Węglik krzemu (SiC) to nowy złożony materiał półprzewodnikowy. Węglik krzemu charakteryzuje się dużą przerwą energetyczną (około 3 razy większą niż krzem), wysoką krytyczną siłą pola (około 10 razy większą niż krzem) i wysoką przewodnością cieplną (około 3 razy większą niż krzem). Jest to ważny materiał półprzewodnikowy nowej generacji. Powłoki SiC są szeroko stosowane w przemyśle półprzewodnikowym i fotowoltaice słonecznej. W szczególności, powłoki susceptorowe stosowane w epitaksji diod LED i epitaksji monokryształów krzemu wymagają zastosowania powłok SiC. Ze względu na silny trend wzrostowy diod LED w branży oświetleniowej i wyświetlaczy oraz dynamiczny rozwój przemysłu półprzewodnikowego,Produkt powlekany SiCPerspektywy są bardzo dobre.
OBSZAR ZASTOSOWANIA
Czystość, struktura SEM, analiza grubościPowłoka SiC
Czystość powłok SiC na graficie uzyskanych metodą CVD sięga aż 99,9995%. Ich struktura to fcc. Warstwy SiC naniesione na grafit są zorientowane (111), jak pokazano na danych XRD (rys. 1), co wskazuje na ich wysoką jakość krystaliczną. Grubość warstwy SiC jest bardzo równomierna, jak pokazano na rys. 2.
Rys. 2: Jednolita grubość warstw SiC w SEM i XRD warstwy beta-SiC na graficie
Dane SEM dla cienkich warstw CVD SiC, rozmiar kryształu wynosi 2~1 Opm
Struktura krystaliczna filmu CVD SiC jest strukturą sześcienną ściennie centrowaną, a orientacja wzrostu filmu wynosi blisko 100%.
Powłoka z węglika krzemu (SiC)Baza jest najlepszym podłożem do epitaksji monokrystalicznego krzemu i GaN, który jest głównym elementem pieca epitaksjalnego. Baza jest kluczowym elementem produkcyjnym monokrystalicznego krzemu do dużych układów scalonych. Charakteryzuje się wysoką czystością, odpornością na wysoką temperaturę, odpornością na korozję, dobrą szczelnością i innymi doskonałymi właściwościami materiałowymi.
Zastosowanie i użytkowanie produktu
Powłoka grafitowa do epitaksjalnego wzrostu monokryształu krzemu. Nadaje się do maszyn Aixtron itp. Grubość powłoki: 90~150um. Średnica krateru waflowego wynosi 55 mm.
Czas publikacji: 14 marca 2022 r.