölekleri 99,675% arassalykly basyşsyz sinterlenen SiC materialyny ulanyp, şekillendirmek, sinterlemek we üwemek arkaly işlenip düzülýär. Soňra olary SSiC wintleri, gaýkalary we ş.m. bilen birleşdirip, ýük göterijiligini üpjün etmek üçin SSiC ştiftleri bilen berkidiň. SiC örtügi bolmasa, örtügiň bölekleýin zeperlenme howpy ýok. Mundan başga-da, ony uzak wagtlap ýokary temperatura (1600℃) we HF kislotasy ýaly agyr gurşawlarda, bäş ýyldan gowrak hyzmat möhleti bilen ulanyp bolýar.
Ýerleşdirilen wagty: 2025-nji ýylyň 19-njy awgusty