Карбиди кремний (SiC) як маводи нави нимноқилҳои мураккаб аст. Карбиди кремний дорои фосилаи калони банд (тақрибан 3 маротиба аз кремний), қувваи баланди майдони интиқодӣ (тақрибан 10 маротиба аз кремний), гузаронандагии баланди гармӣ (тақрибан 3 маротиба аз кремний) мебошад. Он як маводи муҳими нимноқилҳои насли оянда аст. Рӯйпӯшҳои SiC дар саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикҳои офтобӣ ба таври васеъ истифода мешаванд. Аз ҷумла, суссепторҳое, ки дар афзоиши эпитаксиалии LED-ҳо ва эпитаксии яккристаллии Si истифода мешаванд, истифодаи пӯшиши SiC-ро талаб мекунанд. Аз сабаби тамоюли баланди баланди LED-ҳо дар саноати равшанӣ ва дисплей ва рушди босуръати саноати нимноқилҳо,Маҳсулоти рӯйпӯши SiCдурнамо хеле хубанд.
МАЙДОНИ АРИЗА
Покӣ, сохтори SEM, таҳлили ғафсииПӯшиши SiC
Покии рӯйпӯшҳои SiC дар графит бо истифода аз CVD то 99.9995% мерасад. Сохтори он fcc аст. Плёнкаҳои SiC, ки дар графит пӯшонида шудаанд, (111), чунон ки дар маълумоти XRD (Расми 1) нишон дода шудааст, самт гирифтаанд, ки сифати баланди кристаллии онро нишон медиҳад. Ғафсии плёнкаи SiC, чунон ки дар расми 2 нишон дода шудааст, хеле яксон аст.
Расми 2: ғафсии якхелаи филмҳои SiC. SEM ва XRD-и филми бета-SiC дар графит.
Маълумоти SEM-и плёнкаи тунуки CVD SiC, андозаи булӯр 2~1 Opm аст
Сохтори кристаллии филми CVD SiC сохтори мукаабии рӯймарказ аст ва самти афзоиши филм ба 100% наздик аст.
Карбиди кремний (SiC) бо рӯйпӯшАсос беҳтарин асос барои кремнийи монокристаллӣ ва эпитаксияи GaN мебошад, ки ҷузъи асосии кӯраи эпитаксия мебошад. Асос лавозимоти калидии истеҳсолӣ барои кремнийи монокристаллӣ барои схемаҳои калони интегралӣ мебошад. Он дорои покии баланд, муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба зангзанӣ, зичии хуби ҳаво ва дигар хусусиятҳои аълои мавод мебошад.
Татбиқ ва истифодаи маҳсулот
Пӯшиши асосии графит барои афзоиши эпитаксиалии кремнийи монокристаллӣ. Барои мошинҳои Aixtron ва ғайра мувофиқ аст. Ғафсии рӯйпӯш: 90~150мм. Диаметри кратери вафл 55 мм аст.
Вақти нашр: 14 марти соли 2022