Карбид кремния (SiC) — это новый полупроводниковый материал. Карбид кремния обладает большой шириной запрещенной зоны (примерно в 3 раза больше, чем у кремния), высокой критической напряженностью поля (примерно в 10 раз больше, чем у кремния) и высокой теплопроводностью (приблизительно в 3 раза больше, чем у кремния). Это важный полупроводниковый материал следующего поколения. Покрытия из SiC широко используются в полупроводниковой промышленности и солнечной фотовольтаике. В частности, подложки, используемые при эпитаксиальном выращивании светодиодов и эпитаксии монокристаллов кремния, требуют использования покрытия из SiC. В связи с устойчивым ростом популярности светодиодов в светотехнической и дисплейной промышленности, а также активным развитием полупроводниковой промышленности,Покрытие из карбида кремнияПерспективы очень хорошие.
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
Чистота, структура по данным СЭМ, анализ толщиныПокрытие из карбида кремния
Чистота SiC-покрытий на графите, полученных методом CVD, достигает 99,9995%. Их структура — гранецентрированная кубическая (ГЦК). SiC-пленки, нанесенные на графит, имеют ориентацию (111), как показано на рентгенограмме (рис. 1), что указывает на высокое кристаллическое качество. Толщина SiC-пленки очень равномерна, как показано на рис. 2.
Рис. 2: равномерная толщина пленок SiC. СЭМ и рентгеновская дифракция пленки бета-SiC на графите.
СЭМ-данные тонкой пленки SiC, полученной методом химического осаждения из газовой фазы (CVD): размер кристаллов составляет 2–1 ОПм.
Кристаллическая структура пленки SiC, полученной методом химического осаждения из газовой фазы (CVD), представляет собой гранецентрированную кубическую структуру, а ориентация роста пленки близка к 100%.
Покрытие из карбида кремния (SiC)Основание является наилучшим вариантом для эпитаксии монокристаллического кремния и нитрида галлия (GaN) и представляет собой основной компонент эпитаксиальной печи. Основание является ключевым производственным элементом для монокристаллического кремния, используемого в крупных интегральных схемах. Оно обладает высокой чистотой, термостойкостью, коррозионной стойкостью, хорошей воздухонепроницаемостью и другими превосходными характеристиками материала.
Применение и использование продукта
Графитовое базовое покрытие для эпитаксиального роста монокристаллического кремния. Подходит для машин Aixtron и др. Толщина покрытия: 90–150 мкм. Диаметр кратера на пластине: 55 мм.
Дата публикации: 14 марта 2022 г.