Silikon karbida (SiC) ialah bahan semikonduktor sebatian baharu. Silikon karbida mempunyai jurang jalur yang besar (kira-kira 3 kali ganda silikon), kekuatan medan kritikal yang tinggi (kira-kira 10 kali ganda silikon), kekonduksian terma yang tinggi (kira-kira 3 kali ganda silikon). Ia merupakan bahan semikonduktor generasi akan datang yang penting. Salutan SiC digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor dan fotovoltaik solar. Khususnya, suseptor yang digunakan dalam pertumbuhan epitaksi LED dan epitaksi kristal tunggal Si memerlukan penggunaan salutan SiC. Disebabkan oleh trend menaik LED yang kukuh dalam industri pencahayaan dan paparan, dan perkembangan industri semikonduktor yang rancak,Produk salutan SiCprospek sangat baik.
BIDANG PERMOHONAN
Ketulenan, Struktur SEM, analisis ketebalanSalutan SiC
Ketulenan salutan SiC pada grafit dengan menggunakan CVD adalah setinggi 99.9995%. Strukturnya adalah fcc. Filem SiC yang disalut pada grafit berorientasikan (111) seperti yang ditunjukkan dalam data XRD (Rajah 1) yang menunjukkan kualiti kristalnya yang tinggi. Ketebalan filem SiC adalah sangat seragam seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 2.
Rajah 2: ketebalan seragam filem SiC SEM dan XRD filem beta-SiC pada grafit
Data SEM filem nipis CVD SiC, saiz kristal ialah 2~1 Opm
Struktur kristal filem CVD SiC ialah struktur kubik berpusatkan muka, dan orientasi pertumbuhan filem hampir 100%
Bersalut silikon karbida (SiC)Asas merupakan asas terbaik untuk silikon hablur tunggal dan epitaksi GaN, yang merupakan komponen teras relau epitaksi. Asas ini merupakan aksesori pengeluaran utama untuk silikon monokristalin untuk litar bersepadu yang besar. Ia mempunyai ketulenan yang tinggi, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan, kedap udara yang baik dan ciri-ciri bahan cemerlang yang lain.
Aplikasi dan penggunaan produk
Salutan asas grafit untuk pertumbuhan epitaksi silikon hablur tunggalSesuai untuk mesin Aixtron, dsb.Ketebalan salutan: 90~150umDiameter kawah wafer ialah 55mm.
Masa siaran: 14 Mac 2022