זונ פאָטאָוואָלטאַיק פּראָדוקטן

ריינקייט, SEM סטרוקטור, גרעב אַנאַליז פוןSiC קאָוטינג

די ריינקייט פון SiC קאָוטינגז אויף גראַפיט דורך ניצן CVD איז אַזוי הויך ווי 99.9995%. איר סטרוקטור איז fcc. די SiC פילמען באדעקט אויף גראַפיט איז (111) אָריענטירט ווי געוויזן אין די XRD דאַטן (פיגור 1) וואָס ווייַזט אויף איר הויך קריסטאַליין קוואַליטעט. די גרעב פון די SiC פילם איז זייער גלייַך ווי געוויזן אין פיגור 2.

פיג. 2: גרעב איינהייטלעכקייט פון SiC פילמען SEM און XRD פון בעטאַ-SiC פילם אויף גראַפיט

SEM דאַטן פון CVD SiC דין פילם, די קריסטאַל גרייס איז 2~1 אָפּם

די קריסטאַל סטרוקטור פון די CVD SiC פילם איז אַ פּנים-צענטרירטע קובישע סטרוקטור, און די פילם וווּקס אָריענטירונג איז נאָענט צו 100%

סיליקאָן קאַרבייד (SiC) באדעקטדי באַזע איז די בעסטע באַזע פֿאַר איין קריסטאַל סיליקאָן און GaN עפּיטאַקסי, וואָס איז די קערן קאָמפּאָנענט פון די עפּיטאַקסי אויוון. די באַזע איז אַ שליסל פּראָדוקציע אַקסעסאָרי פֿאַר מאָנאָקריסטאַלינע סיליקאָן פֿאַר גרויסע ינטאַגרייטאַד קרייזן. עס האט הויך ריינקייט, הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, קעראָוזשאַן קעגנשטעל, גוטע לופט טייטנאַס און אנדערע ויסגעצייכנט מאַטעריאַל קעראַקטעריסטיקס.

פּראָדוקט אַפּליקאַציע און באַניץ

גראַפיט באַזע קאָוטינג פֿאַר איין קריסטאַל סיליקאָן עפּיטאַקסיאַל וווּקס פּאַסיק פֿאַר Aixtron מאשינען, עטק קאָוטינג גרעב: 90~150μm דער דיאַמעטער פון די וועיפער קראַטער איז 55 מם.