Silicia karbido (SiC) estas nova kompona duonkondukta materialo. Silicia karbido havas grandan bendbreĉon (ĉirkaŭ 3-oble pli grandan ol silicio), altan kritikan kampoforton (ĉirkaŭ 10-oble pli grandan ol silicio), kaj altan varmokonduktecon (ĉirkaŭ 3-oble pli grandan ol silicio). Ĝi estas grava duonkondukta materialo de la sekva generacio. SiC-tegaĵoj estas vaste uzataj en la duonkondukta industrio kaj suna fotovoltaiko. Precipe la susceptoroj uzataj en la epitaksia kresko de LED-oj kaj Si-unukristala epitaksio postulas la uzon de SiC-tegaĵo. Pro la forta supreniranta tendenco de LED-oj en la lumiga kaj ekrana industrio, kaj la vigla disvolviĝo de la duonkondukta industrio,SiC-tegaĵola perspektivoj estas tre bonaj.
APLIKA KAMPO
Pureco, SEM-strukturo, dikeco-analizo deSiC-tegaĵo
La pureco de SiC-tegaĵoj sur grafito per CVD estas tiel alta kiel 99.9995%. Ĝia strukturo estas fcc. La SiC-filmoj kovritaj de grafito estas (111) orientitaj kiel montrite en la XRD-datumoj (Fig. 1), indikante ĝian altan kristalan kvaliton. La dikeco de la SiC-filmo estas tre uniforma kiel montrite en Fig. 2.
Fig. 2: dikeco-uniformo de SiC-filmoj SEM kaj XRD de beta-SiC-filmo sur grafito
SEM-datumoj de CVD SiC-maldika filmo, la kristala grandeco estas 2~1 Opm
La kristalstrukturo de la CVD SiC-filmo estas fac-centrita kuba strukturo, kaj la kreskoorientiĝo de la filmo estas proksima al 100%.
Siliciokarbido (SiC) kovritaLa bazo estas la plej bona bazo por unukristala silicio kaj GaN-epitaksio, kiu estas la kerna komponanto de la epitaksia forno. La bazo estas ŝlosila produktada akcesoraĵo por unukristala silicio por grandaj integraj cirkvitoj. Ĝi havas altan purecon, altan temperaturreziston, korodreziston, bonan hermetikecon kaj aliajn bonegajn materialajn karakterizaĵojn.
Produkta apliko kaj uzo
Grafita baza tegaĵo por epitaksia kresko de unu-kristala silicio. Taŭga por Aixtron-maŝinoj, ktp. Tegaĵa dikeco: 90~150 µm. La diametro de la kratero de la oblato estas 55 mm.
Afiŝtempo: 14-a de marto 2022