Силициум карбидот (SiC) е нов сложен полупроводнички материјал. Силициум карбидот има голем енергетски јаз (околу 3 пати од силициумот), висока критична јачина на полето (околу 10 пати од силициумот), висока топлинска спроводливост (приближно 3 пати од силициумот). Тој е важен полупроводнички материјал од следната генерација. SiC премазите се широко користени во полупроводничката индустрија и соларните фотоволтаици. Особено, сусцепторите што се користат во епитаксијалниот раст на LED диодите и Si монокристалната епитаксија бараат употреба на SiC премази. Поради силниот тренд на пораст на LED диодите во индустријата за осветлување и дисплеи и енергичниот развој на полупроводничката индустрија,SiC производ за обложувањеперспективите се многу добри.
ПОЛЕ НА АПЛИКАЦИЈА
Чистота, SEM структура, анализа на дебелината наSiC облога
Чистотата на SiC премазите на графит со употреба на CVD е висока и до 99,9995%. Нивната структура е fcc. SiC филмовите обложени на графит се ориентирани (111) како што е прикажано на XRD податоците (сл. 1), што укажува на нивниот висок кристален квалитет. Дебелината на SiC филмот е многу униформна како што е прикажано на сл. 2.
Сл. 2: униформа на дебелина на SiC филмови SEM и XRD на бета-SiC филм на графит
SEM податоци на тенок филм CVD SiC, големината на кристалот е 2~1 Opm
Кристалната структура на CVD SiC филмот е кубична структура центрирана на лицето, а ориентацијата на раст на филмот е близу до 100%.
Обложен со силициум карбид (SiC)Базата е најдобрата база за монокристален силициум и GaN епитаксија, што е основна компонента на печката за епитаксија. Базата е клучен производствен додаток за монокристален силициум за големи интегрирани кола. Има висока чистота, отпорност на високи температури, отпорност на корозија, добра воздушна непропустливост и други одлични карактеристики на материјалот.
Примена и употреба на производот
Графитен основен премаз за епитаксијален раст на монокристален силициум. Погоден за машини Aixtron, итн. Дебелина на премазот: 90~150um. Дијаметарот на кратерот на вафлите е 55 mm.
Време на објавување: 14 март 2022 година