Silisyum karbür (SiC), yeni bir bileşik yarı iletken malzemedir. Silisyum karbür, geniş bir bant aralığına (silisyumun yaklaşık 3 katı), yüksek kritik alan dayanımına (silisyumun yaklaşık 10 katı) ve yüksek termal iletkenliğe (silisyumun yaklaşık 3 katı) sahiptir. Önemli bir yeni nesil yarı iletken malzemedir. SiC kaplamalar, yarı iletken endüstrisinde ve güneş fotovoltaiklerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Özellikle, LED'lerin epitaksiyel büyümesinde ve Si tek kristal epitaksisinde kullanılan suseptörler, SiC kaplama kullanımını gerektirir. Aydınlatma ve ekran endüstrisinde LED'lerin güçlü yükseliş trendi ve yarı iletken endüstrisinin hızlı gelişimi nedeniyle,SiC kaplama ürünüBeklentiler çok yüksek.
UYGULAMA ALANI
Saflık, SEM Yapısı, kalınlık analiziSiC kaplama
CVD yöntemi kullanılarak grafit üzerine kaplanmış SiC kaplamalarının saflığı %99,9995 gibi yüksek bir değere sahiptir. Yapısı fcc'dir. Grafit üzerine kaplanmış SiC filmlerinin XRD verilerinde (Şekil 1) gösterildiği gibi (111) yönelimli olması, yüksek kristal kalitesini göstermektedir. Şekil 2'de gösterildiği gibi SiC filminin kalınlığı oldukça homojendir.
Şekil 2: SiC filmlerinin düzgün kalınlığı. Grafit üzerindeki beta-SiC filminin SEM ve XRD görüntüleri.
CVD SiC ince filminin SEM verileri, kristal boyutu 2~1 μm'dir.
CVD SiC filminin kristal yapısı yüz merkezli kübik bir yapıdır ve film büyüme yönelimi %100'e yakındır.
Silisyum karbür (SiC) kaplıBu taban, tek kristal silikon ve GaN epitaksi için en iyi tabandır ve epitaksi fırınının temel bileşenidir. Taban, büyük entegre devreler için monokristal silikonun üretiminde önemli bir aksesuardır. Yüksek saflık, yüksek sıcaklık dayanımı, korozyon direnci, iyi hava sızdırmazlığı ve diğer mükemmel malzeme özelliklerine sahiptir.
Ürün uygulaması ve kullanımı
Tek kristal silikon epitaksiyel büyümesi için grafit bazlı kaplama. Aixtron makineleri vb. için uygundur. Kaplama kalınlığı: 90~150 µm. Yonga kraterinin çapı 55 mm'dir.
Yayın tarihi: 14 Mart 2022