Silicijev karbid (SiC) je novi složeni poluvodički materijal. Silicijev karbid ima veliki energetski procjep (oko 3 puta veći od silicija), visoku kritičnu jakost polja (oko 10 puta veći od silicija) i visoku toplinsku vodljivost (otprilike 3 puta veći od silicija). Važan je poluvodički materijal sljedeće generacije. SiC premazi se široko koriste u poluvodičkoj industriji i solarnim fotonaponskim sustavima. Posebno, susceptori koji se koriste u epitaksijalnom rastu LED dioda i epitaksija monokristala Si zahtijevaju upotrebu SiC premaza. Zbog snažnog uzlaznog trenda LED dioda u industriji rasvjete i zaslona te snažnog razvoja poluvodičke industrije,SiC premazni proizvodizgledi su vrlo dobri.
PODRUČJE PRIMJENE
Čistoća, SEM struktura, analiza debljineSiC premaz
Čistoća SiC premaza na grafitu dobivenih CVD-om iznosi čak 99,9995%. Njegova struktura je fcc. SiC filmovi naneseni na grafit su orijentirani (111) kao što je prikazano u XRD podacima (slika 1), što ukazuje na njegovu visoku kristalnu kvalitetu. Debljina SiC filma je vrlo ujednačena kao što je prikazano na slici 2.
Sl. 2: jednolika debljina SiC filmova SEM i XRD beta-SiC filma na grafitu
SEM podaci CVD tankog SiC filma, veličina kristala je 2~1 Opm
Kristalna struktura CVD SiC filma je plošno centrirana kubna struktura, a orijentacija rasta filma je blizu 100%
Obloženo silicijevim karbidom (SiC)Baza je najbolja baza za monokristalni silicij i GaN epitaksiju, koja je glavna komponenta epitaksijalne peći. Baza je ključni proizvodni dodatak za monokristalni silicij za velike integrirane krugove. Ima visoku čistoću, otpornost na visoke temperature, otpornost na koroziju, dobru nepropusnost za zrak i druge izvrsne karakteristike materijala.
Primjena i upotreba proizvoda
Grafitni osnovni premaz za epitaksijalni rast monokristala silicija. Pogodno za Aixtron strojeve itd. Debljina premaza: 90~150um. Promjer kratera pločice je 55 mm.
Vrijeme objave: 14. ožujka 2022.