Кремний карбиды (SiC) - яңа кушылма ярымүткәргеч материал. Кремний карбиды зур зона аралыгына (якынча кремнийдан 3 тапкыр артык), югары критик кыр көчәнешенә (якынча кремнийдан 10 тапкыр артык), югары җылылык үткәрүчәнлегенә (якынча кремнийдан 3 тапкыр артык) ия. Ул мөһим киләсе буын ярымүткәргеч материалы. SiC каплаулары ярымүткәргеч сәнәгатендә һәм кояш фотоэлектрикасында киң кулланыла. Аерым алганда, светодиодларның эпитаксиаль үсеше һәм Si монокристалл эпитаксиасында кулланыла торган сусцепторлар SiC каплавын куллануны таләп итә. Яктырту һәм дисплей сәнәгатендә светодиодларның көчле үсеш тенденциясе һәм ярымүткәргеч сәнәгатенең көчле үсеше аркасында,SiC каплау продуктыперспективалар бик яхшы.
ГАРИЗА ӨЛЕШЕ
Сафлык, SEM структурасы, калынлык анализыSiC каплавы
Графит өстендә CVD кулланып ясалган SiC капламаларының сафлыгы 99,9995% ка кадәр җитә. Аның структурасы fcc. Графит өстендә капланган SiC пленкалары (111) рентгенограмма мәгълүматларында күрсәтелгәнчә (1 нче рәсем) аның югары кристалл сыйфатын күрсәтә. SiC пленкасының калынлыгы 2 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә бик бердәм.
2 нче рәсем: SiC пленкаларының калынлык бердәмлеге. Графиттагы бета-SiC пленкасының SEM һәм рентгенограммасы.
CVD SiC юка пленкасының SEM мәгълүматлары, кристалл зурлыгы 2 ~ 1 Опм
CVD SiC пленкасының кристалл структурасы йөзгә үзәкләштерелгән куб структурасы, һәм пленка үсеш юнәлеше 100% ка якын.
Кремний карбиды (SiC) белән капланганнигез - монокристалл кремний һәм эпитаксия миченең төп компоненты булган GaN эпитаксиясе өчен иң яхшы нигез. Нигез - зур интеграль схемалар өчен монокристалл кремний җитештерү өчен төп аксессуар. Ул югары сафлыкка, югары температурага чыдамлыкка, коррозиягә чыдамлыкка, яхшы һава үткәрмәүгә һәм башка бик яхшы материал үзенчәлекләренә ия.
Продукциянең кулланылышы һәм кулланылышы
Монокристалл кремний эпитаксиаль үсеше өчен графит нигез каплавы Aixtron машиналары һ.б. өчен яраклы Каплау калынлыгы: 90~150 мкм Вафли кратерының диаметры 55 мм.
Бастырып чыгару вакыты: 2022 елның 14 марты