El carburo de silicio (SiC) es un nuevo material semiconductor compuesto. El carburo de silicio tiene una gran banda prohibida (aproximadamente 3 veces la del silicio), una alta fuerza de campo crítico (aproximadamente 10 veces la del silicio) y una alta conductividad térmica (aproximadamente 3 veces la del silicio). Es un importante material semiconductor de próxima generación. Los recubrimientos de SiC se utilizan ampliamente en la industria de semiconductores y en la energía solar fotovoltaica. En particular, los susceptores utilizados en el crecimiento epitaxial de LED y la epitaxia de monocristales de Si requieren el uso de recubrimientos de SiC. Debido a la fuerte tendencia al alza de los LED en la industria de la iluminación y las pantallas, y al vigoroso desarrollo de la industria de semiconductores,producto de recubrimiento de SiCLas perspectivas son muy buenas.
CAMPO DE APLICACIÓN
Pureza, estructura SEM, análisis de espesor.recubrimiento de SiC
La pureza de los recubrimientos de SiC sobre grafito obtenidos mediante CVD alcanza el 99,9995%. Su estructura es cúbica centrada en las caras (fcc). Las películas de SiC depositadas sobre grafito presentan una orientación (111), como se observa en los datos de difracción de rayos X (Fig. 1), lo que indica su alta calidad cristalina. El espesor de la película de SiC es muy uniforme, como se muestra en la Fig. 2.
Figura 2: espesor uniforme de las películas de SiC. Microscopía electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X (XRD) de la película de beta-SiC sobre grafito.
Datos SEM de la película delgada de SiC CVD, el tamaño del cristal es de 2~1 ópm.
La estructura cristalina de la película de SiC CVD es una estructura cúbica centrada en las caras, y la orientación de crecimiento de la película es cercana al 100%.
Recubierto de carburo de silicio (SiC)La base es la mejor base para la epitaxia de silicio monocristalino y GaN, y es el componente principal del horno de epitaxia. Es un accesorio clave para la producción de silicio monocristalino en circuitos integrados de gran tamaño. Posee alta pureza, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, buena estanqueidad y otras excelentes características de material.
Aplicación y uso del producto
Recubrimiento base de grafito para el crecimiento epitaxial de silicio monocristalino. Adecuado para máquinas Aixtron, etc. Espesor del recubrimiento: 90~150 µm. El diámetro del cráter de la oblea es de 55 mm.
Fecha de publicación: 14 de marzo de 2022